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[发明专利]太阳能电池及太阳能电池组件-CN201810812946.6有效
发明人：王子谦;张伟;郎芳;沈艳娇;翟金叶;孟庆超;张文辉;张向前;李锋;史金超 -专利权人：英利能源（中国）有限公司
申请日： 2018-07-23 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明适用于光伏发电技术领域，提供了一种太阳能电池及太阳能电池组件，太阳能电池包括：衬底；衬底中第一掺杂区域的正面和第二掺杂区域的背面均掺杂N型杂质，衬底中第一掺杂区域的背面和第二掺杂区域的正面均掺杂P型杂质；衬底中第一掺杂区域与第二掺杂区域之间设有本征区域；衬底的表面设有钝化膜；衬底中第一掺杂区域和第二掺杂区域的表面均印刷有细栅线和主栅线，细栅线和主栅线穿透所述钝化膜与所述衬底形成欧姆接触；衬底中第一掺杂区域正面的主栅线与第二掺杂区域正面的主栅线连接。本发明能够防止激光划片造成的太阳能电池的碎裂，并提高太阳能电池组件的输出功率。
太阳能电池组件

[发明专利]太阳能电池的制备方法及太阳能电池组件-CN201810813858.8有效
发明人：郎芳;王子谦;张伟;张建旗;孟庆超;沈艳娇;翟金叶;张磊;张向前;李锋;史金超 -专利权人：英利能源（中国）有限公司
申请日： 2018-07-23 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明适用于光伏发电技术领域，提供了一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池组件，该方法包括：衬底经制绒处理后，对衬底中第一掺杂区域的正面和第二掺杂区域的背面均掺杂N型杂质；在衬底的正面分别沉积第一氧化铝薄膜和第一氮化硅薄膜，衬底的背面分别沉积第二氧化铝薄膜和第二氮化硅薄膜；在衬底中第二掺杂区域的正面开设第一开槽，第一掺杂区域的背面开设第二开槽；制备栅线，并进行烧结处理，其中，第一掺杂区域正面的主栅线与第二掺杂区域正面的主栅线连接。本发明能够防止激光划片造成的太阳能电池的碎裂，并提高太阳能电池组件的输出功率。
太阳能电池制备方法组件

[发明专利]N型背接触太阳能电池的制备方法及太阳能电池-CN201810435859.3有效
发明人：王子谦;翟金叶;张伟;沈艳娇;孟庆超;张文辉;李锋;史金超 -专利权人：英利能源(中国)有限公司
申请日： 2018-05-08 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明适用于太阳能电池技术领域，提供了一种N型背接触太阳能电池的制备方法及太阳能电池，该方法包括：在对N型硅片制绒后，在所述硅片的受光面制备发射结，在所述硅片的非受光面制备背场；在制备发射结和背场后的硅片预设位置处制备通孔；去除制备通孔后的硅片的第一区域的发射结和背场；在去除第一区域的发射结和背场后的硅片的受光面和非受光面制备钝化膜；在制备钝化膜后的硅片上的通孔内印刷浆料；在印刷浆料后的硅片的受光面和非受光面分别印刷栅线，其中，所述非受光面的栅线将相临两个电池片串联；烧结形成太阳能电池。本发明能够降低焊带电阻造成的功率损耗，提升太阳能电池的性能。
制备硅片太阳能电池发射结背场非受光面受光面通孔背接触太阳能电池第一区域印刷浆料钝化膜栅线去除太阳能电池技术电池片串联功率损耗预设位置烧结电阻焊带受光制绒印刷

[发明专利]IBC太阳能电池及其制备方法-CN201711485736.2有效
发明人：王子谦;刘大伟;翟金叶;张伟;孟庆超;沈艳娇;李锋;张建旗 -专利权人：英利能源（中国）有限公司
申请日： 2017-12-30 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本发明提供了一种IBC太阳能电池及其制备方法，属于太阳能电池领域，本发明提供的IBC太阳能电池，通过激光划线将IBC电池片均分成偶数个相同的电池单元，相邻电池单元之间绝缘；沿将来焊带连接位置进行绝缘浆料的印刷，使得若干根焊带在水平方向上，依次间隔连接P型金属化栅线和N型金属化栅线，若干根焊带中的每根焊带在竖直方向上分别连接相邻电池单元的正极和负极，从而可以使得一条连续的焊带将各个电池单元串联。从而在不改变电池、组件设备、工艺的条件下，获得开压提升、短路电流降低的效果，从而在组件封装过程中增大开路电压、减小短路电流，从而降低因电流、电阻造成的封装损失。
太阳能电池根焊相邻电池单元短路电流焊带化栅制备太阳能电池领域正极电池单元串联负极电池单元激光划线间隔连接绝缘浆料开路电压连接位置组件封装组件设备电池片电阻减小竖直绝缘封装电池印刷

