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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202310683090.8在审
发明人：张正伟;沙哈吉·B·摩尔;谭伦光;周其雨;白岳青 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：公开了一种半导体器件和制造该半导体器件的方法。该半导体器件包括衬底、设置在衬底上的鳍基底、设置在鳍基底的第一部分上的纳米结构沟道区的堆叠件、围绕纳米结构沟道区的栅极结构、设置在鳍基底的第二部分上的源极/漏极(S/D)区、设置在S/D区和鳍基底之间的空气间隔件、以及介电层，介电层设置在空气间隔件和鳍基底之间。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件和形成半导体器件的方法-CN202110504459.5有效
发明人： 沙哈吉·B·摩尔;钱德拉谢卡尔·普拉卡斯·萨万特 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-05-10 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：在实施例中，器件包括：栅极结构，位于衬底上方；栅极间隔件，与栅极结构相邻；源极/漏极区域，与栅极间隔件相邻；第一层间电介质(ILD)，位于源极/漏极区域上，第一ILD具有第一杂质浓度；以及第二ILD，位于第一ILD上，第二ILD具有第二杂质浓度，第二浓度小于第一浓度，第二ILD、栅极间隔件和栅极结构的顶面共面；以及源极/漏极接触件，延伸穿过第二ILD和第一ILD，源极/漏极接触件耦接至源极/漏极区域。本申请的实施例还涉及半导体器件和形成半导体器件的方法。
半导体器件形成方法

[发明专利]半导体器件和形成方法-CN202310511663.9在审
发明人：张正伟;沙哈吉·B·摩尔;谭伦光;周其雨;白岳青 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-05-08 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：纳米结构晶体管可以以可以降低纳米结构晶体管中的源极/漏极区合并的可能性的方式来形成。在本文所描述的纳米结构晶体管的俯视图中，在纳米结构晶体管的纳米结构沟道的相对侧上的源极/漏极区是错开的，使得源极/漏极区之间的距离增加。这降低了源极/漏极区合并的可能性，这降低了故障和/或其他缺陷形成在纳米结构晶体管中的可能性。相应地，如本文所描述的，使源极/漏极区错开，可以促进包括有纳米结构晶体管的半导体器件的小型化，同时保持和/或增加半导体器件的半导体器件产量。本申请的实施例提供了半导体器件和形成方法。
半导体器件形成方法

[发明专利]半导体器件结构及其形成方法-CN202310306045.0在审
发明人：张正伟;沙哈吉·B·摩尔;周其雨;白岳青 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：提供了半导体器件结构。半导体器件结构包括一个或多个半导体层、围绕一个或多个半导体层中的至少一个半导体层的界面层、设置在界面层上方的功函金属以及设置在界面层和功函金属之间的高K(HK)介电层。HK介电层包括与HK介电层和界面层的第一界面相邻的第一掺杂剂区域，其中，第一掺杂剂区域包括具有第一极性的第一掺杂剂。HK介电层也包括与HK介电层和功函金属的第二界面相邻的第二掺杂剂区域，其中，第二掺杂剂区域包括具有与第一极性相反的第二极性的第二掺杂剂。本申请的实施例还涉及用于形成半导体器件结构的方法。
半导体器件结构及其形成方法

[发明专利]形成半导体器件结构的方法-CN202310306073.2在审
发明人： 沙哈吉·B·摩尔;林千 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：根据本申请的实施例，描述了用于形成半导体器件结构的方法。该方法包括在处理室中的衬底上方形成第一半导体层并且执行净化工艺。净化工艺包括使含氯气体流入处理室中。该方法还包括在第一半导体层上方形成第二半导体层，并且在第一半导体层和第二半导体层之间形成界面区域。
形成半导体器件结构方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202310365790.2在审
发明人： 沙哈吉·B·摩尔 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-04-07 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：方法包括：形成从半导体衬底突出的半导体鳍。半导体鳍具有外延部分以及位于外延部分下面的台面部分。外延部分具有与多个牺牲层交错的多个沟道层。半导体衬底具有位于(110)晶面中的顶面。方法也包括：形成横跨半导体鳍的伪栅极结构；至少去除与伪栅极结构相邻的区域中的半导体鳍的外延部分以形成凹槽；在凹槽中外延生长缓冲半导体区域；在缓冲半导体区域上外延生长源极/漏极部件；以及用金属栅极结构替换伪栅极结构。缓冲半导体区域具有位于(110)晶面中的顶面。本申请的实施例还涉及半导体器件及其制造方法。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体结构、半导体器件及其形成方法-CN202310210495.X在审
发明人： 沙哈吉·B·摩尔;张正伟 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本文公开了用于多栅极器件的波浪形外延源极/漏极结构及其制造方法。示例性器件包括沿着第一方向纵长延伸的第一鳍和第二鳍。第一鳍和第二鳍均具有非凹陷部分和凹陷部分。栅极沿着不同于第一方向的第二方向纵长延伸。栅极包裹第一鳍的非凹陷部分和第二鳍的非凹陷部分。合并的外延源极/漏极位于第一鳍的凹陷部分和第二鳍的凹陷部分上。源极/漏极接触件位于合并的外延源极/漏极上。源极/漏极接触件与合并外延源极/漏极之间具有V形界面。源极/漏极接触件在第一鳍和第二鳍的非凹陷部分的顶部下方延伸。本申请的实施例还公开了半导体结构、半导体器件及其形成方法。
半导体结构半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体装置-CN202310279200.4在审
发明人：翁圣勋;沙哈吉·B·摩尔;马志宇 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-03-21 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体装置，此处提供在形成外延层于鳍状场效晶体管的源极/漏极区中之前，形成绝缘层于半导体基板之中或之上的一些技术与设备。外延层可形成于绝缘层上，以减少鳍状场效晶体管的源极/漏极区之间的电子穿隧。在此方式中，可减少流动至鳍状场效晶体管的半导体基板中及/或源极/漏极区之间的漏电流。
半导体装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202310237520.3在审
发明人： 沙哈吉·B·摩尔 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-03-13 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开涉及一种半导体装置及其制造方法。本文所述的一些实施方式提供了在其中形成缓冲区域在装置的源极/漏极区域下方的技术及半导体装置。配置缓冲区域以减少、预防及/或阻挡掺质从源极/漏极区域迁移到装置的其他区域，例如相邻于鳍片结构的平台区域。在一些实施方式中，侧壁层位于介于缓冲区域及平台区域之间。额外地或可替代地，包括介电气体的介电区域可以在介于缓冲区域及源极/漏极区域之间。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202310212691.0在审
发明人： 沙哈吉·B·摩尔 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供半导体装置及其制造方法。在一些实施方式中，在装置的源极/漏极区下方形成缓冲层。缓冲层的形状可以包含弯曲顶表面，其具有延伸以增加装置的鳍片结构的纳米片的覆盖率的高度。形状也包含具有向装置的浅沟槽隔离区延伸的宽度的区域。形状降低掺质从源极/漏极区扩散到鳍片结构的台面区的可能性。结果，可以借由降低短通道效应、降低装置的截止电流和降低装置内的渗漏以及其他范例来提升装置的效能。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其形成方法-CN202310089047.9在审
发明人： 沙哈吉·B·摩尔 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-02-08 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：提出半导体装置及其形成方法。在形成混合鳍片结构之前，移除覆侧壁层基脚。当移除覆侧壁层以使金属栅极能够形成在纳米结构晶体管的纳米结构通道周围时，移除覆侧壁层基脚防止金属栅极基脚形成在混合鳍片结构下方。可以以非对称方式形成覆侧壁层以包含不同的长度及/或角度以及其他范例。不对称覆侧壁层能够为p型纳米结构晶体管和n型纳米结构晶体管形成不对称金属栅极结构，同时防止金属栅极基脚形成在p型纳米结构晶体管和n型纳米结构晶体管的混合鳍片结构下方。这可以降低在半导体基底上形成的纳米结构晶体管产生的纳米结构晶体管内的短通道效应和漏电的可能性。
半导体装置及其形成方法

