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[发明专利]发光半导体芯片-CN201610643061.9有效
发明人：马蒂亚斯·彼得;托比亚斯·迈耶;亚历山大·沃尔特;泷哲也;于尔根·奥弗;赖纳·布滕戴奇;约阿希姆·赫特功 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2010-12-27 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体芯片(1)，所述半导体芯片具有带有半导体层序列的半导体本体(2)，其中所述半导体层序列具有n型导电的多层结构(21)、p型导电的半导体层(22)和设置用于产生辐射的有源区域(20)，所述有源区域设置在所述n型导电的多层结构和所述p型导电的半导体层之间；所述半导体本体具有凹部(24)，所述凹部穿过所述p型导电的半导体层和所述有源区域延伸到所述n型导电的多层结构中；在所述n型导电的多层结构中形成具有至少一个掺杂尖峰(4)的掺杂分布；以及所述凹部穿透所述掺杂尖峰。
发光半导体芯片

[发明专利]光电半导体芯片和用于制造光电半导体芯片的方法-CN201610086311.3有效
发明人：赖纳·布滕戴奇;亚历山大·沃尔特;马蒂亚斯·彼得;托比亚斯·迈耶;泷哲也;胡贝特·迈瓦尔德 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2010-12-23 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明涉及光电半导体芯片和用于制造光电半导体芯片的方法。该光电半导体芯片(100)具有：第一半导体层序列(1)，所述第一半导体层序列包括多个V形缺陷(11)；和第二半导体层序列(2)，所述第二半导体层序列包括有源区(12)，其中所述第一半导体层序列(1)和所述第二半导体层序列(2)基于氮化物‑化合物半导体材料，所述第一半导体层序列(1)在生长方向上位于所述第二半导体层序列(2)之前，所述V形缺陷(11)形成对所述有源区(12)的静电放电保护，所述V形缺陷中的大部分具有同种的电学性质，尤其同种的击穿特性，所述V形缺陷中的至少75％具有相似的尺寸，以及所述V形缺陷的密度至少为10⁸/cm²。
光电半导体芯片用于制造方法

[发明专利]用于制造光电子半导体芯片的方法-CN201280011577.1有效
发明人：克里斯蒂安·莱雷尔;安东·沃格尔;安德烈亚斯·比贝尔斯多夫;约阿希姆·赫特功;泷哲也;赖纳·布滕戴奇 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2012-02-15 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提出一种用于制造光电子半导体芯片的方法，具有下述步骤在外延设备中提供生长衬底（1）；将至少一个中间层（2）外延地沉积到生长衬底（1）上；在中间层（2）的背离生长衬底（1）的一侧上产生背离生长衬底（1）的结构化的表面（3）；将有源层（4）外延地沉积到结构化的表面（3）上，其中在外延设备中产生结构化的表面（3）；以及有源层（4）至少部局部保形地或者至少局部基本上保形地跟随结构化的表面（3）的结构化部。
用于制造光电子半导体芯片方法

[发明专利]复合衬底、具有复合衬底的半导体芯片和用于制造复合衬底和半导体芯片的方法-CN201180063542.8有效
发明人： J.鲍尔;B.哈恩;V.赫勒;K.恩格尔;J.赫特科恩;泷哲也 -专利权人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
申请日： 2011-12-16 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：说明一种具有载体(2)和有用层(5)的复合衬底(1)，其中所述有用层借助介电连接层(3)固定在所述载体(2)上并且所述载体(2)包含辐射转换材料。此外，说明一种具有这样的复合衬底的半导体芯片(10)、一种用于制造复合衬底的方法以及一种用于制造具有复合衬底的半导体芯片的方法。
复合衬底具有半导体芯片用于制造方法

[发明专利]用于制造半导体层序列的方法、发射辐射的半导体芯片和光电子器件-CN201180049670.7有效
发明人： J.赫特科恩;泷哲也;J.奥夫 -专利权人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
申请日： 2011-09-30 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：说明了用于制造半导体层序列的方法，该半导体层序列基于氮化物化合物半导体材料并且具有微结构化的外表面，以及说明用该方法制造的半导体芯片和具有这种半导体芯片的光电子器件。该方法包括下面的步骤：A）在衬底上生长半导体层序列的至少一个第一半导体层；B）在该第一半导体层上施加蚀刻停止层；C）在步骤B）中获得的层序列上生长至少一个另外的半导体层；D）将半导体层序列与衬底分离，其方式是半导体层序列的分离区至少部分地被去除；E）借助蚀刻剂蚀刻半导体层序列的所获得的分离面，使得进行第一半导体层的微结构化并且形成微结构化的外表面。
用于制造半导体序列方法发射辐射芯片光电子器件

