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[发明专利]一种基于银和氧化石墨烯的CRS阻变存储器及其制备方法-CN202110328498.4有效
发明人：王璐;左泽;杨天宇;温殿忠 -专利权人：黑龙江大学
申请日： 2021-03-26 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种CRS阻变存储器及其制备方法，所述阻变存储器包括衬底(1)和设置在其上方的阻变单元，所述阻变单元包括由下至上依次设置的底电极(2)、中间层和顶电极(3)，所述阻变单元具有一个或多个。本发明提供的CRS阻变存储器，采用氧化石墨烯和银纳米粒子构成中间层，与顶电极和底电极构成一个或多个阻变单元，表现出CRS特性，有效解决了Crossbar阵列中未被选择单元的潜通路电流问题。本发明提供的CRS阻变存储器的制备方法，操作简单，成本低廉，易于实现阻变存储器单元的小型化和集成化，适合规模化工业应用。
一种基于氧化石墨 crs 存储器及其制备方法

[发明专利]一种复合磁场传感器及其制作工艺-CN201710295965.1有效
发明人：赵晓锋;邓祁;艾春鹏;温殿忠 -专利权人：黑龙江大学
申请日： 2017-04-28 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： G01R33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种复合磁场传感器及其制作工艺，其中，所述复合磁场传感器包括磁敏三极管和复合在磁敏三极管上的遂穿磁敏电阻(TMR)；其中，所述磁敏三极管的集电区设置于发射区的上方，所述基区设置于发射区和集电区的一侧，且所述基区制作在硅腐蚀坑内，提高了基区载流子注入能力，进而提高磁敏三极管的磁敏特性；本发明所述制作工艺将微电子机械加工技术(MEMS)、双极型工艺和纳米薄膜制备技术相结合，得到所述复合磁场传感器。本发明所述复合磁场传感器将磁敏三极管与遂穿磁敏电阻进行有效结合，兼具磁敏三极管的较强磁场检测性能以及遂穿磁敏电阻的弱磁场检测性能，实现了对磁场的宽量程检测。
一种复合磁场传感器及其制作工艺

[发明专利]一种单片集成二维磁场传感器及其制作工艺-CN201710713847.8有效
发明人：赵晓锋;金晨晨;邓祁;温殿忠 -专利权人：黑龙江大学
申请日： 2017-08-18 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： G01R33/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种单片集成二维磁场传感器及其制作工艺，所述传感器包括第一硅片(1)和第二硅片(2)，在第一硅片(1)上设置有用于检测二维磁场的四个硅磁敏三极管，其中两个硅磁敏三极管在xy平面内沿y轴、相反磁敏感方向对称设置，用于x轴方向磁场分量的检测，另两个硅磁敏三极管在xy平面内沿x轴、相反磁敏感方向对称设置，用于y轴方向磁场分量的检测；并且，在第一硅片上、每个硅磁敏三极管周围制作有隔离环(11)。所述制作工艺结合微电子机械加工技术和双极型工艺，实现了所述单片集成化传感器芯片的工艺制作。本发明所述单片集成二维磁场传感器结构简单，实现了二维磁场的检测，芯片实现了小型化和单片集成化。
一种单片集成二维磁场传感器及其制作工艺

[实用新型]一种平面化电极结构的立体硅磁敏三极管-CN202220397663.1有效
发明人：赵晓锋;车昊阳;于志鹏;温殿忠 -专利权人：黑龙江大学
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H10N50/80 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种平面化电极结构的立体硅磁敏三极管及其制作工艺方法，该结构包括SOI器件硅层内引线、SiO2介质隔离环和磁敏感区等，通过器件硅层内引线将发射极E从器件硅层的下表面引至器件硅层的上表面，使基极B、集电极C和发射极E均位于器件硅层的上表面，同时通过SiO2介质隔离环进行内引线区和磁敏感区的隔离，抑制内引线区杂质横向扩散对磁敏感区的影响。通过采用SOI工艺和CMOS工艺相结合，实现了立体硅磁敏感三极管的三个电极(E、B和C)平面化，突破了该器件发射区内引线制作工艺难点，为器件的集成化、小型化和批量化生产奠定基础，同时进一步提高了立体结构磁敏三极管在磁场测量中的准确度。
一种平面化电极结构立体硅磁敏三极管

