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[发明专利]一种LED芯片及其制备方法-CN202310352619.8在审
发明人：陈宣良;火东明;段方方;王恩泽;张阿茵;刘文辉;崔恒平 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2023-04-04 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本申请提供了一种LED芯片及其制备方法，该LED芯片包括：衬底、外延结构、P电极、N电极以及钝化层，其中，P电极包括第一P电极和第二P电极，N电极包括第一N电极和第二N电极，钝化层与P电极对应的部分同P电极形成了金属‑钝化层‑金属的层叠结构，与N电极对应的部分同N电极形成了金属‑钝化层‑金属的层叠结构，即钝化层与电极结构相对应的部分被电极结构中的顶层金属电极所包覆，使得环境中的水汽不会直接接触到钝化层与第一P电极以及第一N电极的接触面所存在的孔隙，有效避免LED芯片水汽渗透的发生，从而避免LED芯片在逆压环境中发生微短路，提高了LED芯片在实际应用中的可靠性。
一种 led 芯片及其制备方法

[发明专利]一种高可靠性的LED芯片结构及其制备方法-CN202310336014.X在审
发明人：邬新根;崔恒平;火东明;刘英策;刘伟 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明提供了一种高可靠性的LED芯片结构及其制备方法，该LED芯片结构包括：衬底和外延层，所述外延层具有凹槽，凹槽暴露出部分外延层中的N型半导体层；位于所述外延层背离所述衬底一侧的钝化层，所述钝化层背离所述衬底一侧的表面具有纳米疏水结构；位于所述纳米疏水结构背离所述衬底一侧的有机氟化物层。该LED芯片结构中的钝化层具有纳米疏水结构，通过纳米疏水结构和有机氟化物层，可以使得LED芯片结构的表面实现小于20的表面能，LED芯片结构表面的水滴角大于110°，这样在高温高湿环境中，水汽不容易被LED芯片结构的表面吸附或润湿，避免了吸潮现象的出现，从而提升了LED芯片结构在高温高湿环境中的可靠性能。
一种可靠性 led 芯片结构及其制备方法

[发明专利]一种发光芯片的分选方法及系统-CN202211535831.X在审
发明人：邬新根;崔恒平;火东明;刘英策;王锐;金张育 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2022-12-02 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种发光芯片的分选方法及系统，将同一发光圆片分选的母BIN细分为更多的子BIN，而后将子BIN对应的发光芯片按照预设固晶图分选至对应母BIN方片上固晶，由此将发光圆片进行充足的混分，使得由相同发光圆片得到的不同方片的光电性能一致性高，提高了显示屏的整面屏显示亮度的均匀性，提高了显示屏的显示效果。
一种发光芯片分选方法系统

[发明专利]一种LED芯片及其制作方法-CN202211521246.4在审
发明人：邬新根;崔恒平;火东明;刘英策;刘伟;金张育 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种LED芯片及其制作方法，通过提供复合衬底，所述复合衬底包括依次堆叠的第一衬底、键合层以及第二衬底；接着，在所述复合衬底表面生长外延叠层并形成对应的接触电极后，沿所述复合衬底的一侧，通过磨边工艺，使所述LED芯片的边缘裸露所述键合层；最后通过刻蚀所述键合层，同步去除所述键合层及第一衬底。如此，在避免对衬底整体进行物理研磨的同时，亦可实现对LED芯片减薄时的均匀性。同时，在本发明的LED芯片的制作过程中，无需对第二衬底进行直接加工处理，而LED芯片的最终厚度由第二衬底的厚度决定，因此，本发明的LED芯片厚度易于控制，尤其适用于小尺寸的LED芯片。
一种 led 芯片及其制作方法

