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[发明专利]一种倒装红光芯片及其制作方法-CN201910822393.7在审
发明人： 汤英文 -专利权人：闽南师范大学
申请日： 2019-09-02 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明属于芯片技术领域，公开了一种倒装红光芯片及其制作方法，玻璃片等透明基板通过粘接胶与红光LED的P层连接，形成倒装红光LED。本发明将红光系列外延片从P面进行机械划片，划有宽10微‑200微米、深20微米‑200微米的槽，将红光外延片分成长宽为10微米‑2毫米的方块；用透明无机胶水如硅溶胶，或者耐高温的透明胶如聚酰亚胺胶，与透明基板如玻璃片、蓝宝石等黏在一起；制作P电极、N电极，形成红光系列倒装芯片。一般透明耐高温的胶都有溶剂，本发明中槽的作用主要是为溶剂提供了释放通道，使外延片和透明衬底牢牢黏在一起。
外延片红光透明基板红光LED 玻璃片耐高温溶剂倒装透明芯片技术领域聚酰亚胺胶蓝宝石倒装芯片红光芯片机械划片无机胶水硅溶胶透明胶粘接胶衬底制作释放

[发明专利]一种具有高反射P电极的红黄光发光二极管芯片-CN201910822392.2在审
发明人： 汤英文 -专利权人：闽南师范大学
申请日： 2019-09-02 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本发明属于发光二极管技术领域，公开了一种具有高反射P电极的红黄光发光二极管芯片，设置有P面；P面先生长一层SiO₂或者ITO，P面通过光刻腐蚀出SiO₂或ITO的孔，孔里形成P面欧姆接触电极；在SiO₂或ITO上形成微米的反射电极，反射电极的起粘结层作用与SiO₂连接，反射电极与SiO2或ITO一起组成芯片的全反射镜；全反射镜与导电基板键合在一起，在发光二极管芯片N层层上端设置有N电极。本发明能使Ag与SiO₂或ITO紧密粘在一起，使Ag做反射电极，降低了芯片制造成本，提高了对红黄光的反射率。
反射电极黄光发光二极管全反射镜芯片高反射发光二极管技术发光二极管芯片欧姆接触电极导电基板光刻腐蚀芯片制造上端反射率粘结层黄光键合

[发明专利]具有高反射欧姆接触电极的短波紫外LED芯片制造方法-CN201610472516.5有效
发明人： 汤英文 -专利权人：闽南师范大学;江苏达安光电有限公司
申请日： 2016-06-24 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本发明公开了具有高反射欧姆接触电极的紫外LED芯片制造方法，在衬底上生长有紫外量子阱结构的Al_xGa_1‑xN(0≤x≤1)半导体单晶薄膜，得到结构I；将半导体薄膜进行光刻、刻蚀，刻蚀到P型Al_xGa_1‑xN层，留下的P型GaN层的圆柱，P型GaN圆柱间距在0.3‑6微米间，将半导体薄膜进行光刻定义出芯片图形后将其刻蚀穿或不刻蚀穿；制作高反射欧姆接触层及阻挡层，通过键合或电镀或二者的混合方式将芯片转移到导电衬底上，最后制作成紫外LED器件，紫外LED通过用对紫外具有高反射率的Ni/Al、Pt/Al、Pd/Al等金属叠层在P型GaN及P型Al_xGa_1‑xN层形成较好的反射欧姆接触，提高了紫外光出光效率。
具有反射欧姆接触电极短波紫外 led 芯片制造方法

[发明专利]一种短波紫外发光芯片的制造方法-CN201711172867.5在审
发明人： 汤英文 -专利权人：闽南师范大学;江苏达安光电有限公司
申请日： 2017-11-22 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种短波紫外发光芯片的制造方法，复合衬底包括PSS及在PSS上生长的经过抛光处理的结晶层AlN，AlN抛光处理过程是将PSS上的不平整的AlN连同PSS的蒙古包尖端的蓝宝石被抛光成镜面，再在镜面用溅射等方法生长一层AlN；将生长在复合衬底上的紫外LED器件结构的半导体薄膜进行光刻，定义出芯片图形后刻蚀，刻蚀到本征层AlGaInN或者刻蚀到衬底，在芯片图形上刻蚀形成若干N电极孔，在P型层上形成具有反射作用又起欧姆接触的P电极金属、在N电极孔形成N电极，在P电极反射欧姆接触层上形成阻挡保护层，生长绝缘层，然后光刻后腐蚀绝缘层开孔，加厚N电极和P电极得到倒装结构芯片；本发明的有益效果是提高材料的晶体质量，又可以提高出光效率。
一种短波紫外发光芯片制造方法

