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[发明专利]化合物氯硫镓铯和氯硫镓铯红外非线性光学晶体及制备方法和应用-CN202310856946.7在审
发明人：李俊杰;潘世烈;王霖安;楚羽 -专利权人：中国科学院新疆理化技术研究所
申请日： 2023-07-13 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C01G15/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种化合物氯硫镓铯和氯硫镓铯红外非线性光学晶体及制备方法和应用，该化合物的分子式为Cs3Ga8S13Cl，分子量为2627.56，其结构属于单斜晶系，空间群为Cc，采用助溶剂法制成，该晶体的化学式为Cs3Ga8S13Cl，分子量为2627.56，结晶于单斜晶系，空间群为Cc，晶胞参数为a=10.0698(5)Å，b=17.8139(8)Å，c=14.6479(6)Å，α=90°，β=90.218(2)°，γ=90°，V=2627.56(20)Å3。采用助熔剂法及坩埚下降法在密闭的真空石英管内制备氯硫镓铯红外非线性光学晶体。具有高抗激光损伤、非线性光学效应适中、透光波段宽、硬度较大、机械性能好、不易碎裂和潮解、易于加工和保存等优点，可用于制作红外非线性光学器件。
化合物氯硫镓铯红外非线性光学晶体制备方法应用

[发明专利]化合物硒磷汞和硒磷汞红外非线性光学晶体及制备方法和应用-CN202310879311.9在审
发明人： 潘世烈;李俊杰;楚羽;王宏善 -专利权人：中国科学院新疆理化技术研究所
申请日： 2023-07-18 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C01B25/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种化合物硒磷汞和硒磷汞红外非线性光学晶体及制备方法和应用，该化合物的分子式为Hg7P2Se12，分子量为1206.79，该晶体分子式为Hg7P2Se12，分子量为1206.79，不具有对称中心，属三斜晶系，空间群为P1，晶胞参数为：a=12.573(2)Å，b=14.523(2)Å，c=16.247(2)Å，α=77.509(5)°，β=75.191(6)°，γ=73.051(5)°，Z=5，体积为2711.1(7)Å3，采用高温熔体法、化学气相传输法、助熔剂法或坩埚下降法制成晶体。该晶体具有高抗激光损伤，非线性光学效应适中，透光波段宽，硬度较大，机械性能好，不易碎裂和潮解，易于加工和保存等优点，可用于制作红外非线性光学器件。
化合物硒磷汞红外非线性光学晶体制备方法应用

[发明专利]化合物硫锡锶和硫锡锶红外光学晶体及制备方法和应用-CN202310722984.3在审
发明人： 潘世烈;储冬冬;杨志华;李广卯 -专利权人：中国科学院新疆理化技术研究所
申请日： 2023-06-19 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： C01G19/00 文献下载
摘要：本发明提供化合物硫锡锶和硫锡锶红外光学晶体及制备方法和应用。所述化合物的化学式为Sr2SnS4，分子量为422.17，为硫锡锶单晶颗粒，该晶体的化学式为Sr2SnS4，分子量为422.17，具有两个相，均属于正交晶系，空间群分别为Pnma（命名为α‑Sr2SnS4）和Ama2（命名为β‑Sr2SnS4），其中，α‑Sr2SnS4晶胞参数为a=11.2443(3)Å,b=8.8625(3)Å,c=7.6143(3)Å，单胞体积为758.78(4)Å3；β‑Sr2SnS4晶胞参数为a=9.977(1)Å,b=10.311(2)Å,c=7.2432(10)Å，单胞体积为745.13Å3。采用高温熔融自发结晶法制成。α‑Sr2SnS4基于HSE06泛函的计算带隙为3.21eV，1064nm处计算双折射为0.123；β‑Sr2SnS4基于HSE06泛函的计算带隙为3.67eV，在1064 nm处计算双折射为0.064，在2090 nm的激光下，倍频效应是硫镓化银（AgGaS2）的一半，具有潜在的双折射和非线性光学的应用价值。
化合物硫锡锶红外光学晶体制备方法应用

[发明专利]一种四氟硼酸胍晶体四倍频器件的制备方法-CN202310684066.6在审
发明人： 潘世烈;韩健;米日丁·穆太力普;龙西法 -专利权人：中国科学院新疆理化技术研究所
申请日： 2023-06-11 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01S3/109 文献下载
摘要：本发明涉及一种四氟硼酸胍晶体四倍频器件的制备方法，该方法首先利用Maker条纹法对晶体的倍频系数进行测量，得到2个非零的有效的倍频系数；再用最小偏向角法测定晶体从253nm‑2325nm之间11个波长下的主折射率，拟合得Sellmeier方程；依据Sellmeier方程，通过计算机程序，计算得该晶体Ⅰ或Ⅱ类相位匹配曲线，再结合倍频系数确定该晶体相位匹配点；然后按相位匹配方向对晶体进行切割，两通光面抛光并镀介质膜而得到该晶体四倍频器件；该晶体四倍频器件用于产生四倍频激光输出，倍频效应为KDP的4.7倍，在激光技术领域具有很好的实际应用价值。
一种硼酸晶体倍频器件制备方法

