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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]传感器-CN202010160623.0在审
发明人：丸藤龙之介;池桥民雄;富泽泰;加治志织 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2020-03-10 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： G01C19/56 文献下载
摘要：根据实施方式，所涉及的传感器包括可动部件、第1对置电极、第2对置电极、第1电阻、第2电阻以及控制装置。可动部件包括第1电极和第2电极，能够进行振动。可动部件的振动包含第1方向的第1分量和第2方向的第2分量。第1电阻包括第1端部和第1另一端部。第2电阻包括第2端部和第2另一端部。第1另一端部与第1对置电极连接。第2另一端部与第2对置电极连接。控制装置包括实施第1动作的控制部。在第1动作中，变更第1电阻的电阻值、第2电阻的电阻值、第1端部的第1电压和第2端部的第2电压中的至少任一方，以使得第1分量的第1时间常数与第2分量的第2时间常数之差的绝对值减小。由此，提供能够提高精度的传感器。
传感器

[发明专利]角速度取得装置-CN201710120474.3有效
发明人：富泽泰;山本悠;池桥民雄 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2017-03-02 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： G01C19/5712 文献下载
摘要：实施方式提供一种加工偏差不易给动作带来影响的角速度取得装置。实施方式的角速度取得装置具备：可动体，该可动体在第1方向及基于科里奥利力的第2方向上振动，具有在上述第2方向上延伸的可动电极部；保持电极，具有在上述第2方向上延伸、并隔开间隙地与上述可动电极部对置的固定电极部；以及挡块，配置在上述固定电极部与上述可动电极部之间，具有位于比上述固定电极部的与上述可动电极部对置的面更靠上述可动电极部侧的端部。
角速度取得装置

[发明专利]陀螺仪传感器的角速度的取得方法及取得装置-CN201610103834.4有效
发明人： 池桥民雄 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2016-02-25 - 公布日： 2019-09-20 - 主分类号： G01C19/5621 文献下载
摘要：根据实施方式，一种陀螺仪传感器的角速度的取得方法，具备如下步骤：检测依赖于基于作用在沿第1方向振动的可动体上的科里奥利力的第2方向的振动的振幅的规定物理量；基于上述检测出的规定物理量计算上述可动体的角速度，在陀螺仪传感器的角速度的取得方法中，当基于上述科里奥利力的第2方向的振动是非稳定状态时检测上述规定物理量。
陀螺仪传感器角速度取得方法装置

[发明专利]气体传感器及其制造方法-CN201810211511.6在审
发明人： 池桥民雄;山崎宏明 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2018-03-15 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： G01N27/22 文献下载
摘要：本发明的实施方式涉及气体传感器。提供具有足够的性能的气体传感器。实施方式的气体传感器包括基板区域和设置于所述基板区域上的第1电极。气体传感器还包括可动构造，该可动构造设置于所述第1电极的上方，包括通过吸收或者吸附预定的气体而变形的变形部件、用于对所述变形部件进行加热的加热部件以及第2电极。在所述第1电极与所述第2电极之间设置有第1空洞区域。
气体传感器电极变形部件基板区域可动加热部件空洞区域变形的吸附加热吸收制造

[发明专利]传感器及其制造方法-CN201510518658.6有效
发明人： 池桥民雄 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2015-08-21 - 公布日： 2018-11-30 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：根据一个实施例，公开了一种传感器。所述传感器包括：基板；第一固定电极，其被布置在所述基板上；可动电极，其被布置在所述第一固定电极之上并且能非平行地移动；第二固定电极，其被布置在所述可动电极之上。所述传感器还包括检测器，所述检测器用以检测第一电容与第二电容之间的差，其中，所述第一电容是所述第一固定电极与所述可动电极之间的电容，所述第二电容是所述可动电极与所述第二固定电极之间的电容。
传感器及其制造方法

[发明专利]电子装置-CN201510148559.3有效
发明人： 池桥民雄 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2015-03-31 - 公布日： 2017-09-29 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：本发明描述了一种电子装置。根据一个实施例，电子装置包括至少一个可变电容器(10a)，其包括第一电极和第二电极，并且根据施加在所述第一电极与所述第二电极之间的电压而进入第一状态和第二状态的其中之一，与所述第一状态相比，所述第一电极与所述第二电极在所述第二状态下彼此更加靠近；以及电荷泵电路(20)，其设置在第一集成电路芯片(100)中并且产生用于建立所述第二状态的电压。外部电容器(70)能够连接到所述第一集成电路芯片并且能够接收由所述电荷泵电路产生的所述电压。
电子装置

[发明专利]高频电子元件-CN200910126558.3无效
发明人：日浦滋;山崎宏明;池桥民雄 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2009-03-12 - 公布日： 2009-09-16 - 主分类号： H01P1/12 文献下载
摘要：本发明所要解决的技术问题是提供一种可实现具有高Q值的可变电容部且可减少电路损耗的高频电子元件。其解决方案是作为高频电子元件的高频MEMS(1)具有：硅基板(2)；在硅基板(2)上彼此交叉地形成的高频信号线(5)和接地线(4)；以及电介质膜(8)，其在高频信号线(5)和接地线(4)的梁(8)交叉的部分，形成在高频信号线(5)和接地线(4)的至少一方上，且构成可变电容部(13)，该可变电容部(13)为，高频信号线(5)和接地线(4)能够沿接触分离方向相对移位地被支撑。
高频电子元件

