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[发明专利]一种LED灯珠器件及其生产工艺-CN202310868271.8在审
发明人：钟伟祥;颜海波;涂良成;杨山清;官盛果 -专利权人：中山大学南昌研究院
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明属于红外线光源技术领域，尤其涉及一种LED灯珠器件，包括支撑架体、从所述支撑架体一侧外壁向其内部开设并延伸一段长度的反射凹腔、固定绕设于所述支撑架体外侧且与所述反射凹腔部分相对的引线支架、固定封装于所述引线支架面向所述反射凹腔一侧的至少一个晶片单元、以及灌装于所述反射凹腔内部且覆盖所述晶片单元和部分引线支架的透光封胶，所述晶片单元用于向所述反射凹腔内部发射光线并经过反射后射出，晶片单元经引线支架传输电能后向反射凹腔内部发出光线，引线支架对面向反射凹腔的晶片单元进行阻挡，无法从外部观测到晶片单元的位置，消除LED的850nm红外线光源的红曝现象带来的影响，减少近距离观测红外管时被破坏或者躲避所造成的失效。
一种 led 器件及其生产工艺

[发明专利]一种热解双面胶在提高深硅刻蚀均一性中的应用-CN202310744782.9在审
发明人：官盛果;陈婷;龚跃武;李志贤;涂良成;杨山清 -专利权人：中山大学南昌研究院
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C09J7/25 文献下载
摘要：本发明属于涉及半导体器件技术领域，更具体地，涉及一种热解双面胶在提高深硅刻蚀均一性中的应用。该应用中的热解双面胶由聚对苯二甲酸乙二醇酯基膜和涂覆于基膜两面的硅酮高分子聚合物弹性体组成。本发明将热解双面胶用于深硅刻蚀，替代常规粘接剂，不仅可以提供良好的粘接性能以防止晶圆片与托片在刻蚀过程中发生偏移，提高刻蚀精度；还可以增强晶圆片与托片之间的导热性能，使得晶圆片通过热解双面胶向托片快速传递扩散，从而提高刻蚀的均一性。
一种双面提高刻蚀均一中的应用

[发明专利]一种MEMS芯模的制备方法-CN202310728498.2在审
发明人：刘芹篁;龚跃武;陈婷;李志贤;官盛果;涂良成;杨山清 -专利权人：中山大学南昌研究院
申请日： 2023-06-19 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：本发明属于涉及半导体器件技术领域，涉及一种MEMS芯模的制备方法，包括以下步骤：先将硅片的氧化层侧与晶圆衬底通过热解膜粘合，同时采用深反应离子刻蚀在硅片表面形成所需图形，并在表面沉积金属膜；然后将硅片金属膜侧与晶圆衬底过热解膜粘合，进一步刻蚀形成所需图形，加热分离，剥离金属膜、去除氧化层，即得MEMS芯模；其中，S1和S2中所述热解膜由聚对苯二甲酸乙二醇酯基膜和涂覆于基膜两面的亚克力胶层组成。本发明利用热解膜与硅片的氧化层和金属膜相结合，有效避免叠片及释放过程中硅片与热解膜相接触，从而减少刻蚀过程中或刻蚀完成后对MEMS芯模的污染及损伤，还可以实现快速释放。
一种 mems 制备方法

[发明专利]一种提高电子源栅网电子透过率的方法-CN202310750533.0在审
发明人：肖东阳;宋培义;孙雷蒙;涂良成;匡双阳 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01J1/48 文献下载
摘要：本发明属于真空微电子技术领域，具体涉及一种提高电子源栅网电子透过率的方法，包括在电子源的栅网结构中各阵列单元表面及侧壁的金属导电层上沉积驻极体材料，其中，金属导电层经引线引出；对驻极体材料充电以形成驻极体，驻极体的形成使得栅网的各个阵列单元之间产生聚焦电场，形成的聚焦电场会改变阵列化阴极发射体所发射电子的运动轨迹，使得阵列化阴极发射体发射的电子不会轰击到栅网表面从而越过栅网发射出去。本发明方法中栅网表面沉积驻极体材料，利用驻极体材料表面的空间电荷分布改变阴极所发射电子的运动轨迹，有效提高电子透过率，从而增加器件整体的稳定性。
一种提高电子源栅网透过方法

