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[发明专利]一种光增强消除折回现象的逆导型IGBT器件-CN202310728738.9在审
发明人：张峰;陈雨箭;张国良;洪荣墩 -专利权人：厦门大学;昆山厦大创新中心
申请日： 2023-06-19 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：一种光增强消除折回现象的逆导型IGBT器件，由多个元胞并联形成，各元胞包括P型掺杂集电区、N型掺杂集电区、N型掺杂漂移区、N型掺杂缓冲层、N型掺杂漂移区、P型掺杂的阱区、N型掺杂的源区、P型掺杂的基区、P型掺杂的沟道区、氧化层、栅极电极、发射极电极、集电极电极、LED元胞；该器件通过将IGBT的顶部栅极开孔，使用在栅极内部集成LED元胞的方法，使得光线入射到JFET区，并且产生光生载流子，增大器件的导通电流，消除逆导型IGBT器件的折回(Snap‑back)现象，并且可以使器件获得更好的续流特性。
一种增强消除折回现象逆导型 igbt 器件

[发明专利]一种双p层碳化硅p-i-n紫外光电探测器及制备方法-CN202310205135.0在审
发明人：刘庚;姚亮;刘颖;洪荣墩;付钊;张锐军;刘佳 -专利权人：北京智芯微电子科技有限公司;厦门大学
申请日： 2023-03-06 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：一种双p层碳化硅p‑i‑n紫外光电探测器及制备方法，涉及紫外光电探测器。探测器自下而上设碳化硅高掺杂n+型衬底、碳化硅n型缓冲层、圆柱状碳化硅低掺杂n‑型吸收层、圆柱管状碳化硅高掺杂p+型欧姆接触层、圆柱状碳化硅低掺杂p‑型吸收层、钝化隔离介电层、钝化隔离层；整个器件具有纵向和横向两个p‑i‑n结构，两个p‑i‑n结构的耗尽层电场相互连接和耦合，在纵向p‑i‑n内产生的光生载流子被电场加速漂移至横纵向结合p‑i‑n结构中的p+型欧姆接触层中。在n+型衬底的背面设n+型欧姆接触电极，p+型欧姆接触层上表面设p+型欧姆接触电极，避免光生载流子复合问题，提高收集光生载流子效率，获得更高器件响应度。
一种碳化硅紫外光电探测器制备方法

[发明专利]极紫外至紫外波段的碳化硅雪崩光电探测器及其制备方法-CN202310205107.9在审
发明人： 洪荣墩;刘佳;付钊;李子豪;刘庚;姚亮;刘颖;张峰 -专利权人：厦门大学;北京智芯微电子科技有限公司
申请日： 2023-03-06 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：极紫外至紫外波段的碳化硅雪崩光电探测器及其制备方法，涉及紫外光电探测器。包括小面积横纵向的吸收倍增分离(SAM)结构和纵向p‑i‑n结构，p+型欧姆接触层、n型倍增层、n‑型吸收层和n型缓冲层形成横纵向相结合的小面积SAM结构，p‑型吸收层、n‑型吸收层和n型缓冲层形成纵向大面积的p‑i‑n结构。SAM结构和p‑i‑n结构的耗尽层电场相互连接和耦合，p‑i‑n内产生的光生载流子可被电场加速漂移至SAM结构中的n型倍增层进行载流子的雪崩倍增效应，再漂移至p+型欧姆接触层收集形成电流信号，避免光生载流子复合问题，提高光生载流子收集效率，提高极紫外和深紫外波段信号探测效率，获得更高器件响应度。
紫外波段碳化硅雪崩光电探测器及其制备方法

[实用新型]一种高压电气设备局部放电的监控装置-CN202221842362.1有效
发明人：张明昆;洪荣墩;张峰;吴正云 -专利权人：厦门大学九江研究院
申请日： 2022-07-18 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： G01R31/12 文献下载
摘要：本实用新型涉及高压电气设备技术领域，具体公开了一种高压电气设备局部放电的监控装置，包括柜体和工控机显示器，柜体内部固定安装有高电场部件、工控机和框体，柜体外壁表面固定安装有无线信号发送器，柜体外部铰接安装有柜门，柜门内壁固定安装有两个同尺寸的支撑架。本实用新型技术方案通过朝向第一反射罩体内侧的紫外光电探测器可识别经过第一反射罩体反射的紫外光信号，有利于增大装置对高电场部件发射紫外光信号的捕捉能力，紫外光电探测器识别到紫外光信号时，工控机经过无线信号发送器和无线信号接收器，工控机显示器可提示监测到高电场部件发出紫外光信号，并且自动开启警报器进行警示，从而达到高压电气设备局部放电的监控效果。
一种高压电气设备局部放电监控装置

