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[发明专利]一种BCD半导体器件及其制造方法-CN201310213004.3有效
发明人：乔明;李燕妃;许琬;陈涛;张波 -专利权人： 深圳市联德合微电子有限公司
申请日： 2013-05-31 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种BCD半导体器件极其实现方法，包括高压nLIGBT器件（1）、第一类高压nLDMOS器件（2）、第二类高压nLDMOS器件（3）、第三类高压nLDMOS器件（4）、低压NMOS器件（5）、低压PMOS器件（6）和低压NPN器件（7）；所述在高压nLIGBT器件（1）和第一类高压nLDMOS（2）的n型漂移区阱（21、22）中分别引入n型重掺杂层（201、202）；p型降场层（301、302）分别位于n型重掺杂层（201、202）的下方、被n型漂移区阱（21、22）包围。实现了在相同芯片面积的情况下具有更小的导通电阻（或在相同的导通能力的情况下具有更小的芯片面积）。且其制造方法简单，工艺难度相对较低。
一种 bcd 半导体器件及其制造方法

[实用新型]一种红外滤光透镜热释电红外一体化传感器-CN201520019341.3有效
发明人：赵鑫;陈均权;雷小亮 -专利权人： 深圳市联德合微电子有限公司
申请日： 2015-01-12 - 公布日： 2015-05-27 - 主分类号： G01J5/10 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种红外滤光透镜热释电红外一体化传感器，包括红外滤光透镜、金属壳、塑环、光学敏感元件、JFET、双面PCB基板及其金属引脚，所述红外滤光透镜的镜体上设有菲涅尔纹理，并套紧在所述金属壳外面，所述塑环贴在所述金属壳里面，所述光学敏感元与JFET焊接在所述双面PCB基板顶面上，所述金属引脚连接在双面PCB基板底面上，所述金属壳与所述双面PCB基板卷边冲压结合成屏蔽层，所述红外滤光透镜与所述双面PCB基板封装连成一体。本实用新型提供一种红外滤光透镜热释电红外一体化传感器，该一体化传感器结构简单，透光率大，感应灵敏，并且大大降低了传感器的加工复杂度。
一种红外滤光透镜热释电一体化传感器

[实用新型]LDMOS及集成LDMOS器件-CN201120374940.9有效
发明人：乔明;毛焜;张波 -专利权人： 深圳市联德合微电子有限公司
申请日： 2011-09-28 - 公布日： 2012-06-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型公开了LDMOS及集成LDMOS器件。一种半导体器件，包括位于p型衬底10中的LDMOS 1、CMOS 2、NPN 3和埋沟电阻4。其中LDMOS 1包括n型漂移区20、p+阱接触区40、p型体区70、n+源区50、n+漏区60、栅介质层100、源极金属80、漏极金属90、场氧化层110、金属前介质120，所述n型漂移区20与所述p型体区70间无间隔，还包括至少一个p型降场层30A和至少一个p型掩埋阱30B，所述p型掩埋阱30B位于所述p型体区70下且与所述p型体区70接触，所述p型降场层30A位于所述场氧化层110下、被所述n型漂移区20包围且与所述场氧化层110间有间隔。本实用新型的LDMOS具有低导通电阻和高耐压、易于集成且整个半导体器件的制造工艺步骤简单、对设备要求不高。
ldmos 集成器件

[实用新型]LIGBT输出级集成电路-CN201120379483.2有效
发明人：乔明;赵磊;张波 -专利权人： 深圳市联德合微电子有限公司
申请日： 2011-09-28 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H03K19/094 文献下载
摘要：本实用新型涉及LIGBT输出级集成电路，其包括控制电路以及LDMOS输出级与LIGBT输出级，所述LDMOS输出级与LIGBT输出级的栅极与控制电路连接，其中在电位相同时，所述LDMOS输出级的源极与LIGBT输出级的阴极连接，所述LDMOS输出级的漏极与LIGBT输出级的阳极连接。由于LDMOS器件耐压与导通电阻之间的矛盾，使LDMOS作为集成电路输出级时，具有较大的导通电阻，增加了集成电路输出级的导通损耗。本实用新型采用具有电导调制效应的LIGBT输出级，降低输出级单位面积的导通电阻，提高输出级单位面积的电流能力，从而减小集成电路面积及节约芯片成本。
ligbt 输出集成电路

