专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种高效率MEMS高温薄膜热电偶传感器的制造方法-CN202111216093.8有效
  • 薛美霞;滕蛟;吴宇 - 北京科技大学
  • 2021-10-19 - 2022-09-23 - G01K7/02
  • 本发明提供了一种高效率MEMS高温薄膜热电偶传感器的制造方法,涉及MEMS制造领域与传感器领域。包括:基片选择、绝缘层/过渡层材料选择与生长工艺、热偶层特定材料的厚度确定与沉积工艺、保护层材料选择与生长工艺。本发明针对高温恶劣环境,设计了传感器的耐高温膜层材料及结构,优化了薄膜溅射、剥离、退火等制备工艺,采用磁控溅射沉积、化学气相沉积技术,与MEMS工艺线相互兼容,解决了钨铼合金湿法图形化腐蚀的难题,攻克了大尺寸厚金属膜制备的应力问题,实现了可在1000℃下使用的微型化高温薄膜热电偶传感器的批量生产,制造良品率100%。
  • 一种高效率mems高温薄膜热电偶传感器制造方法
  • [发明专利]一种磁性本征拓扑绝缘体MnBi2Te4薄膜的制备方法-CN202110642910.X有效
  • 黄意雅;郭奇勋;滕蛟;徐秀兰;张辉;于广华 - 季华实验室
  • 2021-06-09 - 2022-09-20 - C23C14/35
  • 本发明提供了一种磁性本征拓扑绝缘体MnBi2Te4薄膜的制备方法,属于发光材料制备及应用技术领域,包括如下步骤:S1.清洁并干燥基片后,将其置于磁控溅射镀膜仪的真空腔内;S2.室温下,利用磁控多靶共溅射法,将Mn源、Bi源和Te源共溅射在所述基片上制备非晶态的薄膜;S3.共溅射结束后,原位溅射生长一层Al膜作为保护层;S4.将所述非晶态的薄膜移入真空退火炉中,退火保温一段时间后制得。本发明的磁性本征拓扑绝缘体MnBi2Te4薄膜的制备方法,仅需在目标温度下进行一轮退火便可得到,工艺简单,可操作性更强;能够最大限度地节约时间成本,使效率最大化,适用于大批量生产;无需进行任何人工转移操作可避免污染、损坏;降低了设备成本,有利于工业化生产。
  • 一种磁性拓扑绝缘体mnbi2te4薄膜制备方法
  • [发明专利]一种钴基多层膜及其制备方法-CN202110205965.4有效
  • 徐秀兰;于广华;冯春;滕蛟;黄意雅 - 季华实验室
  • 2021-02-24 - 2022-04-08 - C23C14/35
  • 本发明提供了一种钴基多层膜及其制备方法,该钴基多层膜包括:基底以及依次位于基底一侧面的第一覆盖层、氮掺杂钨层、Co基软磁层以及第二覆盖层。本发明还提供了该钴基多层膜的制备方法,其通过选择氮原子作为与铁磁金属产生轨道杂化对象,诱发其界面结构的改变,无需后续的真空退火处理,通过界面处的Co‑N轨道杂化工程来调节铁磁金属界面处的轨道结构,得到有益的、适度的Co‑N轨道杂化状态,使得界面处呈现不同程度的处轨道杂化状态,增加了调节的范围和可控性,从而引起Co基多层膜磁性能的改变。
  • 一种基多及其制备方法
  • [实用新型]一种阳极自动测高及更换装置-CN202121546610.3有效
  • 江勇;徐秀兰;于广华;冯春;滕蛟;李明华 - 广东麦格智芯精密仪器有限公司
  • 2021-07-06 - 2022-03-11 - C25C3/06
