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[发明专利]一种多晶硅棒破碎装置及其破碎方法-CN202311072814.1在审
发明人：韩秀娟;孙彬;吴锋;徐玲锋;闫家强 -专利权人： 江苏鑫华半导体科技股份有限公司
申请日： 2023-08-24 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： B02C19/06 文献下载
摘要：本发明涉及多晶硅生产技术领域，尤其涉及一种多晶硅棒破碎装置及其破碎方法，通过将多晶硅棒加热‑急冷处理，使硅棒获得晶间应力产生裂缝；再将产生裂缝的硅棒固定在固定座上，通过驱动机构将破碎装置套于硅棒上，借助外部供气组件使第一气囊和第二气囊充气后包围的硅棒区域即为待破碎的区域；气压脉冲设备运行，在极短的时间内向顶罩内鼓入高压洁净供气，形成气压脉冲，灌入硅棒裂缝中，将裂缝冲开，进而将硅棒破碎。本发明采用的破碎装置能够减少硅料与人的接触，进而避免硅料受到污染；且破碎过程不需借助机械破碎，减少了杂质离子的引入；利用高压脉冲冲击，灌入硅棒裂缝，将其冲开，同时将隐裂显现并冲开，节约人力。
一种多晶破碎装置及其方法

[发明专利]多晶硅棒裂缝产生装置-CN202310875975.8在审
发明人：孙彬;王镇;韩秀娟;齐兰兰;耿盼盼;吴锋;田新;闫家强 -专利权人： 江苏鑫华半导体科技股份有限公司
申请日： 2023-07-17 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本发明属于多晶硅技术领域，提出一种多晶硅棒裂缝产生装置，该装置包括：水封槽，水封槽具有第一进口和第一出口；罩体，第一出口从罩体的一端延伸到罩体内，罩体内设有传动组件和加热组件，传动组件的一端设在第一出口的下游，传动组件的另一端延伸至罩体的另一端，罩体的另一端设有第二出料口；水爆机构，水爆机构包括：喷淋水组件；水槽，水槽内设有转动组件，转动组件可带动多晶硅棒转动，转动组件设在第二出料口的下游且位于喷淋水组件的下方。该装置有利于硅棒高效急冷，可使硅棒彻底裂开，也可避免硅棒表面氧化，且简化了系统，有效降低成本，提高生产效率。
多晶裂缝产生装置

[发明专利]电子级六氯乙硅烷及其制备方法和应用-CN202211313645.1有效
发明人：孙江桥;吴鹏;张正阳;马一雷;徐玲锋;吴锋;田新;蒋文武 -专利权人： 江苏鑫华半导体科技股份有限公司
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明公开了一种电子级六氯乙硅烷及其制备方法和应用，该制备电子级六氯乙硅烷的方法包括：(1)对电子级多晶硅生产系统的尾气进行分离，以便得到氢气和四氯化硅，对电子级多晶硅生产系统中氢化后的混合气体进行精馏，以便得到三氯氢硅；(2)将四氯化硅、氢气、三氯氢硅和硅混合，反应，以便得到六氯乙硅烷混合气；(3)对六氯乙硅烷混合气进行分离，以便得到电子级六氯乙硅烷。由此，显著提高了六氯乙硅烷的纯度，显著提高了电子级多晶硅生产系统中尾气的利用率，极大降低了生产操作成本。
电子级六氯乙硅烷及其制备方法应用

[发明专利]一种用于石英矿的高效冷却方法及冷却系统-CN202311056395.2在审
发明人：沈棽;齐兰兰;江宏富;黄绍文 -专利权人： 江苏鑫华半导体科技股份有限公司
申请日： 2023-08-22 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： F25D31/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于石英矿的高效冷却方法及冷却系统，具体步骤包括：S1：阶段Ⅰ，对焙烧水淬后的石英矿从下至上进行一次正压吹扫，当经除尘处理后的吹扫气体温度≤300℃时，进入阶段Ⅱ，否则持续进行阶段Ⅰ；S2：阶段Ⅱ，对石英矿从下至上进行二次正压吹扫，当经除尘处理后的吹扫气体温度≤200℃时，进入阶段Ⅲ，否则持续进行阶段Ⅱ；S3：阶段Ⅲ，对石英矿从下至上进行三次正压吹扫，持续吹扫直至石英矿温度低于40℃。本发明采用吹扫空气对石英矿进行正压吹扫，实现梯度式降温，带走矿石缝隙中的游离水和热量，从而达到矿石冷却与水分去除的双重目标。
一种用于石英高效冷却方法冷却系统

[发明专利]电子级多晶硅生产中的流体封压方法及应用-CN202310843548.1在审
发明人：袁北京;王美懿;李福中;张开端 -专利权人： 江苏鑫华半导体科技股份有限公司
申请日： 2023-07-10 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明公开了电子级多晶硅生产中的流体封压方法及应用，该流体封压方法包括：采用还原性流体和/或惰性流体对电子级多晶硅生产装置进行封压。由此，既显著提高了电子级多晶硅的产品质量，有利于下游的芯片制造工序，又可以保证精馏塔平稳操作，且不会造成中和碱液的浪费。
电子多晶生产中的流体方法应用