[发明专利]一种半导体图形衬底的制造及外延的方法-CN201710890136.8在审
发明人： 汤英文 -专利权人：闽南师范大学;江苏达安光电有限公司
申请日： 2017-09-27 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明属于半导体领域，公开了一种半导体图形衬底的制造及外延的方法，通过将蓝宝石等衬底生长一层氧化锌ZnO；然后制作成蒙古包一样的ZnO图形，露出蓝宝石；然后用物理气相沉积PVD等物理方法生长AlN保护层；通过高温氢气或氨气把保护层下的ZnO反应掉或部分反应掉，留下来的AlN为中空的蒙古包。本发明大大缓冲了AlGaInN与蓝宝石之间的热应力，这样就减少了蓝宝石与AlGaInN之间的膨胀系数差异引起的应力，可以大大减少AlGaInN的位错从而提高晶体质量，可以代替GaN单晶衬底，达到降低芯片制造成本,有利于AlGaInN基LED、电子及微波器件的民用。
一种半导体图形衬底制造外延方法

[发明专利]能够释放应力的垂直结构LED薄膜芯片的制备方法-CN201410483423.3有效
发明人：刘军林;王光绪;汤英文;熊传兵;江风益 -专利权人：南昌大学;南昌黄绿照明有限公司
申请日： 2014-09-22 - 公布日： 2017-06-16 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种能够释放应力的垂直结构LED薄膜芯片的制作方法及结构，在科学选择设计阻挡层，特别是第一键合层、中间层和第二键合层材料及结构的基础之上，设计LED薄膜和基板之间的金属或合金在去除衬底后通过低温退火处理熔化或部分熔化，从而使得LED薄膜在此熔化过程中可以自由伸展、自平坦化，达到了有效释放LED薄膜中的残余应力的效果，且又不会因退火熔化的温度过高而破坏LED芯片的光电性能。其结构包括衬底，在衬底上设置有包括缓冲层、n型层、发光层和P型层在内的LED薄膜，在LED薄膜上依次沉积有反射接触层、阻挡层，特征是在阻挡层下方形成有混合层，在混合层下方有基板正面保护层、基板、基板反面保护层和接触层。
能够释放应力垂直结构 led 薄膜芯片制备方法

[发明专利]一种具有回熔层的LED薄膜芯片的制备方法及结构-CN201410483425.2有效
发明人：王光绪;刘军林;汤英文;陶喜霞;江风益 -专利权人：南昌大学;南昌黄绿照明有限公司
申请日： 2014-09-22 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有回熔层的LED薄膜芯片的制备方法及结构，其特征是通过在LED薄膜的下方设计有由低熔点金属形成的回熔层，并在去除原生长衬底之后通过退火处理使回熔层熔化，使得LED薄膜在回熔层熔化过程中能够自平坦化，从而达到了充分释放LED薄膜中残余应力的效果，提高了LED芯片可靠性、稳定性和寿命。同时，本发明公开了由上述制备方法得到的结构，包括衬底，在所述衬底上设置有包括缓冲层、n型层、发光层和P型层在内的LED薄膜，在LED薄膜上依次沉积有反射接触层、阻挡层、稀释保护层、合金层，在所述合金层上设有基板正面保护层、基板、基板反面保护层和接触层。
一种具有回熔层 led 薄膜芯片制备方法结构