[发明专利]半导体装置及其形成方法-CN202310095233.3在审
发明人： 沙哈吉·B·摩尔 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-02-07 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：将一内间隔物形成至一长度而减少未在一纳米结构晶体管的一源极/漏极区的一外延层成长的可能性。这样减少了部分外延层变得不被合并的可能性，而顺便减少空孔形成在源极/漏极区的可能性。还有，可以使用一循环的沉积与蚀刻技术来形成外延层，其可以实现外延层的共形成长，以进一步在源极/漏极区减少形成空孔的可能性及减少形成团块的可能性。在其他例子之间，减少缺陷可以减少半导体装置的失效、增加半导体装置的良率及/或增加半导体装置的效能。
半导体装置及其形成方法

[发明专利]鳍状场效晶体管装置及其形成方法-CN201711283937.4有效
发明人：马志宇;沙哈吉·B·摩尔;李承翰;潘正扬;张世杰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-12-07 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种鳍状场效晶体管装置及其形成方法，鳍状场效晶体管装置的形成方法包括提供基板，其具有栅极结构于基板的第一侧上；形成凹陷，且凹陷与栅极结构相邻；以及形成具有掺杂的第一半导体层于凹陷中，第一半导体层为非顺应性，且第一半导体层衬垫凹陷并自凹陷底部延伸至凹陷顶部。此方法亦包括形成具有掺杂的第二半导体层于凹陷中及第一半导体层上，且第二半导体层中掺杂的第二浓度大于第一半导体层中掺杂的第一浓度。
鳍状场效晶体管装置及其形成方法

[实用新型]半导体结构-CN202222490152.7有效
发明人： 沙哈吉·B·摩尔 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-09-20 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种半导体结构，包含第一多栅极装置、第二多栅极装置和隔离结构。第一多栅极装置具有第一通道层沿第一方向在第一外延源极/漏极之间延伸。第二多栅极装置具有第二通道层沿第一方向在第二外延源极/漏极之间延伸。第一外延源极/漏极和第二外延源极/漏极沿不同于第一方向的第二方向分别具有第一宽度和第二宽度。隔离结构包含基底隔离部件上方的介电鳍片。介电鳍片介于第一外延源极/漏极和第二外延源极/漏极之间。介电鳍片具有沿第二方向的第三宽度。沿第二方向的第一外延源极/漏极与第二外延源极/漏极之间的距离大于第三宽度、小于第二宽度且小于第一宽度。
半导体结构

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202210852451.2在审
发明人：张正伟;沙哈吉·B·摩尔;刘奕莹;梁顺鑫;王菘豊 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-19 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：示例性形成半导体结构的方法包括在半导体台面上方形成具有半导体层堆叠件的半导体鳍。半导体堆叠件包括第一半导体层、第二半导体层，并且第一半导体层位于半导体台面和第二半导体层之间。该方法还包括形成与半导体台面相邻的隔离部件以及沿着半导体层堆叠件的侧壁形成半导体保护层。半导体保护层在半导体台面的顶表面之下延伸，并且隔离部件的部分位于半导体保护层和半导体台面的侧壁之间。该方法还包括在沟道区域中，用栅极堆叠件替换半导体鳍的第一半导体层和半导体保护层。隔离部件的部分位于栅极堆叠件和半导体台面的侧壁之间。本发明的实施例还提供了半导体结构。
半导体结构及其形成方法

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