[发明专利]一种生物阻变存储器及其制备方法-CN202110326972.X有效
发明人：王璐;王宇亭;朱竑宇;温殿忠 -专利权人：黑龙江大学
申请日： 2021-03-26 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种生物阻变存储器及其制备方法，所述生物阻变存储器包括介质层，所述介质层由生物材料和纳米材料复合而成，其通过旋涂的方式制作在顶电极和底电极之间。本发明所述生物阻变存储器，生物材料易获取、无需化学提取和纯化、成本低、可被人体吸收、对环境无害、可生物降解，生物材料与纳米材料复合制备的介质层，能够显著提升阻变存储器的阻变性能。本发明提供的生物阻变存储器的制备方法，步骤简单易操作，可塑性强，成本低廉，工作电压低，适用范围广泛，制备的生物阻变存储器具有较长的保持时间和良好的耐久性，能够有效地实现对器件开关比的调控。
一种生物存储器及其制备方法

[发明专利]一种阈值型阻变存储器及其制备方法-CN202110806053.2在审
发明人：王璐;左泽;温殿忠 -专利权人：黑龙江大学
申请日： 2021-07-16 - 公布日： 2023-02-07 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种阈值型阻变存储器及其制备方法，所述阻变存储器包括衬底1及以阵列形式设置在其上方的阻变存储器单元，所述阻变存储器单元包括由下至上依次设置的底电极2、第二阻变层3、中间电极层4、第一阻变层5和顶电极6。本发明提供的阈值型阻变存储器，采用鸡蛋蛋白和银作为阻变层和中间电极层，与顶电极和底电极构成一个或多个阻变存储器单元。该器件表现出典型的阈值特性，可重复性较好，使用寿命较长，且功耗较低，可以作为选择器与其它阻变存储器串联，构成1S 1R单元从而抑制Crossbar(交叉开关矩阵)结构中的漏电流效应。本发明提供的阈值型阻变存储器的制备方法，操作简单，成本低廉，具有较好的应用前景。
一种阈值型阻变存储器及其制备方法

[发明专利]高性能叶轮机械叶片全三维造型方法、装置及电子设备-CN202210053290.0有效
发明人：包幼林;温殿忠;邹学奇;林海;杨华斌;张鹏 -专利权人：中国航发湖南动力机械研究所
申请日： 2022-01-18 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： G06F30/17 文献下载
摘要：本申请公开了一种高性能叶轮机械叶片全三维造型方法、装置及电子设备，所示方法包括步骤：S1、根据轴对称流场计算得到的沿子午流线气流角，以及根据经验给定的厚度分布规律在子午流线回转流面上进行初步造型；S2、通过叶片绕流计算方法计算出叶型吸力面和压力面的速度参数分布规律并与所述初步造型进行迭代，得到各回转流面上的最佳叶型型面；S3、引入微分方程中的康斯曲面法对各叶型型面进行拼接、全曲率检查和曲面光顺，保证型面光滑，最终得到一个高效压气机叶片叶型。本申请提出的叶轮机械叶片全三维造型方法能够精确运用轴对称流场所得气流角，适用于不同叶片负荷水平和不同流道形状的叶轮机械叶片。
性能叶轮机械叶片三维造型方法装置电子设备

