专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种棒料剪切机的下料机构-CN201922131295.7有效
  • 熊兵;吴国亮 - 上海金鑫锻造有限公司
  • 2019-11-30 - 2020-09-15 - B21D43/02
  • 本实用新型涉及棒料加工的技术领域,尤其是涉及一种棒料剪切机的下料机构,包括机体,所述机体上设置有剪切孔,所述剪切孔一侧设置有放置架,剪切孔另一侧设有下料导向板,所述下料导向板和机体之间设置有转动组件,所述下料导向板通过转动组件转动设置在机体上,所述转动组件包括转动板和转杆,所述转动板固设在机体上,所述转杆固设在下料导向板上,转杆转动设置在转动板上。本实用新型具有能够通过转动下料导向板,使棒料落在另一个预设的放置框内,无需停止棒料剪断机,提升拌料剪断机的工作效率的效果。
  • 一种剪切机构
  • [实用新型]一种棒料锯断机的下料装置-CN201922391365.2有效
  • 熊兵;姚宏宇 - 上海金鑫锻造有限公司
  • 2019-12-24 - 2020-09-15 - B23D59/00
  • 本实用新型公开了一种棒料锯断机的下料装置,涉及锯床设备领域,旨在解决棒料的下料问题,其技术方案要点是:包括固定在地面的安装座以及设置在安装座上表面的机体,所述机体出料端设置有锯条和下料机构,所述下料机构包括固定在安装座上的出料斗,所述出料斗下方安装座上设置有用来收集铁屑和冷却液的集料机构,所述集料机构包括竖直开设在安装座上表面的集料槽,在集料槽内设置有刮料机构,所述刮料机构包括水平设置在集料槽两侧的滑动机构、竖直固定在滑动机构上的刮料板,所述集料机构还包括设置在集料槽底部件两侧位置的集屑机构。本实用新型的一种棒料锯断机的下料装置具有收集冷却液和铁屑的优点。
  • 一种棒料锯断机装置
  • [实用新型]一种电炉用自动上料装置-CN201922392989.6有效
  • 马晓明;熊兵 - 上海金鑫锻造有限公司
  • 2019-12-24 - 2020-09-11 - F27D3/00
  • 本实用新型公开了一种电炉用自动上料装置,涉及一种电炉,解决了电炉上料不便的问题。技术方案为一种电炉用自动上料装置,包括支架,所述支架上固定连接有倾斜设置的放料斜板,所述放料斜板的下端位置设置有控制原料棒逐根下料的下料机构,所述下料机构背向所述放料斜板的一侧设置有固定在所述支架上的放料槽,所述放料槽的一端对准电炉的进料口,另一端设置有将其槽内的原料推送至电炉内的推送机构。本实用新型结构合理,实现电炉的自动间隔上料。
  • 一种电炉自动装置
  • [实用新型]一种全封闭式石灰搅拌池-CN201922114895.2有效
  • 卢元均;孙小锋;姬昌其;熊兵;周兵;曾成 - 浙江省疏浚工程有限公司
  • 2019-11-29 - 2020-09-01 - B28C5/14
  • 本实用新型公开了一种全封闭式石灰搅拌池,涉及建筑设施领域,旨在解决搅拌过程中石灰飞溅的问题,其技术方案要点是:包括固定在水平地面上的支撑机构,在支撑机构上设置有搅拌池,搅拌池的上端面与固定板上表面平齐,在搅拌池内,设有搅拌机构,在搅拌池上端面设有密封箱,密封箱与搅拌池构成封闭的空腔,在密封箱两侧壁上设有开关机构,在密封箱上表面设有散热机构,在固定板上表面的矩形开口两侧设有进料机构,用来输送石灰和泥浆,在搅拌池上设有出料机构。本实用新型的一种全封闭式石灰搅拌池具有防止石灰粉飞溅的功能。
  • 一种封闭式石灰搅拌
  • [发明专利]电吸收调制激光器及其制备方法-CN201710876247.3有效
  • 王健;罗毅;孙长征;熊兵 - 清华大学
  • 2017-09-25 - 2020-07-28 - H01S5/06
  • 本发明提出一种电吸收调制激光器及其制备方法,该电吸收调制激光器由集成在同一衬底上的分布反馈(DFB)激光器和电吸收(EA)组成,关键结构包含光栅、波导和输出光端面,其特征在于:DFB激光器的光栅为表面光栅,特别是侧向耦合表面光栅,位于电吸收调制激光器条形波导的欧姆接触层和波导上限制层两侧,从外延片表面向下延伸到波导芯层上表面;输出光端面为刻蚀形成的垂直于外延片表面的端面,无需解理就可以进行端面镀膜。本发明的优点在于:只需一次外延,且无需解理衬底就可以进行电吸收调制激光器的端面镀膜,大大简化了制作工艺,并有利于在电吸收调制激光器和其他光电子器件在同一衬底上进行集成。
  • 吸收调制激光器及其制备方法
  • [发明专利]分布反馈半导体激光器及其制备方法-CN201610646149.6有效
  • 王健;罗毅;孙长征;熊兵 - 清华大学
  • 2016-08-09 - 2020-07-28 - H01S5/12
  • 本发明涉及一种分布反馈(DFB)半导体激光器。所述DFB半导体激光器包括光栅和输出光端面,该光栅位于条状波导的欧姆接触层和波导上限制层两侧,由周期性的半导体和绝缘材料构成;所述输出光端面为刻蚀形成的垂直于衬底表面的端面,所述DFB半导体激光器无需解离就可以进行端面镀膜。本发明还涉及上述DFB半导体激光器的制备方法,所述DFB半导体激光器在整个制备方法中只需要一次外延,通过刻蚀波导两侧的欧姆接触层和上限制层、并填充绝缘材料实现所述DFB半导体激光器的光栅,通过刻蚀波导两端的上限制层、有源层、下限制层和一部分衬底以及整个晶片镀膜实现DFB半导体激光器的输出光端面。
  • 分布反馈半导体激光器及其制备方法

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