[发明专利]具有刻蚀微孔结构的4H-SiC紫外光电探测器及制备-CN202011012078.7有效
发明人：张峰;付钊;洪荣墩;蔡加法;陈厦平;林鼎渠;吴少雄;吴正云 -专利权人：厦门大学
申请日： 2020-09-22 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：具有刻蚀微孔结构的4H‑SiC紫外光电探测器及制备，所述4H‑SiC紫外光电探测器包括P+层、吸收层和P层环形电极，还包括设于P层环形电极的内周的微孔，其从P+层刻蚀到达吸收层的上表面，微孔的壁面设有钝化层。当紫外光入射到探测器芯片上时，一部分被P+层吸收或者反射；另一部分被吸收层吸收并产生电子‑空穴对，在耗尽区内建电场的驱动下分离，并运动到探测器两端的电极，最后搭载外部负载电路形成电信号，通过检测电信号的大小，就可以判定紫外线强度的大小。微孔结构可减少P+层对紫外光的吸收，使得微孔处，光直接被吸收层吸收，提高探测器的响应度和量子效率，显著增加紫外光电探测器的实用性能。
具有刻蚀微孔结构 sic 紫外光电探测器制备

[发明专利]一种具有超构表面的等离激元增强4H-SiC MSM紫外光电探测器及其制备方法-CN202210880517.9在审
发明人：张明昆;洪荣墩;张峰;吴正云 -专利权人：厦门大学九江研究院
申请日： 2022-07-25 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有超构表面的等离激元增强4H‑SiC MSM紫外光电探测器及其制备方法，所述紫外光电探测器包括4H‑SiC衬底层，所述4H‑SiC衬底层上设有N型缓冲层，所述N型缓冲层上设有轻掺杂的N‑外延层，所述轻掺杂的N‑外延层上设有超构表面结构和石墨烯透明电极，所述石墨烯透明电极为叉指电极，所述超构表面结构位于所述石墨烯透明电极的间隙中，所述超构表面结构的顶部设有Al纳米结构。本发明通过超构表面、石墨烯电极以及等离激元增强的光吸收使得光生电子空穴对的数量提高，从而有效提高器件的响应度和量子效率，提升紫外光电探测器的应用性能。
一种具有表面离激元增强 sic msm 紫外光电探测器及其制备方法

[发明专利]背照式结构的4H-SiC紫外光电探测器阵列及制备-CN202011005272.2有效
发明人：付钊;张峰;洪荣墩;蔡加法;陈厦平;林鼎渠;吴少雄;吴正云 -专利权人：厦门大学
申请日： 2020-09-22 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：背照式结构的4H‑SiC紫外光电探测器阵列及制备，所述4H‑SiC紫外光电探测器包括从下到上设置的N型金属电极、N+型4H‑SiC衬底、吸收层、本征层；所述本征层通过离子注入的方式形成有多个P+层，用于制备阵列的单个像素点；所述P+层上设有P型金属电极；光从背面的N+型4H‑SiC衬底进行照射，所述N+型4H‑SiC衬底上对应P+层的位置刻蚀有贯穿N+型4H‑SiC衬底的微孔以形成有源区；所述N型金属电极设于N+型4H‑SiC衬底上未开设微孔的位置。一方面从背面刻蚀微孔增加紫外光的吸收，另一方面正面的P型金属电极和背面的N型金属电极恰好可以阻挡可见光的透过，使得硅读出电路不会对可见光产生响应。
背照式结构 sic 紫外光电探测器阵列制备

