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[发明专利]具有高反射欧姆接触电极的短波紫外LED芯片制造方法-CN201610472516.5有效
发明人：汤英文 -专利权人：闽南师范大学;江苏达安光电有限公司
申请日： 2016-06-24 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本发明公开了具有高反射欧姆接触电极的紫外LED芯片制造方法，在衬底上生长有紫外量子阱结构的Al_xGa_1‑xN(0≤x≤1)半导体单晶薄膜，得到结构I；将半导体薄膜进行光刻、刻蚀，刻蚀到P型Al_xGa_1‑xN层，留下的P型GaN层的圆柱，P型GaN圆柱间距在0.3‑6微米间，将半导体薄膜进行光刻定义出芯片图形后将其刻蚀穿或不刻蚀穿；制作高反射欧姆接触层及阻挡层，通过键合或电镀或二者的混合方式将芯片转移到导电衬底上，最后制作成紫外LED器件，紫外LED通过用对紫外具有高反射率的Ni/Al、Pt/Al、Pd/Al等金属叠层在P型GaN及P型Al_xGa_1‑xN层形成较好的反射欧姆接触，提高了紫外光出光效率。
具有反射欧姆接触电极短波紫外 led 芯片制造方法

[发明专利]一种短波紫外发光芯片的制造方法-CN201711172867.5在审
发明人：汤英文 -专利权人：闽南师范大学;江苏达安光电有限公司
申请日： 2017-11-22 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种短波紫外发光芯片的制造方法，复合衬底包括PSS及在PSS上生长的经过抛光处理的结晶层AlN，AlN抛光处理过程是将PSS上的不平整的AlN连同PSS的蒙古包尖端的蓝宝石被抛光成镜面，再在镜面用溅射等方法生长一层AlN；将生长在复合衬底上的紫外LED器件结构的半导体薄膜进行光刻，定义出芯片图形后刻蚀，刻蚀到本征层AlGaInN或者刻蚀到衬底，在芯片图形上刻蚀形成若干N电极孔，在P型层上形成具有反射作用又起欧姆接触的P电极金属、在N电极孔形成N电极，在P电极反射欧姆接触层上形成阻挡保护层，生长绝缘层，然后光刻后腐蚀绝缘层开孔，加厚N电极和P电极得到倒装结构芯片；本发明的有益效果是提高材料的晶体质量，又可以提高出光效率。
一种短波紫外发光芯片制造方法

[发明专利]一种半导体图形衬底的制造及外延的方法-CN201710890136.8在审
发明人：汤英文 -专利权人：闽南师范大学;江苏达安光电有限公司
申请日： 2017-09-27 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明属于半导体领域，公开了一种半导体图形衬底的制造及外延的方法，通过将蓝宝石等衬底生长一层氧化锌ZnO；然后制作成蒙古包一样的ZnO图形，露出蓝宝石；然后用物理气相沉积PVD等物理方法生长AlN保护层；通过高温氢气或氨气把保护层下的ZnO反应掉或部分反应掉，留下来的AlN为中空的蒙古包。本发明大大缓冲了AlGaInN与蓝宝石之间的热应力，这样就减少了蓝宝石与AlGaInN之间的膨胀系数差异引起的应力，可以大大减少AlGaInN的位错从而提高晶体质量，可以代替GaN单晶衬底，达到降低芯片制造成本,有利于AlGaInN基LED、电子及微波器件的民用。
一种半导体图形衬底制造外延方法

[发明专利]半导体芯片的制造方法-CN201610897956.5在审
发明人：汤英文 -专利权人：闽南师范大学;江苏达安光电有限公司
申请日： 2016-10-14 - 公布日： 2017-02-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体芯片的制造方法，包括在复合衬底上生长有结构的半导体薄膜，得到结构I；将半导体薄膜进行光刻，定义出图形后刻蚀，刻蚀到腐蚀层，去掉光刻胶，清洗，依次形成反射欧姆接触层、阻挡保护层，键合层，得到结构II；将结构II的键合层通过邦定压焊、电镀、或者两者混合的方式转移到导电衬底的粘结层上，得到结构III；将结构III放入腐蚀液中腐蚀掉腐蚀层，得到结构V；将结构V进行粗化，去边、钝化，得到钝化层，去掉要做电极地方的钝化层，做上N电极，得到成品。本发明降低了与外延衬底的晶格及热应力失配大的半导体薄膜在其上生长难度，简化芯片制造过程,降低芯片制造成本。
半导体芯片制造方法