[发明专利]发光半导体芯片-CN201080060204.4有效
发明人：马蒂亚斯·彼得;托比亚斯·迈耶;亚历山大·沃尔特;泷哲也;于尔根·奥弗;赖纳·布滕戴奇;约阿希姆·赫特功 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2010-12-27 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：提出一种半导体芯片（1），其具有带有半导体层序列的半导体本体（2），其中用于产生辐射的有源区域（20）设置在n型导电的多层结构（21）和p型导电的半导体层（22）之间。在n型导电的多层结构中，形成具有至少一个掺杂尖峰（4）的掺杂分布。
发光半导体芯片

[发明专利]光电子半导体芯片以及基于AlGaN的中间层的应用-CN201080060178.5有效
发明人：马蒂亚斯·彼得;托比亚斯·迈耶;尼古劳斯·格迈因维泽;泷哲也;汉斯-于尔根·卢高尔;亚历山大·沃尔特 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2010-12-20 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：在光电子半导体芯片(100)的至少一种实施方式中，它包含基于GaN、InGaN、AlGaN和/或InAlGaN的半导体层序列(1)。半导体层序列(1)包含p掺杂的层序列(2)，n掺杂的层序列(4)，和位于p掺杂的层序列(2)与n掺杂的层序列(4)之间的有源区(3)。半导体层序列(1)另外包含至少一个基于AlxGa1-xN的中间层(5)，其中0
光电子半导体芯片以及基于 algan 中间层应用

[发明专利]光电半导体芯片和用于制造光电半导体芯片的方法-CN201080060293.2有效
发明人：赖纳·布滕戴奇;亚历山大·沃尔特;马蒂亚斯·彼得;托比亚斯·迈耶;泷哲也;胡贝特·迈瓦尔德 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2010-12-23 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L33/24 文献下载
摘要：本发明说明了一种光电半导体芯片（100），其具有第一半导体层序列（1）和第二半导体层序列（2），所述第一半导体层序列包括多个微型二极管（11），所述第二半导体层序列包括有源区（12），其中，第一半导体层序列（1）和第二半导体层序列（2）基于氮化物-化合物半导体材料，所述第一半导体层序列（1）在生长方向上位于第二半导体层序列（2）之前，并且所述微型二极管（11）形成对有源区（12）的ESD（静电放电）保护。
光电半导体芯片用于制造方法

[发明专利]电泵浦的光电半导体芯片-CN201080035921.1有效
发明人：马蒂亚斯·彼得;托比亚斯·迈耶;于尔根·奥弗;泷哲也;约阿希姆·赫特功;马蒂亚斯·扎巴蒂尔;安斯加尔·劳布施;安德烈亚斯·比贝尔斯多夫 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2010-06-30 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：在电泵浦的光电半导体芯片(1)的至少一个实施形式中，所述电泵浦的光电半导体芯片具有至少两个能产生辐射的量子阱(2)，其中，能产生辐射的量子阱(2)包括InGaN或者由其组成。此外，光电半导体芯片(1)包括至少两个覆层(4)，所述覆层包括AlGaN或者由其组成。所述覆层(4)中的每个与能产生辐射的量子阱(2)中的正好一个相关联。所述覆层(4)各位于相关联的能产生辐射的量子阱(2)的p侧上。在能产生辐射的量子阱(2)与相关联的覆层(4)之间的距离为最高1.5nm。
电泵浦光电半导体芯片

[发明专利]具有量子阱结构的光电子半导体本体-CN201080042606.1有效
发明人： M·彼得;R·布滕戴希;泷哲也;J·奥夫;A·瓦尔特;T·迈耶 -专利权人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
申请日： 2010-07-22 - 公布日： 2012-06-13 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：说明一种光电子半导体本体，其包含由第一成分和与第一成分不同的第二成分组成的半导体材料。该半导体本体具有布置在n导通层（1）和p导通层（5）之间的量子阱结构。该量子阱结构由以下元件构成：单个的量子阱层（31）或由多个量子阱层（31）和至少一个阻挡层（32）构成的层堆叠（3），其中在每两个相继的量子阱层（31）之间布置有阻挡层（32），该阻挡层与两个量子阱层（31）接界；与n导通层（1）和与单个的量子阱层（31）或层堆叠（3）接界的n侧封闭层（2）；和布置在p导通层（4）与单个的量子阱层（31）或层堆叠（3）之间并且与层堆叠（3）或单个的量子阱层（31）接界的p侧封闭层（4）。
具有量子结构光电子半导体本体