[发明专利]一种碳化硅同轴紫外光电探测器及其制备方法-CN202010400369.7有效
发明人： 洪荣墩;张锐军;吴正云;张峰;蔡加法;付钊;林鼎渠 -专利权人：厦门大学
申请日： 2020-05-13 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：一种碳化硅同轴紫外光电探测器及其制备方法，涉及紫外光电探测器。碳化硅同轴紫外光电探测器设有高掺杂浓度的碳化硅n+型衬底，在n+型衬底的硅面上设同质的n型缓冲层，在n型缓冲层的中心向上设圆柱状碳化硅n型层，以n型层的轴心为中心往外依次设圆柱管状碳化硅低掺i型吸收层和圆柱管状碳化硅p+型欧姆接触层，p+型欧姆接触层全部设在i型吸收层侧上部分且不与n+型衬底接触，整个器件在水平方向上从外往内形成p‑i‑n结构，在p+型欧姆接触层、i型吸收层和n型层表面设有SiO2钝化层；n+型衬底的背面设有n+型电极，p+型欧姆接触层侧上表面设有p+型电极。可获得更好的器件响应度，提高收集光生载流子的效率。
一种碳化硅同轴紫外光电探测器及其制备方法

[实用新型]一种具有空气净化功能的冷风机-CN202021734835.7有效
发明人：沈祖俊;洪荣墩;潘恒仕 -专利权人：厦门大学九江研究院
申请日： 2020-08-19 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： F24F8/15 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种具有空气净化功能的冷风机，包括冷风机机箱，冷风机机箱的正面中部设置有进风口，进风口的内侧设置有过滤网，过滤网的内侧设置有水帘，水帘的内侧设置有风机叶轮，水帘的底部设置有斜挡板，斜挡板的底部设置有水箱，水箱的底部设置有清洁排水口，水箱连接有循环泵，冷风机机箱的侧面底部设置有吸附液入口，吸附液入口连接水箱，冷风机机箱的侧面上部设置有出风口，冷风机机箱的正面上部分别设置有风机叶轮控制开关和循环泵控制开关。本实用新型通过循环泵使吸附液在水帘上循环流动，利用吸附液与甲醛、TVOC等污染物的反应中和原理，达到去除污染物的目的，具有使用简单，可随时移动，音燥小的优点。
一种具有空气净化功能冷风机

[实用新型]一种石墨烯空气净化器-CN202021772701.4有效
发明人：潘恒仕;洪荣墩;沈祖俊 -专利权人：厦门大学九江研究院
申请日： 2020-08-24 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： F24F8/108 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种石墨烯空气净化器，包括壳体，所述壳体的下部设置有HEPA高效过滤网，所述壳体的底部侧面设置有进气孔，所述壳体的中部设置有净化仓，所述净化仓中设置有石墨烯空气净化材料，所述壳体的上部设置有抽风机，所述抽风机的上方设置有出气孔。本实用新型设计合理，操作简单，通过抗菌型HEPA高效过滤网与石墨烯空气净化材料双重过滤，有效过滤掉空气中的烟雾、灰尘、细菌，甲醛、TVOC等污染物，并且抗菌型HEPA高效过滤网和装有石墨烯空气净化材料的净化仓可以定期更换，方便、简单，满足居家环境舒适、健康的要求。
一种石墨空气净化器

[发明专利]一种MSM结构4H-SiC紫外光电探测器的制备方法-CN201711482215.1有效
发明人：林鼎渠;吴正云;洪荣墩;孙存志;张志威 -专利权人：厦门大学
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种MSM结构4H‑SiC紫外光电探测器的制备方法，涉及紫外光电探测器的制备。在n型4H‑SiC衬底外延生长一层半绝缘层后，将材料样品切割成矩形条状样品，采用标准RCA程序清洗表面，进而采用电热分解生长方法，通过环境条件、温度及生长时间控制，使用DC直流电源通电于矩形条状样品两端，直接在4H‑SiC外延层的Si面热生长多层石墨烯薄膜，优化生长技术条件，通过光刻图形化，结合ICP刻蚀，在器件表面制备出MSM结构用的叉指电极；溅射沉积组合金属焊盘，再在样品表面通过等离子体增强化学气相沉积法覆盖生长一层致密的SiO2作为钝化层；用光刻与刻蚀工艺，去除圆形焊盘区域上的SiO2，即得。
一种 msm 结构 sic 紫外光电探测器制备方法

