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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202310744230.8在审
发明人：庄宗翰;林志昌;陈仕承;张荣宏;姚茜甯;庄凯麟;江国诚;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：在实施例中，半导体器件包括：第一纳米结构；接触第一纳米结构的第一伪区域的第一未掺杂的半导体层；位于第一未掺杂的半导体层上的第一间隔件；位于第一间隔件上的第一源极/漏极区域，第一源极/漏极区域接触第一纳米结构的第一沟道区域；以及环绕第一纳米结构的第一沟道区域和第一伪区域的第一栅极结构。本发明的实施例还提供了形成半导体器件的方法。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202310710338.5在审
发明人：黄懋霖;朱龙琨;徐崇威;江国诚;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-06-15 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：半导体器件包括：第一沟道区域，设置在衬底上方的第一器件区域中；第一栅极介电层，设置在第一沟道区域上方；第二栅极介电层，设置在第二沟道区域上方；以及栅电极，设置在第一栅极介电层上方。第一栅极介电层包括第一偶极掺杂剂，并且第二栅极介电层包括嵌入在其中的第二偶极掺杂剂。第一栅极介电层和第二栅极介电层之间的边界包含第一偶极掺杂剂和第二偶极掺杂剂。本申请的实施例还涉及制造半导体器件的方法。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202310670962.7在审
发明人： 江国诚;陈冠霖;朱熙甯;郑嵘健;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-06-07 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：一种半导体器件包括形成在衬底上方的第一纳米结构的第一垂直堆叠件；与第一垂直堆叠件相邻的第二纳米结构的第二垂直堆叠件；以及与第一纳米结构相邻的第一栅极结构。第一栅极结构包括位于第一纳米结构之间的第一栅极部分，以及从第一栅极部分的第一侧壁延伸至第一栅极部分的第二侧壁的第二栅极部分。第二侧壁位于第一侧壁和衬底之间，并且第二栅极部分为与第一栅极部分不同的材料。第二栅极结构与第二纳米结构相邻，以及第二壁结构位于第二栅极部分和第二栅极结构之间。本发明的实施例还提供了形成半导体器件的方法。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202310684661.X在审
发明人：徐崇威;潘冠廷;朱龙琨;江国诚;王志豪;余佳霓 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：在实施例中，器件包括：隔离区域，位于衬底上；第一纳米结构，位于隔离区域之上；第二纳米结构，位于隔离区域之上；第一栅极间隔件，位于第一纳米结构上；第二栅极间隔件，位于第二纳米结构上；介电壁，在顶视图中沿着第一方向位于第一栅极间隔件和第二栅极间隔件之间，在顶视图中，介电壁沿着第二方向设置在第一纳米结构和第二纳米结构之间，第一方向垂直于第二方向；以及栅极结构，位于第一纳米结构周围并且位于第二纳米结构周围，栅极结构的第一部分填充介电壁和第一纳米结构之间的第一区，栅极结构的第二部分填充介电壁和第二纳米结构之间的第二区。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202310684955.2在审
发明人：黄一涵;张复成;蓝文廷;朱熙甯;黄麟淯;江国诚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本公开描述了一种在晶圆边缘上形成具有氧化物结构的半导体结构的方法。该方法包括在第一衬底上形成器件层，在器件层上形成互连层，在互连层的顶表面上并沿着互连层的侧壁表面形成氧化物结构，在氧化物结构和互连层上形成接合层，以及用接合层将器件层接合到第二衬底。本申请的实施例还公开了一种半导体结构。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202310415910.5在审
发明人：王志豪;谌俊元;苏焕杰;王圣璁;张罗衡;江国诚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-04-18 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：在制造半导体器件的方法中，在衬底上方形成FET结构，该FET结构包括垂直地布置在底部鳍结构上方的多个半导体片、环绕多个半导体片中的每个半导体片的栅极介电层、设置在栅极介电层上方的栅电极以及源极/漏极结构。在栅电极上方形成栅极帽导电层，用介电鳍结构替换底部鳍结构，在介电鳍结构的相对侧上形成间隔件，通过使用介电鳍结构和间隔件作为蚀刻掩模蚀刻栅电极直到暴露栅极帽导电层来形成沟槽，以及用第一介电材料填充沟槽。本发明的实施例还提供了半导体器件。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202310546205.9在审
发明人：林志昌;张荣宏;陈仕承;王志豪;姚茜甯;庄宗翰;江国诚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-05-16 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：公开了具有背侧接触结构的半导体器件及其制造方法。半导体器件包括：第一和第二S/D区域；纳米结构半导体层的堆叠件，与第一S/D区域相邻设置；栅极结构，围绕每个纳米结构半导体层；第一对间隔件，设置在第一S/D区域的相对侧壁上；第二对间隔件，设置在第二S/D区域的相对侧壁上；第三对间隔件，设置在栅极结构的相对侧壁上；第一接触结构，设置在第一S/D区域的第一表面上；以及第二接触结构，设置在第一S/D区域的第二表面上。第一表面和第二表面彼此相对。第一对间隔件设置在第二接触结构的相对侧壁上。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体元件及其制造方法-CN201711170824.3有效
发明人： 江国诚;程冠伦;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-11-22 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种半导体元件，包括半导体基板、自半导体基板向上延伸的第一及第二元件鳍片、及设置在半导体基板上及在第一与第二元件鳍片之间的填充鳍片，第一元件鳍片及第二元件鳍片沿一第一方向纵向延伸。填充鳍片包含介电材料且沿第一方向延伸，填充鳍片具有凹口。半导体元件进一步包括自第一元件鳍片的通道区域穿过凹口连续地延伸至第二元件鳍片的通道区域的第一栅极结构。
半导体元件及其制造方法