[实用新型]多通道LDMOS器件-CN201120374842.5有效
发明人：毛焜 -专利权人： 深圳市联德合微电子有限公司
申请日： 2011-09-28 - 公布日： 2012-04-25 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了多通道LDMOS器件。一种多通道LDMOS，包括位于衬底1中的源区5、漏区6、栅介质层10、场氧化层11、金属前介质12、漂移区2、衬底阱接触区4、衬底阱7、源极金属8和漏极金属9，所述衬底阱7与所述漂移区2间无间隔，所述漂移区2的导电类型与所述多通道LDMOS的沟道导电类型相同，所述衬底阱7的导电类型与所述多通道LDMOS的沟道导电类型相反，还包括埋层条阵列，所述埋层条阵列包括至少一排横向排布的多个第一埋层条3A，所述埋层条阵列位于所述场氧化层11下方、被所述漂移区2包围且距离所述场氧化层11一段距离，所述第一埋层条3A的导电类型与所述多通道LDMOS的沟道导电类型相反。本实用新型有效降低了LDMOS晶体管的导通电阻。
通道 ldmos 器件

[发明专利]一种手机摄像模组自动光学检测方法、装置及系统-CN201110294106.3无效
发明人：吴元;黄茜 -专利权人： 深圳市联德合微电子有限公司;华南理工大学
申请日： 2011-10-05 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H04N17/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种手机摄像模组自动光学检测方法、装置及系统，该方法包括以下步骤：a：将手机摄像模组与控制电脑连接，读入其拍摄的测试图片；b：根据测试图片，判断该手机摄像模组是否存在重度花屏，如果不存在，进入步骤c；否则，判断为不合格品；c：控制电脑发出白板置位的指令给控制电路，使白板置于拍摄位置，拍摄一张白板图像；d：读入白板图像后通过轻微花屏检测模块判断该手机摄像模组不存在轻微花屏，然后基于上述白板图像，通过脏污检测模块进行镜头脏污检测，如果不存在脏污，则为合格品。本发明可以对手机摄像模组可能出现的重度花屏、轻微花屏、脏污进行自动检测，且具有准确、可靠、检测效率高等优点。
一种手机摄像模组自动光学检测方法装置系统

[发明专利]一种手机摄像模组自动调焦方法、装置及系统-CN201110296383.8无效
发明人：黄茜;汤达浚 -专利权人： 深圳市联德合微电子有限公司;华南理工大学
申请日： 2011-10-05 - 公布日： 2012-03-07 - 主分类号： G03B13/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种手机摄像模组自动调焦方法、装置及系统，该方法包括以下步骤：a：初始化，设置观察框，并使摄像模组进入调焦工位，建立设备连接；b：计算观察框对应的调焦值；c：判断调焦电机正确的旋转方向；d：根据调焦电机正确的旋转方向，对摄像模组进行粗调焦及细调焦，以完成调焦。本发明可以对手机摄像模组进行自动调焦，且具有准确、可靠、效率高等优点。本发明采用图像信号处理技术，可以提高调焦效率，避免人工调焦时结果受到操作人员的主观意识影响，提高产品质量的稳定性，降低了操作人员的负担和企业的劳动力成本。
一种手机摄像模组自动调焦方法装置系统