[发明专利]一种大口径紫外三倍频器件的制备方法-CN202310684076.X在审
发明人： 潘世烈;韩健;米日丁·穆太力普;龙西法 -专利权人：中国科学院新疆理化技术研究所
申请日： 2023-06-11 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： G02F1/35 文献下载
摘要：本发明涉及一种大口径紫外三倍频器件的制备方法，该方法首先利用Maker条纹法对四氟硼酸胍晶体的倍频系数进行测量，得到2个非零的有效的倍频系数；再用最小偏向角法测定四氟硼酸胍晶体从253nm‑2325nm之间11个波长下的主折射率，拟合得Sellmeier方程；依据Sellmeier方程，通过计算机程序，计算得该四氟硼酸胍晶体Ⅰ类或Ⅰ类相位匹配曲线，再结合倍频系数确定该四氟硼酸胍晶体相位匹配点；然后按相位匹配方向对四氟硼酸胍晶体进行切割，两通光面抛光并镀介质膜而得到该四氟硼酸胍晶体三倍频器件；该四氟硼酸胍晶体的大口径紫外三倍频器件用于产生高功率的三倍频激光输出，在激光技术领域，尤其是大功率激光装置中具有很好的实际应用价值。
一种口径紫外倍频器件制备方法

[发明专利]化合物四氟硼酸钠铯及制备方法和用途-CN202310500260.4在审
发明人： 潘世烈;托合提江·拜合提;杨志华;侯雪玲 -专利权人：中国科学院新疆理化技术研究所
申请日： 2023-05-06 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： C01B35/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种化合物四氟硼酸钠铯及制备方法及用途，该化合物的化学式为NaCs(BF4)2，分子量为329.52，为晶体结构，属于三方晶系，空间群为R‑3m(No.166)，晶胞参数为a=5.454(2)Å，b=5.454(2)Å，c=20.147(9)Å；α=90°，β=90°，γ=120°，单胞体积为519.17Å3。其有较宽的透光范围，紫外透过截止低于200 nm。该化合物的化学稳定性好，高于其它同组分的阳离子四氟硼酸盐，开放环境中稳定存在温度上限为267℃。采用高温熔液法，真空封装法，水热法或水溶液法即得到化合物四氟硼酸钠铯，具有操作简单、成本低、所用的试剂为无机原料、生长周期短、物化性质稳定等优点，该化合物在制备氟硼酸盐非线性光学晶体的合成中可以得到广泛应用。
化合物硼酸制备方法用途

[发明专利]一种化合物镧硼氧氟及镧硼氧氟非线性光学晶体及制备方法和用途-CN202111260707.2有效
发明人： 潘世烈;师旭平;韩树娟 -专利权人：中国科学院新疆理化技术研究所
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明提供一种化合物镧硼氧氟及镧硼氧氟非线性光学晶体及制备方法和用途。该化合物的化学式为La2B5O9F3，分子量为532.87，采用固相合成法或真空封装法制成；该晶体的化学式为La2B5O9F3，分子量为532.87，属于正交晶系，空间群为Pnn2，晶胞参数为a=11.0855(8)Å，b=11.2677(7)Å，c=6.4731(4)Å，α=90°，β=90°，γ=90°，单胞体积为808.54(9)Å3，同粒径下具有1.2倍KDP（磷酸二氢钾）的粉末倍频效应，紫外截止边低于190nm，采用熔体法，高温熔液法，真空封装法，水热法或室温溶液法生长晶体，该晶体的化学稳定性好，可作为短波长非线性光学晶体在全固态激光器中获得应用。
一种化合物镧硼氧氟非线性光学晶体制备方法用途