[发明专利]一种亚微牛推力矢量测试方法和装置-CN202310702130.9在审
发明人：李祝;刘洪凡;王观芳;程郑文韬;杨泽邦;刘建平;涂良成;杨山清 -专利权人：中山大学
申请日： 2023-06-13 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： G01L5/00 文献下载
摘要：本发明涉及精密测量技术领域，提出一种亚微牛推力矢量测试方法和装置，其中所述装置包括架设于底座上的框架支架，以及双轴悬梁机构，所述框架支架顶部设置有第一横梁，所述双轴悬梁机构连接于所述第一横梁的中心，组成悬摆式双轴结构；微推进器安装架，用于亚微牛量级微推进器的安装固定以及测量过程中的位置调整；双轴电磁执行机和双轴位移传感器，用于测量水平面内正交两个方向上微推进器安装架的位移变化及亚微牛量级微推进器的推力矢量；数据处理模块，用于读取测量过程中双轴电磁执行机的工作电流，对亚微牛量级微推进器推力矢量的计算，输出亚微牛量级微推进器的推力矢量测量结果。
一种亚微牛推力矢量测试方法装置

[发明专利]一种MEMS三轴矢量磁力仪及矢量磁场强度测量方法-CN202210061414.X在审
发明人：宋萧萧;王苑;刘骅锋;赵纯;涂良成;周泽兵 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： G01R33/06 文献下载
摘要：本发明属于磁传感器领域，并具体公开了一种MEMS三轴矢量磁力仪及矢量磁场强度测量方法；该种磁力仪由三个或六个两两正交的MEMS磁传感单元构成，MEMS磁传感单元通过绝缘且不导磁的材料制成的框架固定并相互隔开；每个MEMS磁传感单元包括双端固定音叉谐振器和两个洛伦兹力发生器，洛伦兹力发生器由能够导电的材料制成，对称地布置于双端固定音叉谐振器两端的外侧，并分别与双端固定音叉谐振器的两端相连；该磁力仪通过两两正交的三个或六个MEMS磁传感单元对矢量磁场三个矢量方向的分量磁场进行检测，实现对外部矢量磁场的感测；同时，通过使每两个相互平行的MEMS磁传感单元采用差分的方式对矢量磁场的分量进行感测，能够进一步提高感测灵敏度和共模抑制能力。
一种 mems 矢量磁力磁场强度测量方法

[发明专利]一种MEMS谐振式多功能磁力仪及磁场强度测量方法-CN202210061424.3在审
发明人：王苑;宋萧萧;刘骅锋;赵纯;胡方靖;涂良成;周泽兵 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： G01R33/02 文献下载
摘要：本发明属于磁传感器领域，并具体公开了一种MEMS谐振式多功能磁力仪及磁场强度测量方法；该种MEMS谐振式多功能磁力仪包括双端固定音叉谐振器和洛伦兹力发生器；洛伦兹力发生器设置有两个，分别位于双端固定音叉谐振器两端的外侧，并分别与双端固定音叉谐振器的两端固定相连；洛伦兹力发生器两端存在电压差时，其内部产生移动电荷，该电荷在磁场中受洛伦兹力，洛伦兹力发生器将该洛伦兹力施加于双端固定音叉谐振器端部，使双端固定音叉谐振器受轴向力，以此调制双端固定音叉谐振器的谐振频率，实现对外部磁场的感测。该种MEMS谐振式多功能磁力仪能够适应复杂的磁场环境，能够实现片上集成，且灵敏度和分辨率高，并兼具力学传感器等功能。
一种 mems 谐振多功能磁力磁场强度测量方法