[发明专利]一种多通道LDMOS及其制备方法-CN201110005812.1有效
发明人：毛焜 -专利权人： 深圳市联德合微电子有限公司
申请日： 2011-01-12 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种多通道LDMOS及其制备方法。一种多通道LDMOS，包括位于衬底1中的源区5、漏区6、栅介质层10、场氧化层11、金属前介质12、漂移区2、衬底阱接触区4、衬底阱7、源极金属8和漏极金属9，所述衬底阱7与所述漂移区2间无间隔，所述漂移区2的导电类型与所述多通道LDMOS的沟道导电类型相同，所述衬底阱7的导电类型与所述多通道LDMOS的沟道导电类型相反，还包括埋层条阵列，所述埋层条阵列包括至少一排横向排布的多个第一埋层条3A，所述埋层条阵列位于所述场氧化层11下方、被所述漂移区2包围且距离所述场氧化层11一段距离，所述第一埋层条3A的导电类型与所述多通道LDMOS的沟道导电类型相反。本发明有效降低了LDMOS晶体管的导通电阻。
一种通道 ldmos 及其制备方法

[发明专利]一种LDMOS、集成该LDMOS的半导体器件及其制造方法-CN201110005836.7有效
发明人：毛焜;乔明 -专利权人： 深圳市联德合微电子有限公司
申请日： 2011-01-12 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： H01L21/8249 文献下载
摘要：本发明公开了一种LDMOS、集成该LDMOS的半导体器件及其制造方法。一种半导体器件，包括位于p型衬底10中的LDMOS 1、CMOS 2、NPN 3和埋沟电阻4。其中LDMOS 1包括n型漂移区20、p+阱接触区40、p型体区70、n+源区50、n+漏区60、栅介质层100、源极金属80、漏极金属90、场氧化层110、金属前介质120，所述n型漂移区20与所述p型体区70间无间隔，还包括至少一个p型降场层30A和至少一个p型掩埋阱30B，所述p型掩埋阱30B位于所述p型体区70下且与所述p型体区70接触，所述p型降场层30A位于所述场氧化层110下、被所述n型漂移区20包围且与所述场氧化层110间有间隔。本发明的LDMOS具有低导通电阻和高耐压、易于集成且整个半导体器件的制造工艺步骤简单、对设备要求不高。
一种 ldmos 集成半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种具有过流保护功能的PWM型降压变换器-CN200910106077.6有效
发明人：陈志军;范文锴;张波 -专利权人： 深圳市联德合微电子有限公司
申请日： 2009-03-19 - 公布日： 2009-12-02 - 主分类号： H02M1/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有过流保护功能的PWM型降压变换器，包括控制电路，连接在输入电源和电感之间的第一开关管和电流限制电路，其用于采样所述第一开关管上的电流信号并输出过流信号，控制电路判断所述过流信号是否大于预设电流最大值，以控制所述第一开关管的导通或关断；通过在PWM型降压变换器中增加电流限制电路，使得当电流上升到预设电流最大值时关断功率管，保护芯片，保证开关电源的正常工作。进一步地，通过RC电路中电容输出采样电压，避免了直接采样时，电源电压抖动对电流限制电路带来的影响；过流后功率管关断时间固定，避免了功率管在短时间内反复开启，降低了功耗；根据降压变换器输出电压的大小自动选择两档关断时间，保证输出电压的稳定性。
一种具有保护功能 pwm 降压变换器