[发明专利]一种响应温度刺激的阻变存储器的制备方法-CN201910954291.0有效
发明人：孙艳梅;温殿忠 -专利权人：黑龙江大学
申请日： 2019-10-09 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种响应温度刺激的阻变存储器的制备方法，属于电子技术以及存储器器件技术领域。本发明为了解决现有阻变存储器无法实现外界温度刺激的响应的问题。本发明将果胶水溶液滴涂在聚对苯二甲酸乙二醇酯衬底上真空蒸镀的铝薄膜上，铝作为上电极，获得响应温度的阻变存储器。本发明制得的阻变存储器在外界温度的刺激下可实现阻变存储器三稳态到双稳态转换的特性响应，拓展了调控阻变存储器特性的手段，为实现阻变存储器的温控特性调制提供了可能，进而可以更好的应用于智能存储等新兴领域。并且本方法制备的阻变存储器的功能层所用原料为果胶，相比于使用重金属粒子掺杂得到功能层，对环境更加友好，且该阻变存储器的开关比高、性能稳定。
一种响应温度刺激存储器制备方法

[发明专利]一种基于大豆蛋白的阻变存储器及其制备方法和应用-CN201910955015.6有效
发明人：孙艳梅;温殿忠 -专利权人：黑龙江大学
申请日： 2019-10-09 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种基于大豆蛋白的阻变存储器及其制备方法和应用，属于电子技术以及存储器器件技术领域。本发明为了解决现有阻变存储器无法实现存算一体逻辑门的构建问题。本发明将大豆蛋白薄膜作为阻变存储器的活性层，溅射有氧化铟锡薄膜的聚对苯二甲酸乙二醇酯作为衬底，镁作为上电极，获得大豆蛋白阻变存储器。本发明制得的阻变存储器的阻变特性是初始态就处于高导态，当外加电压不断增大，到达一定值后，电流发生两次突然地降低，表现出负阻效应，且阻态的跃变发生了两次，这种阻变特性为逻辑门的构建提供基础。该阻变存储器不仅能够存储数据，还能够处理数据。与传统的的冯诺依曼体系相比，本发明不仅可以作为信息存储的单元，还可以作为逻辑门处理数据。
一种基于大豆蛋白存储器及其制备方法应用

[实用新型]一种脉搏传感器-CN202122717940.0有效
发明人：赵晓锋;袁安怡;艾春鹏;赵小寒;温殿忠 -专利权人：黑龙江大学
申请日： 2021-11-08 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： A61B5/02 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种脉搏传感器，所述脉搏传感器包括力测量结构和抗过载结构，力测量结构安装在抗过载结构上方，力测量结构和抗过载结构均包括力敏感单元，力测量结构还包括柔性覆盖膜，力敏感单元包括弹性衬底、压电结构等组成。在脉搏力作用下，通过柔性覆盖膜将力传导至弹性衬底上，使其发生弹性形变，进而使压电结构产生相应输出电荷，实现脉搏力大小的测量。本实用新型采用双层力敏感单元堆叠的方式，在所测力过大时，抗过载结构对力测量结构进行支撑保护及过载报警。本实用新型所述的压电式脉搏传感器可实现人体腕部脉搏的多点独立测量，具有无源、动态响应性好、准确性高等特点，同时，其制作工艺简单，可批量生产。
一种脉搏传感器

[发明专利]一种角度传感器及其制作工艺-CN202110502063.7在审
发明人：赵晓锋;李航;艾春鹏;温殿忠 -专利权人：黑龙江大学
申请日： 2021-05-08 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： G01B7/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种角度传感器及其制作工艺，所述角度传感器包括嵌套设置的转子(1)和定子底座(2)，在所述转子(1)的上表面设置有传感器防护板(3)，在所述定子底座(2)的中心设置有磁敏感单元，所述转子(1)以磁敏感单元为中心绕定子底座，实现360°的转动。所述第一磁敏感单元以多层膜巨磁电阻作为主要磁敏感元件，第二磁敏感单元为霍尔元件。本发明公开的角度传感器制作工艺，通过微电子工艺和磁控溅射方法相结合，并结合3D打印技术实现了传感器的封装，操作简单，可实现传感器的小型化，易于批量生产，在汽车转向系统、风速测量、流速测量等方面皆有良好的应用前景。
一种角度传感器及其制作工艺

