“深谷创一”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果22个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]光掩模坯料的设计和光掩模坯料-CN202010110602.8有效
发明人：笹本纮平;金子英雄;稻月判臣;深谷创一 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2015-07-30 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G03F1/62 文献下载
摘要：提供设计包含透明基材和其上的光学膜的光掩模坯料的方法。所述光掩模坯料被加工成具有光学膜图案的透射性光掩模使得在通过光掩模透射曝光光时可转印该膜图案。使用比反射率作为指标来选择该光学膜，该比反射率等于反射率除以膜厚度。
光掩模坯料设计

[发明专利]半色调相移光掩模坯料-CN201810188719.0有效
发明人：稻月判臣;深谷创一 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2018-03-08 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： G03F1/32 文献下载
摘要：本发明涉及半色调相移光掩模坯料，该半色调相移光掩模坯料具有在透明衬底上的用作半色调相移膜的第一膜、用作遮光膜的第二膜、用作硬掩模膜的第三膜、和第四膜。第一膜和第三膜由含硅材料形成，该含硅材料耐氯基干法刻蚀并通过氟基干法刻蚀可除去。第二膜和第四膜由无硅的含铬材料形成，该含铬材料耐氟基干法刻蚀并通过氯基干法刻蚀可除去。
色调相移光掩模坯料

[发明专利]光掩模坯料的设计和光掩模坯料-CN201510458035.4有效
发明人：笹本纮平;金子英雄;稻月判臣;深谷创一 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2015-07-30 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： G03F1/62 文献下载
摘要：提供设计包含透明基材和其上的光学膜的光掩模坯料的方法。所述光掩模坯料被加工成具有光学膜图案的透射性光掩模使得在通过光掩模透射曝光光时可转印该膜图案。使用比反射率作为指标来选择该光学膜，该比反射率等于反射率除以膜厚度。
光掩模坯料设计

[发明专利]光掩模坯-CN202110229575.0在审
发明人： 深谷创一;稻月判臣 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2015-09-11 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： G03F1/20 文献下载
摘要：本发明涉及光掩模坯。本发明提供一种适于制备光掩模的光掩模坯的制造方法，所述光掩膜用于20nm以下结点的光刻法，该光掩模坯包括石英基板和在该石英基板上形成的铬系材料膜，该铬系材料膜为遮光膜并具有对应于50nm以下的翘曲量的拉伸应力或压缩应力，其中该制造方法包括如下步骤：通过使用铬靶和惰性气体与反应气体作为溅射气体在所述反应气体与所述惰性气体的流量比为1～2的条件下进行溅射，从而在具有152mm见方尺寸和6.35mm厚度的石英基板上形成具有至少0.050/nm的在波长193nm下的每单位膜厚度的光学密度的铬系材料膜。
光掩模坯

[发明专利]光掩模坯和制备光掩模的方法-CN201610597860.7有效
发明人：笹本纮平;深谷创一;稻月判臣 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2016-07-27 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： G03F1/50 文献下载
摘要：本发明涉及光掩模坯和制备光掩模的方法。在包括透明基材、电阻层和导电层的光掩模坯中，选择该导电层的电阻率和厚度与该电阻层的电阻率和厚度以满足特定的式(1)。在EB光刻中，能够以必要的充分低的电阻值建立接地并且能够以高精度进行EB写入。
光掩模坯制备光掩模方法

[发明专利]光掩模坯、制备方法和光掩模-CN201610824947.3有效
发明人： 深谷创一;五十岚慎一;吉井崇 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2016-09-14 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： G03F1/50 文献下载
摘要：光掩模坯、制备方法和光掩模。光掩模坯，其包括透明衬底(1)、蚀刻阻止膜(2)、遮光膜(3)和蚀刻掩模膜(4)，在衬底侧上具有相对于曝光光的最多35％的反射率。所述蚀刻阻止膜(2)由邻近所述衬底设置并充当减反射层的第一层(21)和充当耐氟系干蚀刻层的第二层(22)组成，所述第一和第二层的一层为具有压缩应力的层且另一层为具有拉伸应力的层。
光掩模坯制备方法光掩模