[发明专利]一种垂直碳纳米管向目标衬底转移的方法-CN202010324601.3有效
发明人：肖东阳;孙雷蒙;王玉容;杜欢欢;涂良成 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2020-04-22 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种垂直碳纳米管向目标衬底转移的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、采用原子层沉积法在碳纳米管表面沉积纳米量级的第一金属层，使第一金属层与碳纳米管形成欧姆接触；S2、在第一金属层的表面沉积微米量级的第二金属层，以填充碳纳米管表面空隙，形成金属薄膜；S3、在目标衬底表面沉积金属合金，将碳纳米管转移到目标衬底上。本发明采用沉积速率较慢、沉积包覆性好的原子层沉积在碳纳米管表面沉积一层纳米量级、浸滑性好的金属，实现金属纳米颗粒渗透入碳纳米管表面，增加金属纳米颗粒与碳管的接触面积，实现金属原子对碳纳米管的浸润和包覆，进而形成欧姆接触，有效的降低了目标衬底与碳纳米管之间的接触电阻。
一种垂直纳米目标衬底转移方法

[发明专利]一种大自然健康LED光源器件及其制备方法-CN202310347614.6在审
发明人：钟伟祥;颜海波;涂良成;杨山清;官盛果 -专利权人：中山大学南昌研究院
申请日： 2023-04-03 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种大自然健康LED光源器件及其制备方法。本发明的大自然健康LED光源器件，包括近紫外发光芯片、支架、用于粘接近紫外发光芯片与支架的固化荧光胶，以及涂覆于近紫外发光芯片上的光转化层；所述固化荧光胶由封装胶与荧光粉末组成，所述荧光粉末为浅蓝白色粉末；所述光转化层由浅蓝白色粉末、浅蓝绿色粉末、黄绿色粉末、橘红色粉末和白色粉末按质量比(28.5～39):(4.5～21):(3～5.9):(0.56～5.3):(0.5～0.7)组成的复合荧光粉与封装胶混合制得。本发明通过筛选芯片和选用多种特定荧光粉及特定比例混合，可有效抑制紫外强度、增加近紫外转换蓝光峰值，保证高显色指数的同时提高光效，使得本发明的光源更舒适，更接近大自然健康光源光谱。
一种大自然健康 led 光源器件及其制备方法

[发明专利]一种静电力平衡式MEMS加速度计及其闭环控制方法-CN202310085393.X在审
发明人：伍文杰;李方正;高乐;蔡冰洋;涂良成 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2023-01-17 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： G01P15/125 文献下载
摘要：本发明提供了一种静电力平衡式MEMS加速度计及其闭环控制方法，属于仪器仪表领域，方法为：将加速度信号转换为位移信号；平行板电容动极板移动，与对应的两个平行板电容定极板形成差分电容；在平行板电容动极板上施加偏置电压，将差分电容转换为电压信号；采用载波对差分电容调制，与电压信号相乘后顺次经过低通滤波和PID控制形成反馈控制信号；将反馈控制信号与载波信号相加获取定极板施加信号；作用在平行板电容定极板的定极板施加信号，与施加在平行板电容动极板上的偏置电压共同得到静电反馈力，使平行板电容动极板的位置恢复至初始位置。本发明对比现有力平衡式闭环方案在成本、加工难度和可靠性上具有显著优势。
一种静电力平衡 mems 加速度计及其闭环控制方法

[发明专利]一种微机电系统封装结构及其制备方法-CN202110546475.0有效
发明人： 涂良成;杨山清;陈婷;龚跃武;张晨艳;崔建玉 -专利权人：中山大学南昌研究院
申请日： 2021-05-19 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明属于微机电系统封装技术领域，提供了一种微机电系统封装结构，其包括硅基底、在所述硅基底上图案化制备得到的MEMS器件结构，以及用于对所述MEMS器件结构进行键合封装的盖板；所述硅基底背面还依次设置有第二金属层和第一金属层，所述第一金属层和第二金属层的总厚度不低于5μm；所述第一金属层和第二金属层用于保护所述MEMS器件结构在键合封装时不受破坏，同时用于释放刻蚀过程中产生的热量。在本发明微机电系统封装结构制备过程中，由于先在硅基底背面沉积了一定厚度的金属层，用以固定MEMS器件的薄弱结构，使得本发明可通过刻蚀后先键合再划片的工序，实现MEMS器件结构的晶圆级封装，封装效率高，质量好，成本低。
一种微机系统封装结构及其制备方法

