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[发明专利]纳米金属杂化粒子膏、其制备方法、其应用及电子封装的方法-CN202210219801.1在审
发明人：傅晨洁;张浩 -专利权人：松山湖材料实验室;江苏芯澄半导体有限公司
申请日： 2022-03-08 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： B22F9/24 文献下载
摘要：本申请涉及一种纳米金属杂化粒子膏、其制备方法、其应用及电子封装的方法，属电子封装互连材料技术领域。该纳米金属杂化粒子膏的制备方法，包括：将含有第一金属离子的第一金属源、含有第二金属离子的第二金属源、还原剂和溶剂混合并反应，使得第一金属离子被还原成第一金属，第二金属离子被还原成第二金属，得到纳米金属杂化粒子溶液；其中，25℃下，溶剂的粘度在5‑20mPa·s范围内。去除纳米金属杂化粒子溶液中的部分溶剂，直接得到固含量为80％‑99％的纳米金属杂化粒子膏。该制备方法制备得到的纳米金属杂化粒子膏中，纳米金属粒子不易发生团聚，可以使最终的封装效果更好。
纳米金属粒子制备方法应用电子封装

[实用新型]一种便于调整电源端子位置的超声波焊接工装-CN202022001083.X有效
发明人：迪尼斯·特里菲洛夫;叶夫申科·奥克桑德;张浩 -专利权人： 江苏芯澄半导体有限公司
申请日： 2020-09-14 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： B23K20/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种便于调整电源端子位置的超声波焊接工装，包括基体、两个纵向轴、滑块、两个横向轴、端子安装基块、端子安装块，其中基体为一矩形板，其四个顶角处均固定设置有一限位块，限位块上设置有安装孔，两个纵向轴相互平行设置且每个纵向轴的两端均贯穿安装孔，每个纵向轴套接有两个滑块，每个横向轴的两端固定安装于相对设置的滑块，相比于现有技术，本超声波焊接工装采用可以活动的滑块、端子安装基块等结构设计，使用该焊接工装，在电池正式生产前实验验证阶段，不需要更换定板即可实现不同位置的端子焊接，不仅节省了定制不同顶板的资金成本，也节省了定制不同顶板的时间成本，提高了验证效率。
一种便于调整电源端子位置超声波焊接工装

[实用新型]一种具有整体式的散热器的基板-CN202021982342.5有效
发明人：史蒂夫·杨思;张浩 -专利权人： 江苏芯澄半导体有限公司
申请日： 2020-09-11 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种具有整体式的散热器的基板，包括陶瓷层，陶瓷层的一侧为铜层，另一侧为铝层，铜层和铝层均固定连接于中间的陶瓷层，其中，该铝层为厚度不小于1cm的块状且加工有气冷或液冷结构，相对于现有的一般散热结构，本实用新型的技术方案减小了大铜底板的重量。本技术方案还省去了TIM(热界面材料)，这不仅节省了TIM(热界面材料)本身的成本，而且消除了初始单元组装和定期维护所涉及的劳动力。
一种具有整体散热器

[实用新型]一种用于LTCC基板的双层散热结构-CN202022120638.2有效
发明人：史蒂夫·杨思;张浩 -专利权人： 江苏芯澄半导体有限公司
申请日： 2020-09-24 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种用于LTCC基板的双层散热结构，包括LTCC基板以及分别连接于LTCC基板上下两侧的顶部基板和底部基板，该LTCC基板的上下两侧均设置有管孔，该管孔用于安装管芯，该管芯的源极和栅极触点均烧结于LTCC基板，所述LTCC基板的上下表面均覆有铜片，该LTCC基板还包括一陶瓷条，其中位于LTCC基板上表面的铜片由该陶瓷条分为两部分，本技术方案实现了LTCC基板的双层散热，同时充分考虑到了基板以及散热结构在实际生产制造过程中的可行性，使得使用本实用新型所述的结构设计方案可在生产过程中同时在一个生产步骤内将顶部基板和底部基板安装到LTCC基板上。
一种用于 ltcc 双层散热结构