[发明专利]制造半导体器件的方法和半导体器件-CN202310395011.3在审
发明人：潘冠廷;江国诚;朱熙甯;詹易叡;王纬婷;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：根据本申请的实施例，提供了制造半导体器件的方法。在制造半导体器件的方法中，形成包括第一半导体层和第二半导体层的堆叠层的鳍结构，形成隔离绝缘层，使得堆叠层从隔离绝缘层暴露，在暴露的堆叠层的至少侧壁上方形成牺牲包覆层，在暴露的堆叠层上方形成牺牲栅电极，形成层间介电层，部分地凹进牺牲栅电极以留下剩余的牺牲栅电极的柱，去除牺牲包覆层和第一半导体层，形成包裹围绕第二半导体层的栅极介电层以及在栅极介电层上方形成栅电极，去除柱，在去除柱的栅极空间中形成一个或多个介电层。根据本申请的其他实施例，还提供了半导体器件。
制造半导体器件方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202310537785.5在审
发明人：郑嵘健;江国诚;朱熙甯;陈冠霖;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-05-12 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：半导体衬底；第一晶体管，包括位于半导体衬底上方的多个第一堆叠的沟道；第二晶体管，包括位于半导体衬底上方的多个第二堆叠的沟道；隔离结构，包括位于第一堆叠的沟道和第二堆叠的沟道之间的芯介电层；以及高K栅极介电层，位于第一堆叠的沟道和第二堆叠的沟道上、并且位于第一堆叠的沟道和芯介电层之间的、以及第二堆叠的沟道和芯介电层之间的芯介电层的侧壁上。本发明的实施例还提供了形成半导体器件的方法。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]集成电路及其形成方法-CN202310347052.5在审
发明人：朱龙琨;余佳霓;卢俊甫;江国诚;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-04-03 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种处理集成电路的方法，包括形成多个晶体管。该方法利用反色调图案化工艺，选择性地将偶极子驱入一些晶体管的栅极介电层中，同时防止偶极子进入其他晶体管的栅极介电层。可以重复此过程以产生多个晶体管，每个晶体管具有不同的阈值电压。本申请的实施例还公开了一种集成电路及其形成方法。
集成电路及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202310245780.5在审
发明人：游家权;张家豪;江国诚;王志豪;王圣璁;谌俊元;游力蓁;黄麟淯;苏焕杰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：器件包括栅电极和围绕栅电极的栅极电介质。栅电极围绕纳米结构。纳米结构包括堆叠的纳米片。栅极电介质由高k(HK)材料形成。HK材料在与相邻器件对准的方向上覆盖栅电极的侧壁。使HK材料的部分从侧壁凹进并且由具有小于HK材料的介电常数和大于HK材料的电隔离能力的介电材料再填充。利用介电材料替换栅电极的侧壁上方的HK材料增强了栅电极与相邻接触件之间的电隔离。因此，它可以减少集成电路(IC)的缩放晶体管中金属栅极(MG)接触件和金属至器件(MD)接触件之间的漏电。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202310174729.X在审
发明人：游家权;张家豪;江国诚;王志豪;许祝源;陈冠霖;朱熙甯;郑嵘健 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：器件包括衬底上方的纳米结构的第一垂直堆叠件、衬底上方的纳米结构的第二垂直堆叠件、邻接纳米结构的第一垂直堆叠件的第一源极/漏极区域、邻接纳米结构的第二垂直堆叠件的第二源极/漏极区域、环绕第一垂直堆叠件的纳米结构的第一栅极结构、环绕第二垂直堆叠件的纳米结构的第二栅极结构、位于第一和第二源极/漏极区域上方的介电层，以及从介电层的上表面延伸至第一和第二源极/漏极区域的上表面下方的水平的隔离结构，该隔离结构位于第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域之间。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体装置结构及其形成方法-CN202010074227.6有效
发明人： 江国诚;林志昌;潘冠廷;王志豪;朱熙甯 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-01-22 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体装置结构及其形成方法，形成方法包括形成衬层于第一鳍结构及第二鳍结构的侧壁上；形成虚置鳍结构于隔离结构上，虚置鳍结构位于第一鳍结构及第二鳍结构之间；形成盖层于虚置鳍结构上；形成虚置栅极结构于盖层、第一鳍结构及第二鳍结构上；形成介电层包围虚置栅极结构；移除虚置栅极结构以于介电层中形成沟槽；移除沟槽下的衬层以形成第一凹槽于第一鳍结构及虚置鳍结构之间，及第二凹槽于第二鳍结构及虚置鳍结构之间；分别形成第一栅极结构于第一凹槽中及第二栅极结构于第二凹槽中，以虚置鳍结构及盖层分隔第一栅极结构及第二栅极结构。
半导体装置结构及其形成方法

[发明专利]集成电路器件及其制造方法-CN202310007843.3在审
发明人： 江国诚;朱熙甯;陈冠霖;张家豪;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-01-04 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本申请的实施例提供了集成电路器件及其制造方法。集成电路器件包括在衬底上的纳米结构的第一垂直堆叠件、在衬底上的纳米结构的第二垂直堆叠件、在第一和第二垂直堆叠件之间并与第一和第二垂直堆叠件直接接触的壁结构、围绕纳米结构的三个侧的栅极结构和在纳米结构的第一垂直堆叠件旁边的源极/漏极区。
集成电路器件及其制造方法

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