专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种低裂纹碳化硅晶圆制备方法及碳化硅晶圆-CN202310664916.6有效
  • 王蓉;刘晓双;皮孝东;钱怡潇;陈方远;王万堂;杨德仁 - 浙江大学杭州国际科创中心
  • 2023-06-07 - 2023-10-13 - H01L21/263
  • 本发明涉及半导体技术领域,特别涉及一种低裂纹碳化硅晶圆制备方法及碳化硅晶圆,包括:具有裂纹的待加工碳化硅晶圆进行粒子辐照形成空位,再进行退火,退火工艺中溢出的硅原子与氧气反应生成具有粘性流动的二氧化硅,并且所述空位层中的原子借助空位的长程传输,在所述二氧化硅和所述原子的长程传输的共同作用下,填充待加工碳化硅晶圆表面的裂纹,形成自愈合层,最后通过研磨和抛光,获得低裂纹碳化硅晶圆。本发明采用粒子辐照先在待加工碳化硅晶圆的表面至内部一定深度位置形成空位,在后续退火工艺,形成自愈合层,自愈合层阻止了裂纹在后续的研磨和抛光工艺中向待加工碳化硅晶圆内部延伸以及裂纹之间的耦合,最终得到低裂纹的碳化硅晶圆。
  • 一种裂纹碳化硅制备方法
  • [发明专利]SiC晶圆切割片加工方法及SiC晶圆切割片加工装置-CN202310029856.0有效
  • 皮孝东;张玺;王蓉;朱如忠;王万堂;杨德仁 - 浙江大学杭州国际科创中心
  • 2023-01-09 - 2023-09-05 - H01L21/3065
  • 本发明提供了一种SiC晶圆切割片加工方法及SiC晶圆切割片加工装置,所述SiC晶圆切割片加工方法对SiC切割片具有切割损伤层的表面先进行氯基气体等离子体刻蚀,再对氯基气体等离子体刻蚀完的SiC切割片表面进行氟基气体等离子体刻蚀,并对氟基气体等离子体刻蚀完的SiC切割片表面进行精抛并进行清洗,不需要对SiC切割片具有切割损伤层的表面进行研磨、粗抛处理,后续直接进行精抛,不仅省却了两步研磨抛光工艺,更省却了研磨抛光后的多步清洗步骤,能有效减少清洗流程化学试剂用量,实现了SiC切割片同步刻蚀均匀去除的效果,对工业化生产提高加工效率具有指导意义。
  • sic切割加工方法装置

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