[实用新型]一种带柔性电池的围巾-CN201920979498.9有效
发明人：炉庆洪;林鼎渠;洪荣墩 -专利权人：厦门大学九江研究院
申请日： 2019-06-27 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： A41D23/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种带柔性电池的围巾，包括围巾本体，所述围巾本体内设有柔性电源装置和柔性电路控制板，所述围巾本体表面设有控制面板、LED指示灯、电源输出接口和电源输入接口，所述电源装置、所述LED指示灯、所述控制面板与所述柔性电路控制板电连接，所述电源装置与所述电源输出接口和所述电源输入接口连接。本实用新型的有益效果为：通过集成的柔性薄电池电源，能够为其他手机、智能眼镜等电子产品供电，具有移动电源的功能，还能够充电后不必再外接电源，为围巾的加热、按摩等功能供电。
一种柔性电池围巾

[实用新型]一种带柔性显示屏的智能手套-CN201920979499.3有效
发明人：炉庆洪;林鼎渠;洪荣墩 -专利权人：厦门大学九江研究院
申请日： 2019-06-27 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： A41D19/015 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种带柔性显示屏的智能手套，包括手套本体，所述手套本体上设有控制装置、显示装置、通信装置、电源装置和传感器组件；所述显示装置、所述通信装置和所述传感器组件与所述控制装置电性连接；所述控制装置、所述通信装置和所述传感器组件均设置于所述手套本体内部；所述电源装置为所述显示装置、所述通信装置与所述控制装置供电；所述传感器组件包括温度传感器、距离传感器、重力传感器、九轴传感器、力反馈传感器、生理参数传感器。本实用新型的有益效果为：手套柔性好、保暖效果好、实用性强、使用方便，带来了更好的用户体验，特别是在运动健身、健康监测方面。
一种柔性显示屏智能手套

[发明专利]具有球冠结构的4H-SiC紫外光电探测器及制备方法-CN201810402996.7有效
发明人： 洪荣墩;吴俊慷;吴正云 -专利权人：厦门大学
申请日： 2018-04-28 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：具有球冠结构的4H‑SiC紫外光电探测器及制备方法，紫外光电探测器采用p‑i‑n结构，在高掺杂偏轴4°的双抛N+型4H‑SiC衬底上，依次生长N型缓冲层和i型吸收层，在i型吸收层形成弧形倾斜台面，形成球冠状i型吸收层表面；注入和高温退火激活工艺在球冠状i型吸收层上表面形成P+型层；然后通过热氧化方法在P+型层的表面生长二氧化硅钝化层；通过光刻工艺、ICP刻蚀工艺和剥离工艺在P+型层的二氧化硅钝化层上刻蚀出P型环状电极窗口并采用磁控溅射工艺形成P型电极；刻蚀背面高掺杂偏轴4°的双抛N+型4H‑SiC衬底，并采用磁控溅射工艺形成N型电极，从而制成具有球冠结构的4H‑SiC紫外光电探测器。
具有结构 sic 紫外光电探测器制备方法

[发明专利]一种具有石墨烯透明电极的碳化硅雪崩光电探测器-CN201711495476.7在审
发明人： 洪荣墩;吴正云;林鼎渠;张志威;孙存志 -专利权人：厦门大学
申请日： 2017-12-31 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：一种具有石墨烯透明电极的碳化硅雪崩光电探测器，涉及半导体光电探测器。设有衬底，在衬底上依次设有同质的第一N型外延缓冲层、N‑型外延吸收层、第二N型外延倍增层和P+型欧姆接触层；在P+型欧姆接触层表面通过电热分解法生长的多层石墨烯透明电极层，采用光刻掩膜技术和ICP刻蚀工艺刻蚀一高度从石墨烯层表面到第一N型外延缓冲层表面，使得P+型欧姆接触层、第二N型外延倍增层和N‑型外延吸收层为圆台，通过等离子体增强化学气相沉积法生长一致密的SiOx/Si3N4保护钝化层。在N+型衬底的背面溅射N型欧姆接触电极，并在SiOx/Si3N4保护钝化层上通过光刻工艺刻蚀出焊盘窗口并制备石墨烯透明电极层的焊盘。
欧姆接触层石墨烯衬底雪崩光电探测器透明电极层透明电极倍增层钝化层碳化硅吸收层焊盘刻蚀等离子体增强化学气相沉积法半导体光电探测器多层石墨烯缓冲层表面电热分解光刻工艺光刻掩膜石墨烯层生长缓冲层溅射同质圆台制备背面

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