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[发明专利]一种Ru插层调节的超高各向异性磁电阻薄膜及其制备方法-CN202210009801.9有效
发明人：冯春;祝荣贵;时晨晨;于广华 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2022-01-05 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：一种Ru插层调节的超高各向异性磁电阻薄膜及其制备方法，属于磁性薄膜和磁传感技术领域。薄膜材料为Ta/Ru/NiO/NiFe/NiO/Ru/Ta结构，利用强吸氧性Ru插层调节NiFe层中Fe 3d轨道的空穴分布，增加NiFe层中s电子向d态空穴的跃迁几率，使得薄膜的各向异性磁电阻比率显著增加。制备方法是：在经过超声清洗和表面氩离子轰击处理的硅Si基片上，沉积钽Ta/钌Ru/氧化镍NiO/坡莫合金NiFe/氧化镍NiO/钌Ru/钽Ta多层膜结构。沉积后进行真空磁场热处理，获得具有高各向异性磁电阻的薄膜。本发明通过调控轨道自由度来提高各向异性磁电阻，制备的NiFe薄膜具有更高的各向异性磁电阻比率，且具有低的饱和场和较小的磁滞，能够更好地满足磁电阻传感器的应用需求。
一种 ru 调节超高各向异性磁电薄膜及其制备方法

[发明专利]超低1/f噪声的各向异性磁电阻传感器及其制备方法-CN202210541609.4有效
发明人：冯春;祝荣贵;徐秀兰;郭奇勋;于广华 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-05-19 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供了超低1/f噪声的各向异性磁电阻传感器及其制备方法，属于磁传感技术领域，所述传感器的薄膜材料为多层复合结构，从下至上依次包括Ta缓冲层、MgO层、NiFe层、MgO层和Ta保护层，所述多层复合结构以云母片作为基底采用磁控溅射法制备得到，其中，所述Ta缓冲层直接磁控溅射于云母片基底上；云母片基底为可弯曲的柔性基底，通过控制云母片基底的曲率半径从而控制施加在所述多层复合结构上的压应力，进而降低所述传感器的1/f噪声。本发明采用柔性云母片作为基底，制备出了具有超低1/f噪声的AMR磁传感器，能够满足市场对高性能AMR传感器的应用需求。
噪声各向异性磁电传感器及其制备方法

[发明专利]一种调控铁磁多层膜DM相互作用的方法-CN202110254760.5有效
发明人：冯春;赵永康;孟飞;祝荣贵;于广华 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2021-03-09 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：一种调控铁磁多层膜相互作用的方法，属于高密度信息存储及传感技术领域。在经过表面酸化处理和超声清洗的Si基片上，沉积铂Pt/钴Co/钽Ta多层膜。沉积完毕后，对薄膜进行砷As离子注入，通过As离子调节与界面处的电子轨道占据以影响多层膜的自旋轨道耦合强度，从而调控铁磁多层膜的DM相互作用。本发明通过As离子注入的方法直接调节多层膜界面的轨道占据，从而改变自旋‑轨道耦合作用，最终调控多层膜界面的DM相互作用，该方法不依赖于特殊材料体系，具有普适性；并且，该方法可以通过改变注入离子源、注入能量以及注入密度等参数实现DM相互作用不同程度的调控，工艺简单，成本低且可控性强，能够应用于未来自旋电子学技术中。
一种调控多层 dm 相互作用方法

[发明专利]一种超高各向异性磁电阻薄膜材料及其制备方法-CN201911073937.0有效
发明人：于泠然;祝荣贵;于广华;滕蛟 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2019-11-06 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供一种超高各向异性磁电阻薄膜材料及其制备方法，属于磁性薄膜材料的技术领域。所述超高各向异性磁电阻薄膜材料为Ta/M/MgO/NiFe/MgO/M/Ta结构，其中的M为Hf或Pt。所述制备方法是通过磁控溅射在磁控溅射仪的玻璃基片上依次沉积并经过真空磁场热处理，从而制备得到超高各向异性磁电阻薄膜材料。本发明由于Ta/M双层膜对MgO的化学状态调控相比于单一Ta层对MgO的结构调控要好，因此新提出的结构界面自旋电子散射效果更好，磁电阻值更大，能满足高磁电阻需求。
一种超高各向异性磁电薄膜材料及其制备方法