[发明专利]半导体芯片的制造方法-CN201610897956.5在审
发明人： 汤英文 -专利权人：闽南师范大学;江苏达安光电有限公司
申请日： 2016-10-14 - 公布日： 2017-02-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体芯片的制造方法，包括在复合衬底上生长有结构的半导体薄膜，得到结构I；将半导体薄膜进行光刻，定义出图形后刻蚀，刻蚀到腐蚀层，去掉光刻胶，清洗，依次形成反射欧姆接触层、阻挡保护层，键合层，得到结构II；将结构II的键合层通过邦定压焊、电镀、或者两者混合的方式转移到导电衬底的粘结层上，得到结构III；将结构III放入腐蚀液中腐蚀掉腐蚀层，得到结构V；将结构V进行粗化，去边、钝化，得到钝化层，去掉要做电极地方的钝化层，做上N电极，得到成品。本发明降低了与外延衬底的晶格及热应力失配大的半导体薄膜在其上生长难度，简化芯片制造过程,降低芯片制造成本。
半导体芯片制造方法

[发明专利]芯片的制造方法-CN201510684719.6在审
发明人： 汤英文 -专利权人： 汤英文
申请日： 2015-10-22 - 公布日： 2016-02-10 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种芯片的制造方法，(1)在复合衬底上生长有结构的半导体薄膜，得到结构I；(2)将半导体薄膜进行光刻，定义出图形后刻蚀，刻蚀到腐蚀层，然后去掉光刻胶，清洗，分别形成反射欧姆接触层及反射欧姆接触层的阻挡保护层，得到结构II；(3)将结构II的阻挡保护层通过邦定压焊、电镀、或者两者混合的方式转移到导电衬底的粘结层上，得到结构III；(4)将结构III放入腐蚀液中腐蚀掉腐蚀层，得到结构V；(5)将结构V进行粗化，去边、钝化，得到钝化层，然后去掉要做电极地方的钝化层，做上N电极，最终得到成品。本发明避免了现在用激光剥离的方法需要减薄衬底、衬底上的残留、给半导体材料带来额外的缺陷和应力，简化芯片制造过程，降低芯片制造成本。
芯片制造方法

[发明专利]Si衬底上选择性生长GaN基薄膜材料的方法-CN201410491866.7在审
发明人：刘军林;江风益;汤英文;王光绪;陶喜霞 -专利权人：南昌大学;南昌黄绿照明有限公司
申请日： 2014-09-24 - 公布日： 2015-02-18 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种在Si衬底上选择性生长GaN基薄膜材料的方法，它包括如下步骤：提供Si（111）衬底并在其上沉积SiO₂介质膜；将所述SiO₂介质膜制成线宽为微米数量级的图形，以使所述衬底被分割成一定尺寸的分立的生长平台；将所述衬底放入MOCVD反应室，以所述线宽为微米数量级的图形为掩膜进行区域选择性生长：采用单层AlN缓冲层生长GaN主层；所述单层AlN缓冲层在1000℃～1300℃条件下生长，厚度为300Ǻ～3000Ǻ。本发明实现了GaN基薄膜材料在Si衬底分立生长平台上真正分立生长，可充分释放外延层中的应力、有效控制裂纹的传递和增生，大大提升了Si衬底上生长GaN基薄膜材料的窗口，可有效节约GaN基薄膜材料及器件的生产成本，且本发明可广泛应用于各种GaN基薄膜材料的生长。
si 衬底选择性生长 gan 薄膜材料方法

[实用新型]具有银锡焊接电极的半导体发光器件-CN201120407404.4有效
发明人：江风益;王立;汤英文 -专利权人：南昌黄绿照明有限公司
申请日： 2011-10-24 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有银锡焊接电极的半导体发光器件，它包括：具有第一表面和第二表面的半导体发光叠层，在半导体发光叠层的第一表面上形成P型欧姆电极和N型欧姆电极，在半导体发光叠层朝上的第二表面形成一层支撑基板，特征是：在半导体发光叠层的第一表面上，N型欧姆电极与使用银锡材料制备的N型焊接电极相连，P型欧姆电极和使用银锡材料制备的P型焊接电极相连，即在半导体发光叠层的第一表面形成P型焊接电极和N型焊接电极。所述的P型焊接电极和N型焊接电极至少覆盖半导体发光叠层的第一表面50%的面积。本实用新型具有大幅降低制造成本、取光效率高、散热性能好的特点，克服了市场上现有的倒装芯片的制造成本较高的缺点。
具有焊接电极半导体发光器件