[实用新型]用于区熔检测的多晶硅棒抛光垫-CN202321102142.X有效
发明人：张天雨;田新;蒋文武;吴鹏;闫家强 -专利权人： 江苏鑫华半导体科技股份有限公司
申请日： 2023-05-09 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： B24B37/24 文献下载
摘要：本实用新型公开了用于区熔检测的多晶硅棒抛光垫，该抛光垫包括：抛光垫基体和聚氨酯抛光层，聚氨酯抛光层设在抛光垫基体的至少一侧，在聚氨酯抛光层远离抛光垫基体的一侧设有多个凹槽，凹槽的槽宽沿远离抛光垫基体的方向递增。该抛光垫不仅有利于提高去除效率和抛光效果，还可以避免或降低多晶硅棒表面产生划痕或损伤的风险。
用于检测多晶抛光

[发明专利]硅碳负极材料及其制备方法和应用-CN202310615699.1在审
发明人：田新;江宏富;张建立;姚倩楠;蒋文武 -专利权人： 江苏鑫华半导体科技股份有限公司
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了硅碳负极材料及其制备方法和应用，该方法包括：将分散剂、有机硅烷和硅混合，得到含硅浆料；对含硅浆料进行研磨处理，得到纳米硅浆料；将纳米硅浆料与有机碳源混合并进行干燥处理，得到复合粉体；对复合粉体进行第一煅烧处理，在纳米硅表面形成含碳的第一包覆层；将具有第一包覆层的纳米硅和含碳有机气体混合后进行第二煅烧处理，在第一包覆层上形成含碳的第二包覆层；将具有两层包覆层的纳米硅与石墨和有机碳源混合，进行第三煅烧处理，以便得到硅碳负极材料。该方法生产工艺简单，制得的纳米硅氧含量较低、导电率较高，而且对纳米硅碳包覆均匀、致密、完整，有利于提高电池的首次效率、能量密度、倍率性能和循环稳定性。
负极材料及其制备方法应用

[发明专利]制备低内应力区熔用电子级多晶硅的系统和方法-CN202010120753.1有效
发明人：吴锋;李明峰;赵培芝;高召帅;韩锋 -专利权人： 江苏鑫华半导体科技股份有限公司
申请日： 2020-02-26 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C30B25/00 文献下载
摘要：本发明公开了制备低内应力区熔用电子级多晶硅的系统和方法。其中，制备低内应力区熔用电子级多晶硅的系统包括：多晶硅还原炉，所述多晶硅还原炉内设有底板、多个石墨夹头、多对硅棒，所述硅棒通过所述石墨夹头设在所述底板上；所述多对硅棒包括多对内圈硅棒和多对外圈硅棒，每对所述硅棒包括1个横梁和2个棒体；多个内圈硅棒棒径检测单元，所述内圈硅棒棒径检测单元与所述内圈硅棒相连；三氯氢硅‑氢气进料管线，所述三氯氢硅‑氢气料管线与所述多晶硅还原炉相连；多个二氯二氢硅‑氢气进料喷口，所述二氯二氢硅‑氢气进料喷口布置在所述内圈硅棒的横梁与所述底板中心的连线上。该系统可以产出内应力较小区熔用电子级多晶硅产品。
制备内应力用电多晶系统方法

[发明专利]清洁机器人及清洁方法-CN202310845640.1有效
发明人：王付刚;王敏 -专利权人： 江苏鑫华半导体科技股份有限公司;扬州大学广陵学院
申请日： 2023-07-11 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： B25J9/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种清洁机器人和清洁方法，清洁机器人用于清洁还原炉，还原炉包括待清洁区域，待清洁区域包括清洁面和电极，电极位于清洁面上，清洁机器人包括安装支架、三维图像模组和清洁装置，三维图像模组和清洁装置设置于安装支架上，三维图像模组用于检测待清洁区域的图像信息，清洁装置用于根据图像信息规划清洁路径和清洁模式，并根据清洁路径执行清洁模式以清洁待清洁区域。如此，清洁机器人自动规划待清洁区域的清洁路径和清洁模式，从而对清洁面和电极进行打磨和擦拭，采用清洁机器人对还原炉进行清洁，使得还原炉无需在特定的环境进行清洁，且在更换还原炉时无需重新示教，提高了清洁效率。
清洁机器人方法

[发明专利]制备纳米硅的方法及应用-CN202310612409.8在审
发明人：江宏富;田新;张建立;张春伟;赵佳旗;蒋文武 -专利权人： 江苏鑫华半导体科技股份有限公司
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备纳米硅的方法及应用，该方法包括：(1)将分散剂、有机硅烷和硅混合，以便得到含硅浆料；(2)对含硅浆料进行研磨，以便得到纳米硅浆料；(3)对纳米硅浆料进行热处理，以便得到纳米硅。通过采用本申请的制备方法，极大降低了硅氧化的概率且聚合物保护膜的存在可以抑制硅发生团聚，使得纳米硅具有较高的导电性，从而有利于提高后续装载得到的电池的首次效率、倍率性能和循环寿命。
制备纳米方法应用