[发明专利]无机材料膜、光掩模坯料及光掩模的制造方法-CN201610509880.4有效
发明人： 深谷创一;笹本纮平;中川秀夫 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2016-07-01 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： G03F1/32 文献下载
摘要：本发明涉及无机材料膜、光掩模坯料及光掩模的制造方法。能够确保与以往的铬系材料膜同等的特性并且能够提高干蚀刻速度。如果是以0.1原子％以上且11.5原子％以下的浓度范围含有锡的无机材料膜，则可以避免锡局部存在而形成粒子、该粒子成为光学膜中的缺陷的问题。本发明的无机材料膜为通过溅射成膜的包含铬系材料的光掩模坯料用的无机材料膜，该无机材料膜包含具有导电性的遮光层，该遮光层含有0.1原子％以上且11.5原子％以下的锡和15原子％以下的氧。另外，氧浓度的下限例如为3原子％。另外，无机材料膜具有导电性，但利用电阻率进行评价时，优选为5000Ω/cm2以下。
无机材料光掩模坯料制造方法

[发明专利]光掩模坯料-CN201410738666.7有效
发明人：笹本纮平;稻月判臣;深谷创一;中川秀夫;金子英雄 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2014-12-05 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： G03F1/54 文献下载
摘要：本发明提供了光掩模坯料，具体地提供了包含透明衬底和在透明衬底上沉积的含铬膜的光掩模坯料。该含铬膜包含至少一个CrC化合物层，其包含最高至50原子％Cr、至少25原子％O和/或N之和、和至少5原子％C。由该坯料制备具有在衬底上形成的光掩模图案的光掩模，该光掩模用于使用具有最高至250nm波长的曝光光形成具有最高至0.1μm线宽的抗蚀剂图案的光刻法。
光掩模坯料

[发明专利]光掩模坯料的制造方法及光掩模坯料-CN201410314410.3有效
发明人： 深谷创一;稻月判臣 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2014-07-03 - 公布日： 2019-10-08 - 主分类号： G03F1/32 文献下载
摘要：本发明提供一种光掩模坯料的制造方法及光掩模坯料，提高构成光掩模坯料的光学膜的特性的面内均一性。在腔室(50)内将在主面形成有光学膜(20)的石英基板(10)载置于基座(30)上。在灯罩(90)内收纳有闪光灯(60)，闪光通过2个石英板(70a、70b)而向光学膜(20)照射。在2个石英板(70a、70b)中的石英板(70b)的表面形成有透射率调整区域(80)，向光学膜(20)照射的光量在面内具有分布。如果对光学膜(20)照射闪光，则该光学膜(20)的光学特性依赖于接受到的照射能量而变化，因此，例如在成膜后的光学膜的特性在面内具有不均一分布的情况下，如果向光学膜照射具有消除这些的照射能量分布的闪光，则可以提高光学膜的特性的面内均一性。
光掩模坯料制造方法

[发明专利]光掩模坯料及其制造方法、光掩模、图案转印方法及溅射装置-CN201310182559.6有效
发明人：吉川博树;深谷创一;稻月判臣;中川秀夫 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2013-05-16 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： G03F1/62 文献下载
摘要：本发明涉及光掩模坯料及其制造方法、光掩模、图案转印方法及溅射装置。本发明提供光学浓度等特性的偏差小且缺陷少品质高、并且具有高蚀刻速度的功能性膜的制造技术。本发明的光掩模坯料的制造方法中，在制造透明衬底上具备至少一层功能性膜的光掩模坯料时，功能性膜由含有铬元素和与铬的混合体系成为液相的温度为400℃以下的金属元素的铬系材料构成，在形成该功能性膜的工序中，使铬靶(靶A)和以至少一种所述金属元素作为主要成分的靶(靶B)同时溅射(共溅射：Co‑Sputtering)。另外，除了可以采用上述靶A和靶B各使用一个的方式以外，还可以采用其中任意一种靶使用多个的方式或两种靶都使用多个的方式。
光掩模坯料及其制造方法图案溅射装置