[发明专利]化合物氟硼酸钾铯碘和氟硼酸钾铯碘非线性光学晶体及制备方法和用途-CN202111533641.X有效
发明人： 潘世烈;闫玉臣;张敏 -专利权人：中国科学院新疆理化技术研究所
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C30B29/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种化合物氟硼酸钾铯碘和氟硼酸钾铯碘非线性光学晶体及制备方法和用途，该化合物的化学式为Cs2KB8O12F2I，分子量为748.40，采用真空封管制成；该晶体化学式为Cs2KB8O12F2I，分子量为748.40，属于三方晶系，空间群为R32，单胞参数为a=6.5911(1)Å,b=6.5911(1)Å,c=30.6160(11)Å,Z=3；采用真空封管制备晶体，该晶体透光波段紫外透过截止边为200nm。非线性光学效应约为KDP的1倍，空间群R32。该方法制备简单，生长周期短，所使用的起始原料毒性低，对人体毒害小，物化性质稳定等优点。在倍频转换、光参量振荡器等非线性光学器件中可以得到广泛应用。
化合物硼酸钾铯碘非线性光学晶体制备方法用途

[发明专利]化合物氟硼磷酸铷和氟硼磷酸铷非线性光学晶体及制备方法和用途-CN202210336676.2有效
发明人： 潘世烈;李子健;程丙良;张方方 -专利权人：中国科学院新疆理化技术研究所
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种氟硼磷酸铷化合物和氟硼磷酸铷非线性光学晶体及制备方法和用途，该化合物的分子式为Rb3B11PO19F3，分子量为767.29，采用真空封装法制备；该晶体的分子式为Rb3B11PO19F3，分子量分别为767.29，该晶体属三方晶系，空间群R3，其晶胞参数为a=b=11.3715(1)Å，c=12.0240(3)Å，α=β=90°，γ=120°，Z=3，V=1346.53(4)Å3，采用密封熔盐法或坩埚下降法制备。通过该方法获得尺寸为厘米级的Rb3B11PO19F3非线性光学晶体，可作为紫外、深紫外非线性光学晶体在全固态激光器中获得应用。
化合物磷酸非线性光学晶体制备方法用途

[发明专利]含碱土金属缺陷黄铜矿类型化合物和红外非线性光学晶体及制备方法和应用-CN202111489415.6有效
发明人： 潘世烈;李俊杰;王鹏;楚羽 -专利权人：中国科学院新疆理化技术研究所
申请日： 2021-12-08 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明涉及含碱土金属缺陷黄铜矿类型化合物和红外非线性光学晶体的制备方法及应用，该化合物的分子通式为AGa2Se4，式中A为碱土金属元素Be或Mg，其化学式BeGa2Se4，分子量为464.29；化学式MgGa2Se4，分子量为479.59；该BeGa2Se4晶体不具有对称中心，属四方晶系，空间群为I2m，晶胞参数为：a＝b＝5.5002(9)Å，c＝10.7185(5)Å，α＝β＝γ＝90°，Z＝2；MgGa2Se4晶体不具有对称中心，属四方晶系，空间群为I，其晶胞参数为：a＝b＝5.6997(2)Å，c＝10.7265(6)Å，α＝β＝γ＝90°，Z＝2，该含碱土金属缺陷黄铜矿类型红外非线性光学晶体，具有高抗激光损伤、非线性光学效应适中、透光波段宽、硬度较大、机械性能好、不易碎裂和潮解、易于加工和保存等优点，可用于制作红外非线性光学器件。
碱土金属缺陷黄铜矿类型化合物红外非线性光学晶体制备方法应用

[发明专利]系列碱金属硼硫酸盐化合物和碱金属硼硫酸盐非线性光学晶体及制备方法和用途-CN202111171965.3有效
发明人： 潘世烈;李子健;张方方 -专利权人：中国科学院新疆理化技术研究所
申请日： 2021-10-06 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C30B9/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种系列碱金属硼硫酸盐化合物和碱金属硼硫酸盐非线性光学晶体及制备方法和用途，该系列化合物的分子通式为M2B4SO10，M=NH4,K,Rb,Cs，分子量分别为271.38，313.50，406.24和501.12；该系列晶体的分子通式为M2B4SO10，M=NH4,K,Rb,Cs，别为(NH4)2B4SO10，K2B4SO10，Rb2B4SO10或Cs2B4SO10,分子量分别为271.38，313.50，406.24和501.12，该系列晶体均属单斜晶系，空间群为C2，采用化学气相沉积法制备、密封熔盐法或坩埚下降法制备。通过该方法获得尺寸为厘米级的M2B4SO10，M=NH4,K,Rb,Cs非线性光学晶体，在Nd:YAG激光器所输出的1064 nm的基频光进行2倍频或3倍频或4倍频的谐波光输出或产生低于266nm的紫外倍频光输出的用途或制备倍频发生器、上或下频率转换器或光参量振荡器中的用途。
系列碱金属硫酸盐化合物非线性光学晶体制备方法用途