[发明专利]包含用于驱动静电型致动器的电路的半导体集成电路、MEMS及静电型致动器的驱动方法-CN200710105311.4有效
发明人： 池桥民雄;山崎宏明 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2007-02-09 - 公布日： 2007-09-26 - 主分类号： H01L27/00 文献下载
摘要：半导体集成电路具有静电型致动器、检测电路、存储电路及偏置电路。上述静电型致动器具有上部电极、下部电极及在上述上部电极和上述下部电极间配置的上述绝缘膜。上述检测电路检测上述静电型致动器的上述绝缘膜中所积蓄的上述电荷量。上述存储电路存储由上述检测电路检测的上述电荷量的检测结果。上述偏置电路根据上述存储电路存储的上述检测结果，使用于驱动上述静电型致动器的驱动电压变化。
包含用于驱动静电型致动器电路半导体集成电路 mems 方法

[发明专利]具有横梁结构的器件和半导体器件-CN200610063988.1无效
发明人： 池桥民雄 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2006-12-20 - 公布日： 2007-06-27 - 主分类号： B81B3/00 文献下载
摘要：一种具有横梁结构的器件包括衬底、分别设置在该衬底上面和之上的锚定件和空腔、以及横梁结构，该横梁结构设置在锚定件上面和空腔之上，在第一方向上延伸，并且包括多个凸起部分和多个凹进部分，每个凸起部分具有提供凸起弯曲这样的应力梯度，而每个凹进部分具有提供凹进弯曲这样的应力梯度。凸起部分和凹进部分交替重复布置。
具有横梁结构器件半导体器件

[发明专利]采用MEMS技术制作的半导体器件-CN200610074716.1无效
发明人： 池桥民雄 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2006-04-11 - 公布日： 2006-10-18 - 主分类号： H01H57/00 文献下载
摘要：一种半导体器件，它包括弹性部件、第一和第二电极、压电致动器、以及静电致动器。弹性部件的一个末端通过固定器被固定在衬底上，以便在弹性部件与衬底之间形成间隙。第一和第二电极分别被安置成面对弹性部件的另一末端和衬底。此压电致动器使弹性部件的另一末端形变，以便使之靠近衬底。静电致动器包括位于弹性部件中的第三电极和位于衬底上面对第三电极的第四电极，并使弹性部件的另一末端形变，以便使之靠近衬底。借助于驱动压电致动器和静电致动器，来改变第一电极与第二电极之间的距离。
采用 mems 技术制作半导体器件

[发明专利]具有执行器的半导体装置-CN200510119434.4无效
发明人：大黑达也;池桥民雄;松尾美惠;关根秀一 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2005-11-11 - 公布日： 2006-06-21 - 主分类号： H01L29/84 文献下载
摘要：提供一种具有执行器的半导体装置，其中具有半导体基板；在上述半导体基板的上方设置空间进行配置，具有下部电极及上部电极和夹在这些下部电极及上部电极之间的压电体层，在上述下部电极、上述上部电极及上述压电体层之中至少上述压电体层的整个表面大致是平坦的执行器。
具有执行半导体装置

[发明专利]半导体存储装置-CN200410042144.X无效
发明人： 池桥民雄;大泽隆;藤田胜之 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2004-05-09 - 公布日： 2004-12-01 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：提供一种具有在SOI基板上形成的1个晶体管/1个单元结构的存储器单元、可高速读出的半导体存储装置。半导体存储装置包括具有通过绝缘层与底基板分离的半导体层的元件基板、和在上述元件基板的半导体层上排列形成的多个存储器件单元，各存储器件单元具有持有浮动状态的主体的MOS晶体管结构，具有通过该主体的多数载流子储存状态存储数据的存储器单元阵列；和读出上述存储器单元阵列的选择存储器单元的数据并存储在数据锁存器中、将该读出数据输送到输出电路的同时向上述选择存储器单元进行回写的读出放大器电路。
半导体存储装置

[发明专利]半导体存储器件及其控制方法-CN03158559.0无效
发明人： 池桥民雄;大泽隆 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2003-09-18 - 公布日： 2004-05-05 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：半导体存储器件具有：把多个存储单元配置为矩阵状的存储单元阵列、多条字线、多条位线、解码器电路、读出部件。在解码器电路中输入地址信号和第一控制信号，根据所述第一控制信号，驱动由所述地址信号决定的字线即选择字线或与所述选择字线相邻的字线即相邻字线。读出部件连接在所述位线上，读出连接在由所述解码器电路驱动的字线上的存储单元中存储的数据。
半导体存储器件及其控制方法

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