[发明专利]一种电子级多晶硅棒破碎方法及系统-CN202310803300.2在审
发明人：孙彬;韩秀娟;齐兰兰;闫家强;吴锋;田新;耿盼盼 -专利权人： 江苏鑫华半导体科技股份有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： B02C19/18 文献下载
摘要：本发明涉及多晶硅技术领域，尤其涉及一种电子级多晶硅棒破碎方法及系统，包括如下步骤：步骤一：对多晶硅棒进行加热‑急冷的步骤，使其表面及内部产生裂缝；步骤二：将多晶硅棒置入密闭容器内，对密闭容器抽真空，并注入适量水，使水对多晶硅棒的裂缝和隐裂缝进行填充；步骤三：排出密闭容器内的水，对多晶硅棒进行急冷，使其裂缝和隐裂缝内的水凝结成冰，对多晶硅棒进行破碎；步骤四：将多晶硅块恢复室温，去除其中水。本发明中可以节约人力，减少硅料与人的接触，进而避免硅料受到污染；不需要借助机械破碎，从而减少金属杂质的引入；且能够将内部的隐裂缝显现，避免后续清洗工序中隐裂显现而产生的多次返工，提高破碎效率。
一种电子多晶破碎方法系统

[发明专利]电子级多晶硅破碎方法-CN202310420218.1在审
发明人：张天雨;田新;蒋文武;李明峰;王付刚;崔会为;袁北京 -专利权人： 江苏鑫华半导体科技股份有限公司
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： B02C19/18 文献下载
摘要：本发明公开了电子级多晶硅破碎方法。电子级多晶硅破碎方法包括：将多晶硅棒切割为多个多晶硅段，所述多晶硅段的长度为10cm‑50cm；对所述多晶硅段进行加热处理；利用喷射组件向加热处理后的所述多晶硅段的柱面和至少一个侧面喷射冷却液，使所述多晶硅段破碎。由此，通过先将多晶硅棒切割为较短的多晶硅段，之后通过加热和急冷处理，使多晶硅破碎为所需的尺寸，破碎效果较好。
电子多晶破碎方法

[发明专利]多晶硅破碎方法-CN202310495908.3在审
发明人：闫家强;吴锋;田新;沙南雪;赵春梅;韩秀娟 -专利权人： 江苏鑫华半导体科技股份有限公司
申请日： 2023-05-05 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： B02C19/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅破碎方法，该方法包括：(1)将多晶硅进行预降温，以便得到预降温后的多晶硅；(2)将所述预降温后的多晶硅进行冷冻，以便得到冷冻后的多晶硅；(3)将所述冷冻后的多晶硅进行加热，以便得到加热后的多晶硅；(4)将所述加热后的多晶硅进行破碎，以便得到破碎后的多晶硅。本发明的多晶硅破碎方法可以使多晶硅获得极大的晶间应力，从而使多晶硅容易破碎，提高多晶硅破碎的产品收率，延长设备破碎机构的使用寿命，并降低维护成本。
多晶破碎方法

[发明专利]制备硅碳负极材料的方法及应用-CN202310611380.1在审
发明人：张建立;姚倩楠;田新;江宏富;冯向阳;蒋立民 -专利权人： 江苏鑫华半导体科技股份有限公司
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备硅碳负极材料的方法及应用，上述方法包括：(1)将碳质材料和纳米硅混合，以便得到复合粉体；(2)对复合粉体进行煅烧处理，以便在纳米硅表面形成含碳的第一包覆层；(3)将步骤(2)得到的具有第一包覆层的纳米硅和含碳有机气体混合后进行煅烧，以便在第一包覆层上形成含碳的第二包覆层；(4)将步骤(3)得到的具有第二包覆层的纳米硅与石墨材料混合，以便得到硅碳负极材料。由此，本发明制备得到的硅碳负极材料的表面碳层包覆均匀致密，显著降低了硅碳负极材料的比表面积，进而显著提高了装载有碳硅负极材料的电池的首次效率、容量、使用安全性和循环寿命，有利于实现硅碳负极材料的批量化生产。
制备负极材料方法应用

[实用新型]托盘-CN202320208949.5有效
发明人：张天雨;田新;蒋文武;吴鹏 -专利权人： 江苏鑫华半导体科技股份有限公司
申请日： 2023-02-14 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： B65D19/38 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种托盘。该托盘包括：托盘本体，所述托盘本体包括底盘、围挡和多个脚柱，所述围挡设置在所述底盘的边缘，所述底盘和所述围挡限定出置物空间，所述脚柱设置在所述底盘远离所述置物空间的表面上；第一缓冲垫，所述第一缓冲垫设置在所述底盘的表面上，且位于所述置物空间内，其中，所述第一缓冲垫远离所述底盘的表面低于所述围挡远离所述底盘的表面。由此，缓冲垫的设置可以有效减少运输过程因颠簸造成电子级多晶硅划破包装袋的风险，进而避免多晶硅的污染。
托盘

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