[发明专利]BCD半导体器件及其制造方法-CN200810148118.3无效
发明人：乔明;蒋苓利;段双亮;陈波;赵磊;张波 -专利权人：电子科技大学;深圳市联德合微电子有限公司
申请日： 2008-12-30 - 公布日： 2009-06-10 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：BCD半导体器件及其制造方法属于半导体功率器件技术领域。器件包括高压nLIGBT、第一类高压nLDMOS，第二类高压nLDMOS，第三类高压nLDMOS和低压NMOS、PMOS、NPN。半导体器件直接做在单晶衬底上。高压nLIGBT、nLDMOS和低压NPN直接做在单晶p型衬底上，低压NMOS做在p型阱中，低压PMOS做在n型阱中。制作过程不采用外延工艺。在单晶衬底上实现nLIGBT、nLDMOS、低压NMOS、低压PMOS和低压NPN的单片集成。由于没有采用外延工艺，芯片具有较低的制造成本。本发明的nLIGBT器件、nLDMOS器件具有输入阻抗高，输出阻抗低等特点，其构成的高压功率集成电路可以用于消费电子、显示驱动等多种产品中。
bcd 半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种单晶型结型场效应管器件及其制备方法-CN200810241247.7无效
发明人：乔明;罗波;赵远远;张波 -专利权人： 深圳市联德合微电子有限公司;电子科技大学
申请日： 2008-12-15 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： H01L27/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种单晶型结型场效应管器件，其包括第一型杂质衬底及在第一型杂质衬底上形成的结型场效应管、泄漏电流补偿单元及正向箝位二极管单元，所述泄漏电流补偿单元及正向箝位二极管单元连接在结型场效应管的任意两极之间。为了使传声器管适应于特殊条件下的应用，还必须增添有正向箝位二极管和泄漏电流补偿器件，这样传声器才会有较好的线性度与减压特性。本发明在单晶衬底上实现结型场效应管、高阻多晶电阻、二极管的单片集成，由于没有采用外延工艺，因此芯片具有较低的成本。
一种单晶型结型场效应器件及其制备方法

[发明专利]一种采用LIGBT输出级的集成电路-CN200810217389.X有效
发明人：乔明;赵磊;张波 -专利权人： 深圳市联德合微电子有限公司
申请日： 2008-11-19 - 公布日： 2009-04-29 - 主分类号： H03K17/567 文献下载
摘要：本发明涉及一种采用LIGBT输出级的集成电路，其包括控制电路以及LDMOS输出级与LIGBT输出级，所述LDMOS输出级与LIGBT输出级的栅极与控制电路连接，其中在电位相同时，所述LDMOS输出级的源极与LIGBT输出级的阴极连接，所述LDMOS输出级的漏极与LIGBT输出级的阳极连接。由于LDMOS器件耐压与导通电阻之间的矛盾，使LDMOS作为集成电路输出级时，具有较大的导通电阻，增加了集成电路输出级的导通损耗。本发明采用具有电导调制效应的LIGBT输出级，降低输出级单位面积的导通电阻，提高输出级单位面积的电流能力，从而减小集成电路面积及节约芯片成本。
一种采用 ligbt 输出集成电路

[发明专利]多路LED驱动电路-CN200810217219.1有效
发明人：周咏;陈志军;钟昌贤 -专利权人： 深圳市联德合微电子有限公司
申请日： 2008-11-03 - 公布日： 2009-04-15 - 主分类号： H05B37/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种多路LED驱动电路，包括用于提供精准电流的精准电流源(30)，用于将所述精准电流放大并复制到多路输出的多路镜像放大模块(40)，还包括用于对每一路输出进行精确调控的有源输出级(34)。实施本发明的仅以一路预设偏置电流即可驱动多路发光二极管，节省功耗，电流转换效率高；每一路输出电流都得到了单独的检测和调节，输出电流匹配精度高；有源输出级结构，输出电阻大，抗干扰能力强。
多路 led 驱动电路

[发明专利]三端式功率开关电源电路-CN200810217220.4有效
发明人：钟昌贤;陈志军;谢飞 -专利权人： 深圳市联德合微电子有限公司
申请日： 2008-11-03 - 公布日： 2009-04-08 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：本发明涉及一种三端式功率开关电源电路，包括变压器T1、连接到所述变压器T1原边1端的整流电路、连接到所述变压器T1副边的输出电路和连接到所述变压器T1的原边3端和输出电路的反馈端JK的反馈电路，其中，所述三端式功率开关电源电路还包括三端式芯片，所述三端式芯片的反馈信号控制端VC连接到所述反馈电路的输出端，所述三端式芯片的芯片高压端VD连接到整流电路和所述变压器原边2端，所述三端式芯片的接地端VS与所述变压器T1的原边4端相连。本发明只需要简单的Y型三脚封装便能满足要求，降低了成本，且不用外配功率管，方便用户使用。
三端式功率开关电源电路

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