[发明专利]一种宽禁带半导体碳化硅功率模块高温封装结构-CN201810473913.3有效
发明人：张浩 -专利权人： 江苏芯澄半导体有限公司
申请日： 2018-05-17 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：本发明公开了一种宽禁带半导体碳化硅功率模块高温封装结构，涉及碳化硅功率模块封装技术领域，包括碳化硅功率器件和连接各碳化硅功率器件的排线组，还包括隔离衬板，碳化硅功率器件穿设在隔离衬板上，且每两个碳化硅功率器件为一组，每组两碳化硅功率器件的接线通道相对设置，隔离板外设有扣合碳化硅功率器件的壳体，壳体包括分别设于隔离板两侧的上壳体和下壳体。本发明通过预制壳体对碳化硅功率器件进行定位，使并联的碳化硅功率器件整体更稳定，机械强度更高。
一种宽禁带半导体碳化硅功率模块高温封装结构

[发明专利]一种宽禁带半导体碳化硅功率模块高温封装方法-CN201810473957.6有效
发明人：张浩 -专利权人： 江苏芯澄半导体有限公司
申请日： 2018-05-17 - 公布日： 2020-01-17 - 主分类号： H01L23/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种宽禁带半导体碳化硅功率模块高温封装方法，涉及碳化硅功率模块封装技术领域。该一种宽禁带半导体碳化硅功率模块高温封装方法，包括，S1：将环氧树脂材料调制好后，放入模具中定型，脱模后得到壳体；S2：在碳化硅功率器件的外壳上开孔，在孔内放置弹性件；S3：将碳化硅功率器件按照隔离衬板上预留的安装位置逐一对位安装；S4：将上壳体和下壳体向隔离衬板靠拢，壳体扣合后将螺栓拧紧在螺柱上完成封装，弹性件在封装后处于压缩状态。本方案通过预制壳体对碳化硅功率器件进行定位，使外力传递到碳化硅功率器件之前得到一个缓冲，从而更好的保护封装体内的碳化硅功率器件。
碳化硅功率器件碳化硅功率模块封装宽禁带半导体高温封装弹性件隔离衬环氧树脂材料壳体扣合螺栓拧紧外力传递压缩状态上开孔上壳体下壳体预留的预制壳对位放入缓冲壳体螺柱脱模调制定型模具靠拢体内

[发明专利]一种用于新能源汽车的宽禁带半导体碳化硅功率器件封装结构-CN201810468668.7有效
发明人：张浩 -专利权人： 江苏芯澄半导体有限公司
申请日： 2018-05-16 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于新能源汽车的宽禁带半导体碳化硅功率器件封装结构，包括碳化硅功率器件、金属正电极、金属负电极、封装基板、封装外壳及外部引脚，上、下表面分别覆盖有金属正电极及金属负电极的碳化硅功率器件通过封装基板设置封装外壳内，金属负电极通过导热金属层与封装基板连接，导热金属层包括由粘结层连接的第一导热金属层和第二导热金属层，粘结层上设有多个导热孔，封装基板通过粘合层粘结有散热器，封装外壳包括壳体及上盖板，壳体的下端设有插口，壳体内壁上开有锯齿形凹槽；本发明的该封装结构简单，紧凑，有效增强器件的使用寿命，稳定性提高，降低成本，简化工艺。
碳化硅功率器件导热金属层封装基板金属负电极封装结构封装外壳宽禁带半导体金属正电极新能源汽车粘结层壳体散热器锯齿形凹槽插口壳体内壁使用寿命外部引脚导热孔上盖板下表面粘合层下端粘结紧凑覆盖

[发明专利]一种宽禁带半导体碳化硅功率器件封装结构及封装方法-CN201810475345.0在审
发明人：张浩 -专利权人： 江苏芯澄半导体有限公司
申请日： 2018-05-17 - 公布日： 2018-10-02 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明公开了一种宽禁带半导体碳化硅功率器件封装结构及封装方法，涉及碳化硅功率器件封装技术领域。包括正电极和负电极，所述正电极和负电极之间设有碳化硅功率器件，所述负电极下方设有封装基板，所述封装基板外侧设有外壳，所述封装基板下方设有散热器，所述封装基板和负电极之间设有导热层；所述导热层包括数个导热排，每个导热排包括多个相互抵触的导热金属球，所述导热金属球一端与负电极粘结，另一端与封装基板粘结，且相邻导热排的所述导热金属球之间相互抵触，并形成散热间隙。本发明可以快速有效的实现对器件内部进行散热，使内部工作环境温度较低，从而提高使用寿命。
封装基板负电极碳化硅功率器件导热导热金属封装宽禁带半导体封装结构导热层正电极粘结散热器抵触内部工作环境散热间隙使用寿命散热

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