  • 本实用新型公开了一种阳极自动测高及更换装置,包括天车的基座和安装在天车基座上的机械臂;在机械臂上设置有拉绳,在机械臂的底端安装有得以夹持阳极的夹具,在夹具上安装有检测传感器,在机械臂上靠近基座的一端装有连接拉绳的机械臂拉绳编码器,机械臂拉绳编码器得以测量阳极的高度;在基座上安装有升降杆,在升降杆上设置有拉绳,在升降杆的底端安装有机器视觉测距装置,机器视觉测距装置得以测量阳极的位置,在升降杆上靠近基座的一端装有连接拉绳的升降杆拉绳编码器,升降杆拉绳编码器得以测量机器视觉测距装置的高度。实现自动对新旧阳极底掌平面的自动测量、定位及更换;消除了在更换阳极过程中产生的随机误差,保证了更换阳极质量。
  • 一种阳极自动测高更换装置
  • [实用新型]一种纳米薄膜制备及化学状态测试系统-CN202121325962.6有效
  • 于泠然;徐秀兰;于广华;冯春;滕蛟;李明华;王学敏 - 广东麦格智芯精密仪器有限公司
  • 2021-06-15 - 2021-12-24 - G01N23/2273
  • 本实用新型公开了一种纳米薄膜制备及化学状态测试系统,系统包括制备室以及与制备室连接的分析室,制备室和分析室均为真空,且制备室的真空度小于分析室的真空度;制备室内具有氩离子枪和制备平台;分析室内具有X射线光电子能谱分析仪,X射线光电子能谱分析仪用于对制备室制备得到的薄膜材料的表面原子进行化学状态测试;系统还包括设置在制备室和分析室内的样品输送装置,样品输送装置用于将制备室制备得到的薄膜材料输送至分析室内。本方案中制备的薄膜材料不会经历空气的曝光,不需要用Ar离子枪把薄膜材料表面的氧化层蚀刻掉,从而避免薄膜材料中电子结合能的变化,因此可以提高薄膜材料的表面原子的化学状态的测试的准确度。
  • 一种纳米薄膜制备化学状态测试系统
  • [发明专利]阻变存储器的存储状态的调控方法-CN201710264856.3有效
  • 龙世兵;李磊磊;滕蛟;刘琦;吕杭炳;刘明 - 中国科学院微电子研究所
  • 2017-04-20 - 2019-07-16 - H01L45/00
  • 本申请提供了一种阻变存储器的存储状态的调控方法。阻变存储器包括两个电极层与两个电极层之间的绝缘层,两个电极层分别是第一电极层与第二电极层,至少一个电极层为铁磁电极层,存储状态的调控方法包括:步骤S1,向两个电极层之间施加第一电压,使得至少一个铁磁电极层的电势高于另一个电极层的电势,使得绝缘层中形成磁通道;步骤S2,向两个电极层之间施加第二电压,使得一个铁磁电极层中的铁磁材料发生相变。该调控方法不涉及到导电细丝的断裂过程,缓解了电阻转变的波动性,使得RRAM形成的RRAM阵列得到更广泛地应用,该调控方法操作简单,能降低存储器外围电路设计成本低,有利于其大规模集成和实际应用。
  • 存储器存储状态调控方法
  • [发明专利]纳米线的构筑方法及数据存储方法-CN201710261469.4在审
  • 龙世兵;李磊磊;滕蛟;刘琦;吕杭炳;刘明 - 中国科学院微电子研究所
  • 2017-04-20 - 2017-08-18 - H01L43/08
  • 本发明提供了一种纳米线的构筑方法及数据存储方法。该纳米线的构筑方法包括以下步骤S1,在衬底上顺序层叠设置下电极层、绝缘层和上电极层,且上电极层或下电极层为铁磁电极层;S2,向铁磁电极层上施加正扫描电压,使下电极层与上电极层之间具有正电势差,形成纳米线。相比于现有技术中纳米线的构筑方法,本发明的上述构筑方法大大简化了制备工艺,降低了制备成本,提高了工艺稳定性与制备效率,进而能够被广泛推广和应用;并且,将上述纳米线的构筑方法应用于M/I/M的存储器结构中后,能够同时实现阻变存储效应和自旋相关效应,从而在简单的结构中实现了多态操作以及多值存储,通过磁电耦合效应为多级存储器件提供了载体。
  • 纳米构筑方法数据存储

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