[发明专利]n型晶体硅太阳电池及其制备方法-CN201710188475.1有效
发明人：麦耀华;陈兵兵;葛坤鹏;沈艳娇;许颖;陈剑辉 -专利权人：河北大学
申请日： 2017-03-27 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本发明提供了一种n型晶体硅太阳电池及其制备方法。所述n型晶体硅太阳电池的背场是通过n型晶体硅和n型晶体硅背面的低功函材料来实现的；低功函材料为低功函金属或低功函合金；低功函金属可以为镁、锗、锂、钕或钙等，低功函合金可以为镁钕合金、镁锗合金、镁锂合金、锗锂合金或钙镁锗锂合金等。将低功函金属或低功函合金制作在n型晶体硅的背面，可实现能带弯曲，形成“n‑n⁺”高低结，进而可驱赶空穴，增强电子的传输功能，使电池获得高的开路电压及短路电流，提高电池的效率。而且，制备过程简单，成本低，无需高温，无需后退火处理，还不会给硅片带来损伤，也不会对环境造成污染。
晶体太阳电池及其制备方法

[实用新型]太阳能电池及太阳能电池组件-CN201821124764.1有效
发明人：张伟;翟金叶;沈艳娇;王子谦;郎芳;李锋;史金超 -专利权人：英利能源（中国）有限公司
申请日： 2018-07-16 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型适用于光伏发电技术领域，提供了一种太阳能电池及太阳能电池组件。太阳能电池包括：衬底；所述衬底的正面设有前场，所述衬底的背面设有发射极；所述前场的上表面设有第一隧穿氧化层，所述第一隧穿氧化层与正面栅线对应区域的表面设有第一多晶硅层；所述第一隧穿氧化层与吸光区对应区域的表面设有第一减反膜，所述第一多晶硅层的表面设有正面栅线；所述发射极表面设有第二隧穿氧化层；所述第二隧穿氧化层的表面设有第二多晶硅层；所述第二多晶硅层的表面设有背面栅线，所述第二多晶硅层中除与背面栅线对应区域的表面设有第二减反膜。本实用新型能够提高太阳能电池的效率。
隧穿氧化层多晶硅层太阳能电池衬底太阳能电池组件本实用新型背面栅线正面栅线发射极表面光伏发电发射极上表面吸光区背面

[发明专利]太阳能电池的制备方法及太阳能电池-CN201810779926.3在审
发明人：张伟;翟金叶;沈艳娇;王子谦;郎芳;李锋;史金超 -专利权人：英利能源（中国）有限公司
申请日： 2018-07-16 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明适用于光伏发电技术领域，提供了一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池，该方法包括：衬底经制绒和背面抛光处理后，在所述衬底的正面制备第一隧穿氧化层，在所述衬底的背面制备第二隧穿氧化层；在所述第一隧穿氧化层中与正面栅线对应区域的表面生长第一多晶硅层，在所述第二隧穿氧化层的表面生长第二多晶硅层，并在所述衬底的正面制备前场，在所述衬底的背面制备发射极；在制备前场和发射极后的衬底的正面生长第一减反膜，衬底的背面生长第二减反膜；在制备第一减反膜和第二减反膜后的衬底的正面印刷正面栅线，衬底的背面印刷背面栅线，并进行烧结处理。本发明能够提高太阳能电池的效率。
衬底制备太阳能电池隧穿氧化层背面表面生长多晶硅层正面栅线发射极背面抛光背面栅线光伏发电烧结处理正面印刷生长印刷

