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[发明专利]一种金刚石薄膜微波等离子体化学气相沉积使用的基片台-CN201911341286.9有效
发明人：刘胜;甘志银;汪启军;沈桥 -专利权人：广东众元半导体科技有限公司
申请日： 2019-12-24 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本发明提供了一种利用热管理与磁场导引等离子结合的基片台，通过在基片台中隐埋不同导热率的材料进行热管理设计达到平衡等离子不同区域的温度，减少高温等离子体轰击衬底时形成的衬底温度水平方面的温度梯度。另外就是在基片台中安装磁铁，通过磁场对等离子导引，以及隐埋软磁材料改变等离子的形状分布，进一步提高衬底温度有效区的大小以及等离子的均匀性。本发明的优点是可以显著提高金刚石微波等离子体化学气相沉积工艺的薄膜沉积的有效面积，以及改善等离子的密度分布，装置简单，便于实施。
一种金刚石薄膜微波等离子体化学沉积使用基片台

[发明专利]一种集成MBE装置的激光加工系统-CN202310611288.5在审
发明人：刘胜;东芳;甘志银;沈桥;雷诚;翁跃云;芦相宇;刘剑辉;周易岗 -专利权人：武汉大学
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明提出了一种集成MBE装置的激光加工系统，包括MBE生长室、样品台、光路机构、隔热机构和冷却机构，MBE生长室的一侧设有开口；样品台固定在MBE生长室的内部，且与开口的位置相对应，样品台用于放置衬底样品材料；光路机构相对设置于MBE生长室的一侧，且光路机构上设有出光端，出光端的一侧贯穿MBE生长室的开口并伸入其内部，并与样品台呈相对间隔设置，光路机构与MBE生长室的开口处密封连接，本系统将光路机构集成于MBE装置内，将光路机构集成到MBE装置内，采用激光直写的方式近距离对样品加工，提高了激光聚焦能力，有效保证了激光加工的精度和质量。
一种集成 mbe 装置激光加工系统

[发明专利]抛物面聚光器沿集热管法线方向光能流密度测试系统-CN201710167850.4有效
发明人：韩雷涛;沈斌;沈金俞;戚佳力;沈桥 -专利权人：浙江省太阳能产品质量检验中心
申请日： 2017-03-21 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G01M11/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种抛物面聚光器沿集热管法线方向光能流密度测试系统，包括待测抛物面聚光器和集热管，待测抛物面聚光器的上方可移动设置有装有光源的光源安装架，集热管内部在光源的正下方设置有CCD摄像头，CCD摄像头受第三电动驱动装置驱动绕集热管的中轴线转动，第一电动驱动装置、第二、第三电动驱动装置通过运动控制卡连接到装有图像处理软件的主控计算机，CCD摄像头通过图像采集卡连接到主控计算机，主控计算机具有显示器，第一电动驱动装置和第二电动驱动装置工作时驱动CCD摄像头和光源保持相同的速度向相同的方向移动。本发明中的结构合理，用于测试抛物面聚光器沿集热管法线方向光能流密度均匀性，测试精度高且速度快。
抛物面聚光器热管法线方向光能密度测试系统

[发明专利]一种内热壁式分子束外延腔体-CN202111381316.6在审
发明人：刘胜;甘志银;沈桥;植成杨;严晗 -专利权人：广东众元半导体科技有限公司
申请日： 2021-11-21 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本发明提供一种内热壁式分子束外延腔体。反应腔体内部上方安装有伸缩传动机构和波纹管，伸缩传动机构和波纹管上安装有托盘加热装置和托盘支架，反应腔体下部安装有石英环，石英环内安装有气体源注入口、真空抽气口、源炉一和源炉二。反应腔下方侧边安装有红外加热光源一和红外加热光源二。根据分子束外延生长的材料和工艺流程调节红外加热光源一和红外加热光源二的光源功率加热石英环，石英环通过旋转运动实现温度在圆周空间均匀。本发明提供一种内热壁式分子束外延腔体，有效降低材料在侧壁的沉积与挥发，从而实现高质量的分子束外延异质结。
一种内热分子外延

[发明专利]一种原位制备图形微结构薄膜的分子束外延装置及方法-CN202111381317.0在审
发明人：刘胜;甘志银;沈桥;植成杨;严晗 -专利权人：广东众元半导体科技有限公司
申请日： 2021-11-21 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C30B23/04 文献下载
摘要：本发明提供一种原位制备图形微结构薄膜的分子束外延装置及方法，反应腔底部安装有光栅透镜、平面超透镜和激光光源。在分子束外延工艺过程中，激光光源通过平面超透镜变为平行光，再通过光栅透镜形成平面微结构图案并垂直照射到衬底表面。光栅透镜与衬底分别通过磁力驱动机构和电机控制系统实现同步旋转。本发明专利可实现原位在线调控薄膜图形化生长。
一种原位制备图形微结构薄膜分子外延装置方法