[发明专利]五水合五羟基十三硼酸钡和五水合五羟基十三硼酸钡非线性光学晶体及制备方法和用途-CN202111343284.0有效
发明人： 潘世烈;韩健;刘开通 -专利权人：中国科学院新疆理化技术研究所
申请日： 2021-11-13 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C30B29/10 文献下载
摘要：本发明提供一种五水合五羟基十三硼酸钡和五水合五羟基十三硼酸钡非线性光学晶体及制备方法和用途，所述该化合物的化学式为Ba2B13O19(OH)5·5H2O，分子量为894.33，采用水热法制成；该晶体的化学式为Ba2B13O19(OH)5·5H2O，分子量为894.33，属于三斜晶系，空间群为P1，晶胞参数为a=7.5929(4)Å，b=8.0892(4)Å，c=10.0221(5)Å，α=89.943(2)°，β=72.402(2)°，γ=81.196(2)°，单胞体积为579.17(5)Å3，晶体的倍频效应约为KH2PO4(KDP)的1.0倍，紫外截止边约为200 nm，采用水热法或室温溶液法生长晶体，该晶体的化学稳定性好，可作为紫外非线性光学晶体在全固态激光器中获得应用。
水合羟基十三硼酸非线性光学晶体制备方法用途

[发明专利]化合物九羟基三氯七硼酸三铷和九羟基三氯七硼酸三铷双折射晶体及制备方法和用途-CN202210472661.9有效
发明人： 潘世烈;焦佳豪;张敏 -专利权人：中国科学院新疆理化技术研究所
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种化合物九羟基三氯七硼酸三铷和九羟基三氯七硼酸三铷双折射晶体及制备方法和应用，该化合物的分子式为Rb3[B(OH)3][B3O3(OH)3]2Cl3，分子量为687.50，采用温和的溶剂蒸发法制成。该晶体化学式为Rb3[B(OH)3][B3O3(OH)3]2Cl3，分子量为687.50，属于六方晶系，空间群是P63/m，晶胞参数a=13.7234(9)Å，b=13.7234(9)Å，c=6.5167(5)Å，V=1062.87(16)Å3，Z=2，采用室温溶液法或水热法生长晶体，该晶体紫外透过截止边为180 nm，双折射率约为0.120（532 nm）。本发明所述的九羟基三氯七硼酸三铷双折射晶体机械硬度适中，易于生长、切割、抛光加工和保存；具有较大的双折射率；在光学和通讯领域有重要应用，可用于制作偏振分束棱镜，相位延迟器件和电光调制器件等。
化合物羟基三氯七硼酸双折射晶体制备方法用途

[发明专利]化合物氟硼酸钠和氟硼酸钠非线性光学晶体及制备方法和用途-CN202310303182.9在审
发明人： 潘世烈;杨志华;张杰 -专利权人：中国科学院新疆理化技术研究所
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C30B29/10 文献下载
摘要：本发明提供一种化合物氟硼酸钠和氟硼酸钠非线性光学晶体及制备方法和用途，该化合物的化学式为NaB4O6F，分子量为181.23，采用固相合成法或真空封装法制成；该晶体的化学式为NaB4O6F，分子量为181.23，属于正交晶系，空间群为Pna21，晶胞参数为a=9.1611Å，b=11.3922Å，c=6.5892Å，α=90°，β=90°，γ=90°，单胞体积为687.679Å3，该结构的倍频效应约为2.64倍的KH2PO4(KDP)，紫外截止边为178 nm，采用真空封装法，熔体法，水热法，高温熔液法或室温溶液法生长晶体，该结构具有优异性能，可作为紫外、深紫外非线性光学晶体在全固态激光器中获得应用。
化合物硼酸非线性光学晶体制备方法用途

[发明专利]化合物氟硼酸铅和氟硼酸铅非线性光学晶体及制备方法和用途-CN201911278125.X有效
发明人： 潘世烈;韩树娟;于浩海 -专利权人：中国科学院新疆理化技术研究所
申请日： 2019-12-12 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： C01B35/18 文献下载
摘要：本发明提供一种化合物氟硼酸铅和氟硼酸铅非线性光学晶体及制备方法和用途，所述化合物的化学式为PbB5O7F3，分子量为430.24，采用固相合成法或真空封装法制成；该晶体的化合物的化学式为PbB5O7F3，分子量为430.24，属于正交晶系，空间群为Cmc21，晶胞参数为a=10.025(10)Å，b=8.764(9)Å，c=8.073(8)Å，单胞体积为709.3(13)Å3，晶体的倍频效应约为KH2PO4(KDP)的6倍，紫外截止边低于225nm，采用熔体法，高温熔液法，真空封装法，水热法或室温溶液法生长晶体，该晶体的化学稳定性好，可作为短波长非线性光学晶体在全固态激光器中获得应用。
化合物硼酸非线性光学晶体制备方法用途

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