[发明专利]一种层状透明导电层LED芯片的制备方法-CN201110164808.X有效
发明人：刘英策;吴大可;火东明 -专利权人：广东量晶光电科技有限公司
申请日： 2011-06-17 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种层状透明导电层LED芯片结构的制备方法及其结构，该方法包括：步骤10)、提供LED外延片；步骤20)、在LED外延片上进行Mesa处理，以暴露出外延片的N-GaN层；步骤30)、外延片的未暴露表面上沉积具有高功函数的第一层透明导电层；步骤40)、在第一层透明导电层上沉积第二层透明导电层；步骤50)、蒸镀P&N电极，形成LED COW结构。本发明在透明导电膜层膜和P-GaN之间插入一层新的高功函数的膜层，降低透明导电膜层膜和P-GaN之间的接触势垒，起到降低芯片的驱动电压，同时，由于此插入层的折射率介于ITO膜层和P-GaN之间或与之上的透明导电膜层的折射率相当保证了LED外量子效率没有降低。
一种层状透明导电 led 芯片制备方法

[发明专利]一种外延片的形成方法及外延片-CN201010554034.7有效
发明人：刘英策;火东明 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2010-11-18 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明提出一种外延片的形成方法及外延片。该方法包括：检测外延片在未经应力补偿下的内应力类型；提供第一材料衬底层；根据检测的内应力类型选择淀积工艺和/或淀积材料；根据选择的淀积工艺和/或淀积材料确定淀积材料的厚度；根据选择的所述淀积工艺、淀积材料和确定的所述淀积材料的厚度在所述第一材料衬底层的第二表面之上形成应力补偿层；和在第一材料衬底的第一表面之上形成第二材料层。通过本发明实施例可以使得由于应力补偿层与第一材料衬底层热失配应力差所产生的弯曲曲率半径正好与由于第二材料层与第一材料衬底层热失配应力差所产生的弯曲曲率半径相抵消。
一种外延形成方法

[发明专利]一种LED芯片的封装方法及封装结构-CN201010270994.0有效
发明人：苏喜林;刘英策;火东明;张旺 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2010-08-27 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：一种LED芯片的封装方法，包括：步骤一：提供一带有反光杯的支架，该反光杯底部设置有电极通道；步骤二：将LED芯片放入反光杯中，保持LED芯片电极与电极通道相对准；步骤三：将胶压印在该反光杯中，将LED芯片固定在该反光杯底部；步骤四：在反光杯底部的背面和电极通道中沉积导电材料，形成与LED芯片电极电连接的引出电极。以及相对应的LED芯片的封装结构。与现有技术相比本发明具有如下有益效果：本发明实施例提供的一种LED芯片的封装方法及封装结构，在将LED芯片固定在反光杯中后，再在反光杯底部背面制作引出电极；这样形成的封装结构不存在任何焊接点，提高了LED的可靠性。
一种 led 芯片封装方法结构

[发明专利]一种发光二极管外延片和管芯及其制作方法-CN200910215397.5有效
发明人： 火东明;胡红坡;谢春林;张旺 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2009-12-31 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： H01L21/786 文献下载
摘要：本发明提出一种发光二极管外延片和管芯及其制作方法，该方法在第一生长面的有源区发光层上下，各加入一个非掺杂层，从而在第二生长面生长发光二极管结构时阻止了掺杂原子向有源区发光层的扩散。本发明充分利用了衬底的两个表面生长发光二极管，起到了节约衬底的作用。双面发光二极管芯片封装后，一个芯片具有的两个发光二极管结构，可以实现颜色范围调节。
一种发光二极管外延管芯及其制作方法

[发明专利]一种半导体芯片的共晶方法及共晶结构-CN201010261581.6有效
发明人：刘英策;火东明;孙天宝 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2010-08-21 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： H01L21/58 文献下载
摘要：一种半导体芯片的共晶方法，包括：以基板的一面为承载面形成第一共晶层和以半导体芯片的一面为承载面形成第二共晶层，所述第一共晶层或者第二共晶层为形成有孔结构的共晶层；对第一共晶层和第二共晶层进行共晶连接。本发明还涉及一种半导体芯片的共晶结构，包括半导体芯片、基板，以及位于半导体芯片和基板之间的共晶连接层，其中，所述共晶连接层由第一连接层和有孔结构的第二连接层共晶结合而成。本发明实施例提供的一种半导体芯片的共晶方法及共晶结构，有孔的共晶层和另一共晶层共晶，使二者之间形成更均匀结合力更强的共晶层，进而提高芯片和基板之间的结合力。
一种半导体芯片方法结构

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