[发明专利]一种倒装半导体发光器件及其制造方法-CN201110325094.6有效
发明人：王立;汤英文;江风益 -专利权人：南昌黄绿照明有限公司
申请日： 2011-10-24 - 公布日： 2012-02-15 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种倒装半导体发光器件及其制造方法，它包括：具有第一表面和第二表面的半导体发光叠层，在半导体发光叠层的第一表面上形成P型欧姆电极和N型欧姆电极，在半导体发光叠层朝上的第二表面形成一层支撑基板，特征是：所述的支撑基板是由玻璃或氧化硅材料制成的。在所述的支撑基板和半导体发光叠层之间设有一层粘接层。本发明的半导体发光器件由于采用有利于出光的倒装结构，从而可以提高芯片的取光效率和可靠性，并具有散热性能好的特点。本发明的半导体发光器件的制造方法能使制造成本大幅下降，从而使得半导体发光器件的成本较低，克服了市场上现有的倒装芯片的制造成本较高的缺点。
一种倒装半导体发光器件及其制造方法

[发明专利]具有透明有机支撑基板的半导体发光器件及其制备方法-CN201110298309.X无效
发明人： 汤英文;王立;江风益 -专利权人：南昌黄绿照明有限公司
申请日： 2011-09-29 - 公布日： 2012-01-18 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有透明有机支撑基板的半导体发光器件及其制备方法，该半导体发光器件包括：具有第一表面和第二表面的半导体发光叠层，特征是：半导体发光叠层的第一表面为P型导电层，在第一表面的部分区域上形成一个或多个底部为N型导电层的凹坑，在P型导电层上形成P型欧姆电极，在N型导电层上形成N型欧姆电极；在半导体发光叠层的第二表面形成一层由透光的有机材料制成的支撑基板。半导体发光叠层发出的光可透过该支撑基板射出。本发明的半导体发光器件由于采用有利于出光的倒装结构，从而可以提高芯片的取光效率和可靠性，并具有散热性能好的特点。本发明的半导体发光器件的制备方法能使制造成本大幅下降，从而使得半导体发光器件的成本较低，克服了市场上现有的倒装芯片的制造成本较高的缺点。
具有透明有机支撑半导体发光器件及其制备方法

[发明专利]具有高反射欧姆电极的半导体发光器件-CN200880128212.0有效
发明人： 汤英文;王立;江风益 -专利权人：晶能光电(江西)有限公司
申请日： 2008-03-26 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种半导体发光器件，该器件包括在导电衬底上的多层半导体结构。所述多层半导体结构包括位于所述导电衬底上的第一掺杂半导体层，位于所述第一掺杂半导体层上的第二掺杂半导体层，和/或位于所述第一和第二掺杂半导体层之间的MQW有源层。该器件还包括在所述第一掺杂半导体层和所述导电衬底之间的反射欧姆接触层，所述反射欧姆接触层包括Ag和下列材料中的一种Ru、Rh、Pd、Au、Os、Ir、和Pt；加上Zn、Mg、Be、和Cd中的至少一种；以及下列材料中的若干种：W、Cu、Fe、Ti、Ta、和Cr。该器件进一步包括在所述反射欧姆接触金属层和所述导电衬底之间的邦定层，与所述导电衬底连接的第一电极，以及与所述第二掺杂半导体层连接的第二电极。
具有反射欧姆电极半导体发光器件

[发明专利]具有在p-型层内钝化的半导体发光器件-CN200880130785.7有效
发明人：江风益;汤英文;莫春兰;王立 -专利权人：晶能光电(江西)有限公司
申请日： 2008-08-19 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种半导体发光器件，该器件包括衬底；第一掺杂半导体层；位于所述第一掺杂层上的第二掺杂半导体层，以及位于所述第一和第二掺杂半导体层之间的多量子阱(MQW)有源层。该器件还包括与所述第一掺杂半导体层连接的第一电极，其中部分所述第一掺杂半导体层被钝化，且所述第一掺杂半导体层的钝化部分实质上将所述第一电极与所述第一掺杂半导体层的边缘隔离，从而降低表面复合。该器件进一步包括与所述第二掺杂半导体层连接的第二电极以及钝化层，其大体上覆盖所述第一和第二掺杂半导体层以及MQW有源层的侧面，以及未被所述第二电极覆盖的所述第二掺杂半导体层的部分水平表面。
具有型层内钝化半导体发光器件

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