[发明专利]一种多源在线切换的分子束外延腔体及方法-CN202111381318.5在审
发明人：刘胜;甘志银;沈桥;植成杨;严晗 -专利权人：广东众元半导体科技有限公司
申请日： 2021-11-21 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本发明提供一种多源在线切换的分子束外延腔体及方法，其特征在于，包括上腔体和下腔体，上腔体分别安装有进样口和上真空抽气口和衬底托架，下腔体分别安装有下真空抽气口，源炉支架一和源炉支架二，上腔体和下腔体之间安装有平板阀门。当开展多层多元化合物分子束外延生长时，通过下旋转轴带动源炉支架旋转，从而实现在线将多个源炉切换到衬底下方，实现所需反应源的在线切换。本发明专利可以解决常规分子束外延生长系统中多组分多层薄膜连续生长的难题，此外也为高性能多层复杂异质薄膜在线集成制备技术提供了可能。
一种在线切换分子外延方法

[发明专利]一种温度场自补偿的真空样品台加热装置-CN202111064445.2在审
发明人：刘胜;甘志银;沈桥;植成杨;严晗 -专利权人：广东众元半导体科技有限公司
申请日： 2021-09-11 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： C30B23/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种温度场自补偿的真空样品台加热装置，主要包含5个部分，内圈加热片，主加热片一，主加热片二，主加热片三，外圈加热片。本发明专利所设计加热器结构上的形变自补偿可以平衡由于高温变形所带来的加热温度场整体偏移。此外，通过调节主加热片一、主加热片二和主加热片三的加热功率关系，再通过内圈加热片和外圈加热片的加热功率优化，可以实现样品台托盘上的高温温度均匀。本发明专利的加热装置可以很方便的实现尺寸拓展，尤其适合多片大尺寸外延生长系统的均匀加热。
一种温度场补偿真空样品加热装置

[发明专利]一种分子束外延生长异质界面的方法与装置-CN202111064452.2在审
发明人：刘胜;甘志银;沈桥;植成杨;严晗 -专利权人：广东众元半导体科技有限公司
申请日： 2021-09-11 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种分子束外延生长异质界面的方法与装置，该装置包含电子束调控系统和电磁调控系统，根据所要制备的异质界面薄膜的结构变化、材料的组分变化或掺杂浓度梯度变化，合理设置电子束调控系统和电磁调控系统的占空比频率，实现两者之间的协调调控。本发明技术通过非机械的方式实现对异质界面材料的组分或掺杂浓度调控，调控速率十分迅速，根据编程控制电子束调控系统和电磁调控系统可以实现复杂多样的异质界面结构。
一种分子外延生长界面方法装置

[发明专利]一种动态控制源流量的分子束源炉-CN202111064453.7在审
发明人：刘胜;甘志银;沈桥;植成杨;严晗 -专利权人：广东众元半导体科技有限公司
申请日： 2021-09-11 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本发明提供一种动态控制源流量的分子束源炉，从源材料容器底部往顶部依次安装有底层源蒸发预加热装置，中间层动态温度补偿加热装置，顶层束流高低温加热装置。各层分别对源材料进行加热。根据材料的外延生长速率需要合理设置底层源蒸发预加热装置的功率，根据材料组分或材料掺杂变化情况，需要合理调整中间层动态温度补偿加热装置和顶层束流高低温加热装置的功率，从而解决分子束外延生长系统中快速动态调整掺杂金属源流量的难题。
一种动态控制源流分子束源炉

[发明专利]一种衬底加热器-CN202110615227.7在审
发明人：刘胜;甘志银;王亦凡;沈桥 -专利权人：广东众元半导体科技有限公司
申请日： 2021-06-03 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H05B3/02 文献下载
摘要：一种用于MBE设备的衬底加热器，主要包括外框、固定顶板、上隔热板、侧隔热环、下层隔热板、内圈加热丝、外圈加热丝。本发明采用内外双热丝产生的双热区加热方式，可以提高衬底片的加热温度均匀性，提高分子束外延反应速率，能够提高晶体生长质量，显著提高晶体生长速率，提高生产效率，降低生产成本；采用多层隔热板平行排布设计，有效降低样品台加热丝热源对腔体内部热量的耗散，减少对MBE腔体内其他组件的热影响，保障MBE运行性能。
一种衬底加热器