[发明专利]光电子半导体器件-CN200980141726.4有效
发明人：马丁·斯特拉斯伯格;卢茨·赫佩尔;马蒂亚斯·彼得;乌尔里克·策恩德;泷哲也;安德烈亚斯·莱贝尔;赖纳·布滕戴奇;托马斯·鲍尔 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2009-09-16 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：提出了一种光电子半导体器件，其具有基于氮化物半导体的半导体层序列(3)，该半导体层序列包括n掺杂区域(4)、p掺杂区域(8)和设置在n掺杂区域(4)和p掺杂区域(8)之间的有源区(5)。p掺杂区域(8)包括InxAlyGa1-x-yN构成的p接触层(7)，其中0≤x≤1，0≤y≤1且x+y≤1。p接触层与金属、金属合金或者透明导电氧化物构成的连接层(9)邻接，其中p接触层(7)在朝着连接层(9)的界面上具有带Ga面取向的第一晶畴(1)以及带N面取向的第二晶畴(2)。
光电子半导体器件

[发明专利]Ⅲ族氮化物系化合物半导体发光元件及其制造方法-CN200610002758.4有效
发明人： 泷哲也;生川满久;青木真登;奥野浩司;丰田优介;西岛和树;山田修平 -专利权人：丰田合成株式会社
申请日： 2006-01-25 - 公布日： 2006-08-16 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明是一种Ⅲ族氮化物系化合物半导体发光元件，其在阱层上下形成的层与阱层的接合部附近具有下列区域，该区域为：使在该阱层上下形成的层的晶格常数，以接近该阱层的晶格常数的方式，发生变化而形成。本发明是具有单或多量子阱结构的发光层的Ⅲ族氮化物系化合物半导体发光元件制造方法，该结构具有至少包含铟(In)的阱层，其中，在利用气相生长法来形成阱层时，从In源的最低供给量来开始供给，然后使In源的供给量增加到目标供给量为止，此后保持一定供给量，接下来，从目标供给量减少到最低供给量，对In源之外的Ⅲ族原料源而言，在从In源供给开始至供给结束为止的这一期间，以一定的供给量来供给。
氮化物化合物半导体发光元件及其制造方法

[发明专利]近红外线遮蔽体及显示器用前面板-CN200510115316.6无效
发明人：大谷纪昭;山下勇司;宫田照久;泷哲也 -专利权人：日立麦克赛尔株式会社
申请日： 2005-11-14 - 公布日： 2006-05-24 - 主分类号： G02B5/22 文献下载
摘要：具有高近红外线遮蔽性，即使长时间保存近红外线吸收能力也不会降低且耐光性高的近红外线遮蔽体，其包含基材(1)和配置在基材(1)的一个主面上的近红外线吸收层(2)，近红外线吸收层(2)包含含有磺酸酰亚胺衍生物的二亚铵化合物以及由式(1)的取代苯二硫醇金属络合物阴离子和式(2)的阳离子的抗衡离子结合体形成的化合物。式(1)的R₁、R₂为碳原子数1～6的烷基、碳原子数1～8的烷氨基、取代或未取代的吗啉代基、取代或未取代的硫代吗啉代基、取代或未取代的哌嗪基以及取代或未取代的苯基，M为过渡金属。式(2)的Q₁、Q₂为五元或六元含氮杂环、含有五元或六元含氮杂环的缩合环，R₃、R₄为碳原子数1～8的烷基，n为数字2、3或4。
红外线遮蔽显示器用面板

[发明专利]Ⅲ族氮化物基化合物半导体器件-CN200480003696.8有效
发明人： 泷哲也 -专利权人：丰田合成株式会社
申请日： 2004-09-01 - 公布日： 2006-03-15 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：III族氮化物基化合物半导体器件100中，在各自加入受体杂质的p－AlGaN层107和p－GaN层109之间提供中间层108。此时，中间层108掺杂有一定浓度的供体杂质，由此基本上补偿由p－AlGaN层107形成过程中引入到中间层108中的受体杂质所产生的空穴。结果，中间层108的电导率变得非常低，并因而显著提高III族氮化物基化合物半导体器件100的静电耐压。
氮化物化合物半导体器件

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