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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法-CN202211083851.8在审
  • 鸟井夏实;永海幸一;舆水地盐;阿部淳 - 东京毅力科创株式会社
  • 2022-09-06 - 2023-03-17 - H01J37/32
  • 本发明提供等离子体处理装置和等离子体处理方法，其能够改善等离子体处理中的基片的边缘区域处的倾斜角度的控制性和基片与边缘环之间的异常放电中的至少一者。等离子体处理装置是对基片进行等离子体处理的装置，包括：腔室；配置于上述腔室内的基片支承体，其具有基座、上述基座上的静电吸盘和以包围载置于上述静电吸盘上的基片的方式配置的边缘环；高频电源，其供给用于从上述腔室的内部的气体生成等离子体的高频电功率；对上述边缘环施加负极性的直流电压的直流电源；控制上述直流电压的波形的波形控制元件；以及控制部，其调整上述波形控制元件的常数来控制上述直流电压达到所希望的值为止的时间。
  • 等离子体处理装置方法
  • [发明专利]等离子体处理装置和蚀刻方法-CN202210948653.7在审
  • 鸟井夏实;永海幸一 - 东京毅力科创株式会社
  • 2022-08-09 - 2023-02-17 - H01J37/20
  • 本发明提供一种等离子体处理装置和蚀刻方法。等离子体处理装置具有：包括下部电极、静电吸盘和边缘环的基片支承体；使边缘环在纵向移动的驱动装置；上部电极；生成源RF电源；偏置RF电源；与边缘环接触的至少1个导体；经由至少1个导体对边缘环施加负极性的直流电压的直流电源；RF滤波器，其电连接于至少1个导体与直流电源之间，包含至少1个可变无源元件；和控制部，其控制驱动装置和至少1个可变无源元件，来调节等离子体中的离子相对于基片的边缘区域的入射角度。根据本发明，能够在等离子体处理中适当地控制等离子体中的离子相对于基片的边缘区域的入射角度。
  • 等离子体处理装置蚀刻方法
  • [发明专利]等离子体处理装置-CN202210570827.0在审
  • 早坂友辅;佐佐木纯;松本和也;高桥慎伍;永海幸一 - 东京毅力科创株式会社
  • 2022-05-24 - 2022-11-29 - H01J37/32
  • 所公开的等离子体处理装置具备腔室、静电卡盘、第1供电线、及第2供电线。静电卡盘包括在其上搭载基板的第1区域及在其上搭载边缘环的第2区域。第1区域包括第1电极。第2区域包括第2电极。第1供电线将产生施加到第1电极的电压的脉冲的偏置电源和第1电极彼此连接。第2供电线将产生施加到第2电极的电压的脉冲的偏置电源和第2电极彼此连接。第2供电线包括一个以上的插座及一个以上的供电引脚。一个以上的供电引脚在径向上具有挠性，并嵌入于一个以上的插座内。
  • 等离子体处理装置
  • [发明专利]滤波电路和等离子体处理装置-CN202210078431.4在审
  • 山岸幸司;青田雄嗣;永海幸一;石原田幸太 - 东京毅力科创株式会社
  • 2022-01-24 - 2022-08-02 - H01J37/32
  • 本发明能够消除等离子体密度分布的偏倚，改善蚀刻特性。提供一种用于等离子体处理装置的高频电力的滤波电路，该等离子体处理装置具有电极和与所述电极的背面的中心部连接的供电体，通过施加高频电力来生成等离子体，其中，所述滤波电路，设置在设置于所述等离子体处理装置的导电性部件与向所述导电性部件供给直流电力或小于400kHz的频率的电力的电源之间的配线上，且具有串联谐振电路，该串联谐振电路具有与所述配线串联连接的线圈和连接在所述配线与接地之间的电容器，所述线圈的中心轴与所述供电体的中心轴一致。
  • 滤波电路等离子体处理装置
  • [发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法-CN202111247505.4在审
  • 大下辰郎;永海幸一 - 东京毅力科创株式会社
  • 2021-10-26 - 2022-05-06 - H01J37/32
