专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]氮化镓器件-CN202311156996.0在审
  • 文豪;庞振江;洪海敏;周芝梅;温雷;顾才鑫;廖刚 - 深圳智芯微电子科技有限公司;深圳市国电科技通信有限公司
  • 2023-09-06 - 2023-10-20 - H01L29/778
  • 本发明提供了氮化镓器件。该氮化镓器件包括:第一介质层设置在基板的一侧;第一钝化层设置在第一介质层远离基板的一侧,第一钝化层具有第一通孔;栅极填充在第一通孔中,多层第二钝化层均具有第二通孔,相邻两个第二通孔连通且在基板上的正投影有部分交叠区域,第二通孔与第一通孔连通,且在基板上的正投影与第一通孔在基板上的正投影有部分交叠区域;多层场板分别填充在第二通孔,以及设置在与第一钝化层距离最远的第二钝化层远离基板的表面上,与第一钝化层接触设置的第二钝化层中的第二通孔中填充的场板与栅极接触设置。通过设置多层场板,可以降低氮化镓器件漏极附近的电场峰值,提高氮化镓器件的击穿电压。
  • 氮化器件
  • [发明专利]芯片封装结构-CN202311148453.4在审
  • 黎杰;庞振江;洪海敏;周芝梅;温雷;卜小松;黄首杰 - 深圳智芯微电子科技有限公司;深圳市国电科技通信有限公司
  • 2023-09-06 - 2023-10-13 - H01L23/367
  • 本发明公开了一种芯片封装结构,包括:第一芯片和第二芯片;封装框架,封装框架具有基岛和多个引脚,第二芯片设于基岛,多个引脚分别与相应的第一芯片和第二芯片连接;第一电连接件,第一电连接件与第一芯片、第二芯片、多个引脚中的一个均连接;塑封部,塑封部包覆于第一芯片、第二芯片、封装框架和第一电连接件,且基岛的部分和第一电连接件的部分外露于塑封部。由此,通过基岛的部分和第一电连接件的部分外露于塑封部,能够提升芯片封装结构的散热能力,可以提升芯片封装结构散热效率,可以使芯片封装结构满足高功率密度器件散热要求,提升第一芯片和第二芯片的工作可靠性。
  • 芯片封装结构
  • [发明专利]用于测试通信发射机性能的装置-CN202110815029.5有效
  • 占兆武;王祥;武占侠;李龙 - 深圳市国电科技通信有限公司;深圳智芯微电子科技有限公司
  • 2021-07-19 - 2023-10-10 - H04B17/15
  • 本发明公开了一种用于测试通信发射机性能的装置。本发明通过在装置中设置控制台,用于产生新空口NR测试信号;射频拉远集线设备,与控制台通信,用于在接收到NR测试信号的情况下,将NR测试信号转换为数字信号;射频拉远设备,包括待测射频接口,射频拉远设备与射频拉远集线设备通信,用于在接收到数字信号的情况下,将数字信号转换为模拟信号,并通过待测射频接口输出模拟信号;信号分析设备,与待测射频接口通信,用于接收模拟信号,并根据模拟信号确定性能测试结果。通过结合市面上较常见的控制台和信号分析设备对发射机的射频接口进行测试,避免了使用整套专用测试设备,降低了测试成本。
  • 用于测试通信发射机性能装置

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