[发明专利]一种金属掺杂钙钛矿薄膜、其制备方法及应用-CN201610205639.2有效
发明人：麦耀华;范建东;张星;刘冲;沈艳娇;李红亮;陈荣荣 -专利权人：河北大学
申请日： 2016-04-05 - 公布日： 2018-08-21 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明提供了一种金属掺杂钙钛矿薄膜、其制备方法及应用。本发明中金属掺杂钙钛矿薄膜的制备方法具体是：将金属粉末溶解在HX溶液中，形成含有金属离子的HX溶液，X为Cl、Br或I；将含有金属离子的HX溶液与甲胺溶液通过混合、烘干，制备成掺杂金属离子的MAX粉末；将掺杂金属离子的MAX粉末与铅盐混合并溶于二甲基甲酰胺中，制备成钙钛矿前驱液；所述铅盐为PbBr2、PbI2或PbCl2；将钙钛矿前驱液通过旋涂工艺制备成掺杂金属离子的钙钛矿薄膜。本发明通过液相一步法制备出了掺杂金属离子的钙钛矿薄膜，所制备的钙钛矿薄膜覆盖度得到明显的增加，完全可以满足钙钛矿太阳能电池对钙钛矿薄膜高质量的要求。
一种金属掺杂钙钛矿薄膜制备方法应用

[实用新型]母猪吸奶器-CN201621452094.7有效
发明人：王丽丽;赵宝利;李建明;沈艳娇;李智;王晓东 -专利权人：北京养猪育种中心
申请日： 2016-12-27 - 公布日： 2018-04-17 - 主分类号： A61M1/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种母猪吸奶器，其包括三通管件、母猪乳房罩、奶瓶和气囊，三通管件具有第一管口、第二管口和第三管口；母猪乳房罩设置在第一管口处；奶瓶与第二管口连接；气囊与第三管口连接。通过该装置可以把母猪的乳汁转移至奶瓶中，然后再把奶瓶中的乳汁供给多个仔猪喂养进食，同时，其也避免了母猪的多余乳汁浪费的问题。
母猪吸奶器

[发明专利]一种多铁氧化物叉指背接触太阳能电池及其制备方法-CN201610105495.3有效
发明人：陈剑辉;麦耀华;沈艳娇;陈兵兵;许颖;代秀红;刘保亭 -专利权人：河北大学
申请日： 2016-02-26 - 公布日： 2017-12-26 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种多铁氧化物叉指背接触太阳能电池及其制备方法。所述多铁氧化物叉指背接触太阳能电池包括玻璃衬底，在所述玻璃衬底上制有透明导电薄膜，在所述透明导电薄膜上生长有多铁氧化物薄膜，生长所述多铁氧化物薄膜时通过掩膜版在所述透明导电薄膜上预留有极化电极区域；在所述多铁氧化物薄膜上制有交叉排列的第一电极和第二电极；在所述透明导电薄膜的所述极化电极区域上制有极化电极，所述极化电极用于实现对多铁氧化物薄膜上不同区域的极化。本发明所提供的电池，光生载流子的分离和输运不再需要p‑n结或者高低结形成的内建电场，而是被多铁氧化物薄膜内部的极化场分离和输运，制备工艺简单，且电池的能量转化效率高。
一种氧化物 ibc 太阳能电池及其制备方法

[实用新型]可光辐照、可控气氛的加热装置-CN201621358547.X有效
发明人：麦耀华;陈兵兵;沈艳娇;陈剑辉 -专利权人：河北大学
申请日： 2016-12-12 - 公布日： 2017-07-04 - 主分类号： G01N1/44 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种可光辐照、可控气氛的加热装置。其结构包括底座及设置在所述底座上的加热板和透明钟罩，所述透明钟罩为下端敞口的中空腔体结构，所述透明钟罩扣盖在所述底座上，使得透明钟罩的内腔为封闭空间；所述加热板位于所述透明钟罩的内腔中，所述加热板上用于放置待加热样品；在所述底座上沿厚度方向开有与所述透明钟罩内腔相连通的充气口和真空接口；通过充气口可向所述透明钟罩的内腔中通入所需气氛，通过真空接口可对所述透明钟罩的内腔进行抽真空；外置光源可通过透明钟罩对加热板上的待加热样品进行光辐照。本实用新型结构简单，操作便捷，是集光辐照、气氛可控、加热于一体的装置，非常适于有机薄膜的加热和/或光辐照实验。
辐照可控气氛加热装置