[发明专利]一种精度与位宽可重构的高能效近似乘法器-CN202210564410.3在审
发明人：刘波;张人元;沈桥;王学涛;徐子航;蔡浩;杨军 -专利权人：东南大学
申请日： 2022-05-23 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： G06F7/523 文献下载
摘要：本发明提出一种精度与位宽可重构的高能效近似乘法器，利用引入了惩罚系数的笛卡尔遗传规划方法生成n×n低阶近似乘法器，并将其与n×n精确乘法器结合，拼接成2n×2n高阶近似乘法器。最终近似累加阶段引入近似线以实现精度可重构，并提出近似乘法与近似加法误差互补偿的方案进一步优化精度。电路结构包括使用了笛卡尔遗传规划生成近似乘法器的第一级近似乘法电路和基于低位或门加法器和近似线的第二级加法电路，实现了神经网络应用中高能效、高精度、低延迟、位宽可重构的乘法运算。
一种精度位宽可重构能效近似乘法器

[发明专利]一种微波等离子体化学气相沉积装置-CN201810566023.7有效
发明人：刘胜;沈桥;甘志银 -专利权人：广东众元半导体科技有限公司
申请日： 2018-06-05 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： C30B25/08 文献下载
摘要：本发明公布了一种微波等离子体化学气相沉积装置，包括上部腔体、下部腔体、中心轴、样品台、密封绝缘件、绝缘支撑件、进气口和出气口。中心轴设置在反应腔上方，并和反应腔形成微波馈入的同轴波导。设置在反应腔下方的样品台用于放置衬底，面对样品台一侧的中心轴设置有凹陷结构表面。密封绝缘件和绝缘支撑件设置在同轴波导内，同时中心轴的下端面低于密封绝缘件的下端面和绝缘支撑件的下端面，密封绝缘件和绝缘支撑件远离等离子体从而避免被等离子体刻蚀。进气口和出气口采用水平进气和出气方式，有利于在衬底上形成高质量、高均匀性的外延生长。本发明解决了反应腔中大功率微波馈入问题，并实现稳定可靠的真空密封，同时保证反应气体的均匀性。
一种微波等离子体化学沉积装置

[发明专利]一种可适应多尺寸衬底厚度变化的MPCVD基片台-CN201911341285.4在审
发明人：刘胜;杨柏;甘志银;沈桥 -专利权人：广东众元半导体科技有限公司
申请日： 2019-12-24 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本发明公开了一种可适应多尺寸衬底生长过程中厚度变化的MPCVD基片台，主要包括基片台、衬底环、顶针推杆平台、电机传导推杆和电机，衬底环放置在基片台的凹槽中，凹槽中设置若干通孔，顶针推杆平台顶部的顶针穿过通孔与衬底环底部连接，顶针推杆平台底部与电机传导推杆顶部固定连接，电机运转推动电机传导推杆，并带动顶针推杆平台及与其连接的衬底环上下垂直运动。本发明设计的衬底环自动上下垂直升降机构，可以实现衬底在生长过程中保证衬底托随衬底的厚度变化进行实时调整，可以有效在MPCVD装置中改善金刚石生长后的表面质量。
一种适应尺寸衬底厚度变化 mpcvd 基片台

[发明专利]一种可拆卸式化学气相沉积喷淋装置-CN201710118651.4有效
发明人：甘志银;沈桥 -专利权人：广东众元半导体科技有限公司
申请日： 2017-03-01 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明公开了一种可拆卸式化学气相沉积喷淋装置，主要由气体混合腔、喷淋板、喷淋管和可拆顶板组成，其特征在于在现有喷淋装置基础上加一层可拆卸顶板，该顶板具有单独水冷腔用于提供稳定的温度边界。本发明的优点是可拆顶板可以简化现有喷淋制造工艺，降低对原喷淋面的加工要求，并可以单独卸下清洗，对提高工艺质量具有积极影响。
一种可拆卸化学沉积喷淋装置

[发明专利]一种非接触式的喷淋清洁装置-CN201811103558.7在审
发明人：刘胜;甘志银;沈桥;植成杨 -专利权人：广东众元半导体科技有限公司
申请日： 2018-09-20 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公布了一种非接触式的喷淋清洁机构，包含清洁头、运动组件和吸尘组件。清洁头位于吸尘组件内腔，可释放能量源。运动组件驱动清洁头运动，使清洁能量源覆盖整个喷淋。吸尘组件可以和清洁头一起被运动组件驱动扫描喷淋面；或者吸尘组件外形与喷淋外形大小相仿，固定不动，运动组件驱动清洁头扫描喷淋面。吸尘组件包含一个抽气管道，抽气管道与抽气装置相连，当吸尘组件贴近喷淋时，形成相对密封的内腔，被清洁掉落的残留物由抽气装置抽走。本发明具有非接触、清洗效果好、操作简便、自动化程度高以及提高生产效率等优点。
一种接触喷淋清洁装置

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