[发明专利]光掩模坯料-CN201810188726.0在审
发明人： 深谷创一;稻月判臣 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2018-03-08 - 公布日： 2018-09-25 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：本发明涉及光掩模坯料，该光掩模坯料具有在透明衬底上的任选第一膜、第二膜、第三膜和第四膜。第一膜和第三膜由含硅材料形成，该含硅材料耐氯基干法刻蚀并通过氟基干法刻蚀可除去。第二膜和第四膜由含铬材料形成，该含铬材料耐氟基干法刻蚀并通过氯基干法刻蚀可除去。在氯基干法刻蚀时，第四膜的刻蚀完成时间比第二膜的刻蚀完成时间长。
法刻光掩模坯料含铬材料含硅材料刻蚀时间比衬底透明

[发明专利]光掩模坯料及光掩模的制造方法-CN201310182144.9有效
发明人： 深谷创一;中川秀夫;笹本纮平 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2013-05-16 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： G03F1/38 文献下载
摘要：本发明涉及光掩模坯料及光掩模的制造方法。本发明在确保由铬系材料构成的膜的化学特性等各种特性的同时减轻对该铬系材料膜进行蚀刻时对光致抗蚀剂的负荷。在透明衬底(1)上形成有遮光膜(2)，在该遮光膜(2)上设置有硬掩模膜(3)。硬掩模膜(3)整体由含有锡的铬系材料构成。由含有锡的铬系材料构成的膜能够显著提高氯类干蚀刻时的蚀刻速度。并且，与由将铬的一部分置换成轻元素的铬系材料构成的膜相比，对氟类干蚀刻具有同等以上的蚀刻耐性。因此，对用于加工硬掩模膜的光致抗蚀剂的蚀刻负荷得到减轻，即使在使抗蚀剂膜减薄的情况下也能够进行高精度的图案转印。
光掩模坯料制造方法

[发明专利]光掩模坯-CN201510575349.2在审
发明人： 深谷创一;笹本纮平 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2015-09-11 - 公布日： 2016-03-23 - 主分类号： G03F1/50 文献下载
摘要：光掩模坯包括含有选自由氮、氧、碳和氢组成的组中的至少一种的铬系材料膜作为硬掩模膜，其中每单位膜厚度的蚀刻速率之比(A/B)在0.7-0.9的范围内，并且该铬系材料膜具有对应于70nm以下的翘曲量的拉伸应力或压缩应力。本发明提供具有耐蚀刻性提高并且膜应力降低的铬系材料的薄膜的光掩模坯。这使得能够进行铬系材料膜的高精度图案化。
光掩模坯

[发明专利]光掩模坯-CN201510575362.8在审
发明人： 深谷创一;稻月判臣 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2015-09-11 - 公布日： 2016-03-23 - 主分类号： G03F1/50 文献下载
摘要：光掩模坯包括铬系材料膜作为遮光膜，其中该铬系材料膜具有至少0.050/nm的波长193nm下的每单位厚度的光学密度，并且该铬系材料膜具有对应于50nm以下的翘曲量的拉伸应力或压缩应力。本发明提供具有铬系材料的薄膜的光掩模坯，该铬系材料的薄膜在保持高的每单位膜厚度的光学密度的同时膜应力降低。这使得能够进行铬系材料膜的高精度图案化。
光掩模坯

[发明专利]溅射沉积方法、溅射系统、光掩模坯料的制造及光掩模坯料-CN201410738665.2在审
发明人：笹本纮平;深谷创一;中川秀夫;稻月判臣 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2014-12-05 - 公布日： 2015-06-10 - 主分类号： C23C14/54 文献下载
摘要：本发明提供了溅射沉积方法、溅射系统、光掩模坯料的制造及光掩模坯料。通过以下方法在衬底上溅射沉积膜：向真空室(3)提供第一和第二靶材(1，2)，使得第一和第二靶材(1，2)的溅射表面(11，21)可面向衬底(5)并且彼此平行或倾斜布置，同时向第一和第二靶材(1，2)供应电能，并且在衬底上沉积溅射颗粒同时控制溅射条件，使得从一个靶材射出的溅射颗粒到达另一个靶材的溅射表面并且沉积在其上的速率不大于通过溅射从该另一个靶材移除该溅射颗粒的速率。
溅射沉积方法系统光掩模坯料制造

1
2
下一页»
尾页
共 22 条