  • 本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法，其利用施加到偏压电极的电压脉冲来控制冲击基片的离子的能量。公开的等离子体处理装置包括腔室、基片支承器、等离子体生成部和偏压电源。基片支承器设置在腔室内，包含偏压电极。等离子体生成部构成为能够在腔室内从气体生成等离子体。偏压电源构成为与偏压电极电连接，能够生成施加到偏压电极的多个电压脉冲的序列。多个电压脉冲分别具有从基准电压电平转变为脉冲电压电平的前沿期间和从脉冲电压电平转变为基准电压电平的后沿期间，前沿期间的时间长度和后沿期间的时间长度中的至少一者比0秒长，且为0.5μ秒以下。
  • 等离子体处理装置方法
  • [发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法-CN202110773998.9在审
  • 鸟井夏实;永海幸一 - 东京毅力科创株式会社
  • 2021-07-08 - 2022-01-18 - H01J37/32
  • 本发明提供能够在等离子体处理中恰当地控制基片的边缘区域的倾斜角度、并抑制基片与边缘环之间的放电的等离子体处理装置和等离子体处理方法。等离子体处理装置包括：腔室；设置在腔室内部的载置台，其具有电极、设置在电极上的静电卡盘、和以包围被载置在静电卡盘上的基片的方式配置在该静电卡盘上的边缘环；高频电源，其用于供给用于从腔室的内部的气体生成等离子体的高频电功率；直流电源，其用于对边缘环施加负极性的直流电压；和控制部，其用于控制高频电功率和直流电压。执行包括下述步骤的处理：步骤(a)，停止供给高频电功率，并且停止施加直流电压；和步骤(b)，开始供给高频电功率，经过预先设定的延迟时间后，开始施加直流电压。
  • 等离子体处理装置方法
  • [发明专利]等离子体处理装置的阻抗匹配方法和等离子体处理装置-CN201911153850.4有效
  • 永海幸一;山田纪和 - 东京毅力科创株式会社
  • 2017-10-26 - 2022-01-04 - H01J37/32
  • 本发明提供一种等离子体处理装置的阻抗匹配方法和等离子体处理装置。在一个实施方式中，等离子体处理装置的第一高频电源和第二高频电源分别输出连续波、调制波和双重调制波。在一个实施方式的方法中，对于确定第一高频电源的负载侧的阻抗的第一平均值和确定第二高频电源的负载侧的阻抗的第二平均值，根据从第一高频电源输出的第一高频功率和从第二高频电源输出的第二高频功率，使用两个平均化方法中的任意方法来求得。基于这些第一平均值和第二平均值来进行第一匹配器和第二匹配器的阻抗匹配。由此，能够比较简单地实现等离子体处理装置的第一匹配器和第二匹配器的匹配动作。
  • 等离子体处理装置阻抗匹配方法
  • [发明专利]蚀刻装置及蚀刻方法-CN202110429107.8在审
  • 鸟井夏实;永海幸一;益田法生;铃木贵幸 - 东京毅力科创株式会社
  • 2021-04-21 - 2021-11-02 - H01J37/32
  • 本发明提供一种对基片进行蚀刻的装置，其包括：腔室；基片支承体，其设置在所述腔室的内部，具有电极、设置在所述电极上的静电吸盘和以包围载置在所述静电吸盘上的基片的方式配置的导电性的边缘环；高频电源，其供给用于从所述腔室的内部的气体生成等离子体的高频电功率；和阻抗可变的RF滤波器。所述边缘环和所述RF滤波器经由连接部直接电连接。根据本发明，能够在蚀刻中适当地控制基片的边缘区域的倾斜角度。
  • 蚀刻装置方法
  • [发明专利]控制方法和等离子体处理装置-CN201980017608.6在审
  • 舆水地盐;久保田绅治;丸山幸儿;道菅隆;永海幸一 - 东京毅力科创株式会社
  • 2019-07-17 - 2020-10-23 - H01L21/3065
  • 本发明提供一种具有能够载置被处理体的第一电极和与所述第一电极相对的第二电极的等离子体处理装置的控制方法，其具有：向所述第一电极供给偏置功率的步骤；和向所述第二电极供给负直流电压的步骤，所述负直流电压周期性地反复取第一电压值的第一状态和取绝对值小于所述第一电压值的第二电压值的第二状态，所述控制方法包括第一控制步骤，在与所述偏置功率的高频周期同步的信号的各周期内的部分期间，或者在所述偏置功率的传输路径上所测量的周期性地变动的参数的各周期内的部分期间施加所述第一状态的所述负直流电压，且与所述第一状态相连续地施加所述第二状态的所述负直流电压。
  • 控制方法等离子体处理装置
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