[实用新型]硅片少子寿命测试用的气氛控制装置-CN201621358548.4有效
发明人：麦耀华;沈艳娇;陈兵兵;郭建新;陈剑辉 -专利权人：河北大学
申请日： 2016-12-12 - 公布日： 2017-07-04 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种硅片少子寿命测试用的气氛控制装置。其结构是在少子寿命测试平台上设置有上下开口、用于罩住待测硅片的盒体，在所述盒体的上开口处扣盖有透明盖，且所述盒体的上开口处与所述透明盖接触部位设置有上密封圈，所述盒体的下开口处与少子寿命测试平台接触部位设置有下密封圈；在所述盒体的侧壁开有与所述盒体内腔相通的进气口和出气口，通过所述进气口和所述出气口可向所述盒体的内腔中提供硅片少子寿命测试所需的气氛。本实用新型结构简单，可直接安置在少子寿命测试平台上，能够为少子寿命测试平台上的硅片提供各种不同的气氛；且盒体上方的透明盖可以为全光谱透明或选择性光谱透明的盖子，因此光谱兼容性也比较好。
硅片少子寿命测试气氛控制装置

[发明专利]硅片的表面钝化技术-CN201611003636.7在审
发明人：麦耀华;沈艳娇;陈兵兵;郭建新;许颖;陈剑辉 -专利权人：河北大学
申请日： 2016-11-15 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅片的表面钝化技术。本发明通过在硅片的表面制备聚苯乙烯磺酸薄膜，以实现对硅片表面的钝化。在硅片表面所制备的聚苯乙烯磺酸薄膜的厚度为纳米量级。聚苯乙烯磺酸薄膜钝化硅片表面后，可获得高质量的钝化效果，少子寿命可达到20ms以上。且制备聚苯乙烯磺酸薄膜可通过旋涂法、喷涂法或印刷法等来实现，钝化技术工艺简单，无需真空，无需高温，安全且便于操作。本发明所提供的钝化技术对于硅材料检测和硅太阳能电池的表面钝化具有非常重要的应用价值。
硅片表面钝化技术

[发明专利]双面钝化异质结太阳能电池及其制备方法-CN201611003166.4在审
发明人：麦耀华;沈艳娇;陈兵兵;李红亮;许颖;陈剑辉 -专利权人：河北大学
申请日： 2016-11-15 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明提供了一种双面钝化异质结太阳能电池及其制备方法。所述双面钝化异质结太阳能电池的结构是：在n型硅衬底的正面制有第一钝化层，在n型硅衬底的背面制有第二钝化层，第一钝化层为PSS薄膜或掺杂PEDOT的PSS薄膜，第二钝化层为PSS薄膜或掺杂PEDOT的PSS薄膜；在第一钝化层上制有发射极，在发射极上制有正面电极；在n型硅衬底的背面制有穿过第二钝化层的背面栅型线电极。PSS薄膜具有非常好的钝化效果，因此使得太阳能电池具有较好的性能。第一钝化层上的发射极同时兼为减反射层，因此无需使用昂贵的ITO材料。且第一钝化层、第二钝化层以及发射极均可采用非真空工艺制备，可大大降低太阳能电池的制备成本。
双面钝化异质结太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种无铅钙钛矿薄膜、其制备方法及应用-CN201610238703.7在审
发明人：范建东;沈艳娇;刘冲;张星;李红亮;陈荣荣;麦耀华 -专利权人：河北大学
申请日： 2016-04-18 - 公布日： 2016-06-15 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种无铅钙钛矿薄膜、其制备方法及应用。所述无铅钙钛矿薄膜的制备方法具体是：称取SnX₂和CH₃NH₃X作为两个蒸发源，X为Cl、Br或I；将两个蒸发源及衬底放入共蒸发设备的腔室内，并对腔室抽真空；先对SnX₂进行加热，使SnX₂蒸发并沉积在衬底上；之后停止对SnX₂进行加热，继而对CH₃NH₃X加热，使CH₃NH₃X蒸发并沉积在衬底上，完成SnX₂和CH₃NH₃X交替蒸发的一个循环；接着完成SnX₂和CH₃NH₃X交替蒸发的第二个循环；最后取出衬底进行退火处理。本发明通过有机无机交替共蒸发的方法来制备钙钛矿薄膜，不仅可获得优质薄膜，而且还可解决铅污染的问题，还能实现产业化发展。
一种无铅钙钛矿薄膜制备方法应用

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