[发明专利]一种全介质隔离硅磁敏三极管制作工艺-CN202110402723.4在审
发明人：赵晓锋;李苏苏;于志鹏;温殿忠 -专利权人：黑龙江大学
申请日： 2021-04-14 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种全介质隔离硅磁敏三极管及其制作工艺，所述全介质隔离硅磁敏三极管包括SOI硅磁敏三极管和介质隔离环，所述SOI硅磁敏三极管包括器件硅(1)、衬底硅(2)和埋层二氧化硅(3)，在器件硅(1)上设置有硅磁敏三极管，介质隔离环与埋层二氧化硅(3)形成全介质隔离结构。本发明公开的全介质隔离硅磁敏三极管被介质层包裹，有效实现元器件间隔离，同时限定了载流子在磁场作用下的偏转程度，改善了硅磁敏三极管的磁灵敏度和温度特性。此外，本发明还公开了融合微机电系统技术和SOI工艺制备得到的硅磁敏三极管，实现了小型化和集成化，为高性能硅磁敏三极管的批量生产奠定了基础。
一种介质隔离硅磁敏三极管制作工艺

[发明专利]一种平面化电极结构的立体硅磁敏三极管及制作工艺方法-CN202210182692.0在审
发明人：赵晓锋;车昊阳;于志鹏;温殿忠 -专利权人：黑龙江大学
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种平面化电极结构的立体硅磁敏三极管及其制作工艺方法，该结构包括SOI器件硅层内引线、SiO2介质隔离环和磁敏感区等，通过器件硅层内引线将发射极E从器件硅层的下表面引至器件硅层的上表面，使基极B、集电极C和发射极E均位于器件硅层的上表面，同时通过SiO2介质隔离环进行内引线区和磁敏感区的隔离，抑制内引线区杂质横向扩散对磁敏感区的影响。通过采用SOI工艺和CMOS工艺相结合，实现了立体硅磁敏感三极管的三个电极(E、B和C)平面化，突破了该器件发射区内引线制作工艺难点，为器件的集成化、小型化和批量化生产奠定基础，同时进一步提高了立体结构磁敏三极管在磁场测量中的准确度。
一种平面化电极结构立体硅磁敏三极管制作工艺方法

[实用新型]一种空间磁场发生器装置-CN202122307277.7有效
发明人：赵晓锋;柳微微;钱程;于志鹏;温殿忠 -专利权人：黑龙江大学
申请日： 2021-09-23 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： G01R33/385 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种空间磁场发生器装置，该装置包括磁场发生器单元(1)、360°角度转盘单元(2)和待测芯片测试台(3)，所述磁场发生器单元(1)、360°角度转盘单元(2)和待测芯片测试台(3)均由控制单元控制，以实现对待测芯片施加空间磁场。本实用新型提供的空间磁场发生器装置结构简单，操作方便，能够在xy平面、xz平面、yz平面和任意平面内对待测芯片进行固定磁场加载。通过控制单元可实现磁场发生器单元产生的磁场大小和旋转平台旋转角度自动化控制，精度高、误差小。
一种空间磁场发生器装置

[发明专利]一种脉搏传感器及其集成化工艺方法-CN202111314381.7在审
发明人：赵晓锋;袁安怡;艾春鹏;赵小寒;温殿忠 -专利权人：黑龙江大学
申请日： 2021-11-08 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： A61B5/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种压电式脉搏传感器及其集成化工艺方法，所述压电式脉搏传感器包括力测量结构和抗过载结构，力测量结构安装在抗过载结构上方，力测量结构和抗过载结构均包括力敏感单元，力测量结构还包括柔性覆盖膜，力敏感单元包括弹性衬底、压电结构等组成。在脉搏力作用下，通过柔性覆盖膜将力传导至弹性衬底上，使其发生弹性形变，进而使压电结构产生相应输出电荷，实现脉搏力大小的测量。本发明采用双层力敏感单元堆叠的方式，在所测力过大时，抗过载结构对力测量结构进行支撑保护及过载报警。本发明所述的压电式脉搏传感器可实现人体腕部脉搏的多点独立测量，具有无源、动态响应性好、准确性高等特点，同时，其制作工艺简单，可批量生产。
一种脉搏传感器及其集成化工艺方法

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