[发明专利]一种高集成度MEMS相对重力仪-CN202211685904.3在审
发明人：伍文杰;李方正;蔡冰洋;方偲媛;彭茂军;涂良成 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： G01V7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种高集成度MEMS相对重力仪，集成有重力敏感单元、温度传感单元、加热电阻、面外倾斜传感单元、面内倾斜传感单元、气压传感单元和振动传感单元；温度传感单元感知MEMS相对重力仪的温度变化；加热电阻对重力敏感单元进行加热，实现对重力敏感单元的温度控制；面外倾斜传感单元敏感重力敏感单元面外倾斜大小；面内倾斜传感单元敏感重力敏感单元面内倾斜大小；气压传感单元感知气压变化，辅助气压控制或实现气压效应扣除；振动传感单元感知环境振动，并辅助隔振或实现振动信号扣除。本发明利用微加工精度实现重力敏感单元与倾斜传感单元的敏感方向精确控制，有利于减小额外装夹部件、降低方向控制难度、提高控制精度。
一种集成度 mems 相对重力

[发明专利]一种用于原子磁力仪的MEMS气室及其制造方法-CN202310021985.5在审
发明人：吴俊;刘骅锋;欧阳浩;焦世民;涂良成 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2023-01-07 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G01R33/032 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于原子磁力仪的MEMS气室及其制造方法，及磁传感器技术领域，旨在解决现有MEMS技术研制原子气室中固态化合物易从生成腔移动到作用腔，进而影响到原子与激光相互作用，以及原子气室小型化导致灵敏度低，并且片上集成加工不易实现的问题，本发明通过“S”形通道设计，解决了气室中固态化合物易从生成腔移动到作用腔的问题，降低了对原子与激光相互作用的影响，通过硅硅键合工艺增加了气室厚度，提高激光与原子相互作用距离，提高信噪比，解决了原子气室小型化导致的低灵敏度问题，增强了小型原子气室的灵敏度，采用MEMS工艺完成气室研制，易与其他组件集成，拓展了气室的应用场景。
一种用于原子磁力 mems 及其制造方法

[发明专利]一种流体连接管及其应用-CN202111573346.7有效
发明人：匡双阳;宋培义;涂良成;张开;汪典;李自学;索晓晨;黄潇博 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： F16L41/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种流体连接管及其应用，属于流体或微流体控制领域，本发明中每个出口子流道均包括逐级相连通的M级圆弧流道，并且每一圆弧流道对应的圆弧角和圆的直径均相同；同时，每一个拓扑点流体下游的相邻两圆弧流道所对应的圆共用切线，并且切线方向为拓扑点处流体的速度矢量方向。如此，本发明通过流道拓扑点处的圆弧设计和切线设计防止了湍流的产生，在此基础上，进一步通过流道拓扑点处的对称设计和总长一致设计保证了每个出口子流道的流阻一致性，从而在每个出口子流道内实现了流体流量的高度一致性。
一种流体接管及其应用

[发明专利]一种改善电绝缘性能的加速度计及其制备方法-CN202110127615.0有效
发明人： 涂良成;杨山清;陈婷;龚跃武;张晨艳;崔建玉 -专利权人：中山大学南昌研究院
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： G01P15/08 文献下载
摘要：本发明属于微纳加工技术领域，更具体地，涉及一种改善电绝缘性能的加速度计及其制备方法。本发明采用特定组成的有机绝缘膜代替PSPI或二氧化硅作为电绝缘层材料，该有机绝缘膜固含量低，具有良好流动性，解决现有技术绝缘层材料粘度大所引起的气泡导致第一金属层和第二金属层断层的问题，很好的提高了第一金属层和第二金属层的导通性，提高器件良品率，同时也解决了现有技术退火工艺时间长的技术问题，提高了器件产能。
一种改善绝缘性能加速度计及其制备方法

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