“殷学民”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果35个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种同步实现MOF阵列的快速碳化和表面快速自生CNTs的方法-CN202310814674.4在审
发明人： 殷学民;张欣;郭领军;刘慧敏;李克智;李贺军 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2023-07-05 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C01B32/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种同步实现MOF阵列的快速碳化和表面快速自生CNTs的方法，包括：按1:1的体积比均匀混合0.001～1mol/L的金属盐溶液和浓度为0.001～1mol/L的有机配体溶液，将预处理后的基底垂直浸入混合溶液在室温下静置反应，反应结束后取出基底洗涤烘干，在基底上沉积得到MOF阵列；对负载有MOF阵列的基底进行激光处理，激光强度为100～500W，光斑直径为2～10mm，激光器到基底距离为20～50cm，扫描速率为2～10mm/s，激光处理结束后冷却至室温，得到碳化的MOF阵列和表面快速自生CNTs。本发明的方法简单、快捷，可同步实现MOF阵列的碳化和CNTs的快速自生。
一种同步实现 mof 阵列快速碳化表面自生 cnts 方法

[发明专利]一种多层核壳结构纳米线增韧化学气相沉积SiC涂层及制备方法-CN202211230431.8有效
发明人：付前刚;刘冰;孙佳;殷学民;刘天宇;童明德 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2022-10-08 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： C04B35/80 文献下载
摘要：本发明涉及一种多层核壳结构纳米线增韧化学气相沉积SiC涂层及制备方法，采用三步法，首先采用热蒸发法在碳/碳(C/C)复合材料表面制备SiC@SiO2纳米线，然后利用溶胶凝胶法在纳米线表面包覆TiO2，最后在含SiC@SiO2@TiO2纳米线的C/C复合材料表面通过化学气相沉积工艺制备SiC涂层。通过纳米线的增韧作用减少涂层中裂纹数量并减小裂纹尺寸，避免涂层中贯穿性裂纹的生成；利用TiO2和SiO2的互扩散降低SiO2粘度，提高SiC涂层的自愈合效率，最终实现SiC涂层热防护性能的提升。
一种多层结构纳米线增韧化学沉积 sic 涂层制备方法

[发明专利]定向SiC纳米线阵列表面二次生长超细SiC纳米线、制备方法及应用-CN202310467184.1在审
发明人： 殷学民;刘慧敏;刘冰;张欣;李克智;李贺军 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明涉及一种定向SiC纳米线阵列表面二次生长超细SiC纳米线、制备方法及应用，首先采用催化剂辅助化学气相沉积工艺在碳纤维布表面制备定向SiC纳米线阵列，随后以定向SiC纳米线顶端催化剂颗粒为二次生长SiC纳米线的催化剂，采用负压化学气相沉积工艺在定向SiC纳米线顶端二次原位生长超细SiC纳米线，得到类似洋葱花形状的多级结构SiC纳米线。所制备的多级结构SiC纳米线在多个领域具有可观的发展前景。超细SiC纳米线生长方向随机分布，纳米线间弯曲缠绕形成三维网络结构，增大了基底的比表面积，可在超级电容器电极方面具有广泛应用潜力；此外，超细SiC纳米线与定向SiC纳米线阵列的结合力好，结构稳定，在复合材料强韧化领域应用前景广阔。
定向 sic 纳米阵列表面二次生长制备方法应用

[发明专利]一维微纳米硅基陶瓷基底表面原位生长辐射状SiC纳米线及制备方法-CN202310467185.6在审
发明人： 殷学民;刘冰;刘慧敏;张欣;孙佳;付前刚;李贺军 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： C04B41/85 文献下载
摘要：本发明涉及一种一维微纳米硅基陶瓷基底表面原位生长辐射状SiC纳米线及制备方法，实现了一维微纳米硅基陶瓷基底表面均匀定向生长辐射状SiC纳米线。本发明采用无催化剂辅助低压化学气相沉积工艺，以三氯甲基硅烷(MTS)为原料，在一维微纳米硅基陶瓷基底表面制备辐射状SiC纳米线。本发明所提供的技术方案制备工艺简单，SiC纳米线纯度高，工艺普适性强，适合于不同尺寸的一维微纳米硅基陶瓷基底，工艺具有良好的可重复性。另外，辐射状SiC纳米线的生长无需催化剂的辅助，一方面简化了制备工艺，另一方面避免了催化剂的污染。所制备的SiC纳米线与一维微纳米硅基陶瓷基底之间结合力好，结构稳定，在复合材料强韧化方面中将具有广阔的应用前景。
一维微纳米陶瓷基底表面原位生长辐射状 sic 制备方法

[发明专利]一种高强韧、高导热、耐烧蚀陶瓷梯度改性C/C复合材料及制备方法-CN202310361192.8在审
发明人： 殷学民;张欣;郭领军;刘慧敏;李贺军 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2023-04-07 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： C04B35/83 文献下载
摘要：本发明涉及一种高强韧、高导热、耐烧蚀陶瓷梯度改性C/C复合材料及制备方法。通过常压CVD工艺在低密度C/C复合材料中获得碳纤维上原位定向生长的SiC纳米线，构建碳纤维‑SiC纳米线多尺度预制体。并结合陶瓷组元梯度分布的结构设计及后续的致密工艺最终制备了定向SiC纳米线和陶瓷组元梯度分布协同改性C/C复合材料。本发明采用催化剂辅助气‑液‑固(VLS)机制，制备的SiC纳米线在单根碳纤维表面整体定向明显，并在低密度C/C内部实现了大面积、可重复地原位定向生长阵列的效果。相比于随机取向的SiC纳米线，原位定向生长的SiC纳米线与基体之间产生纳米尺度机械互锁，从而可以将负载有效地从基体转移到纳米线上，被认为具有更优异的增韧效果。
一种强韧导热耐烧蚀陶瓷梯度改性复合材料制备方法

[发明专利]一种高长径比倒锥状氮掺杂碳化硅纳米线及制备方法-CN202210846073.7有效
发明人： 殷学民;刘慧敏;李克智;李贺军 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2022-07-05 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： C01B32/97 文献下载
摘要：本发明涉及一种高长径比倒锥状氮掺杂碳化硅纳米线及制备方法，通过简单的化学气相沉积方法及新的氮掺杂方式，制备具有高长径比的倒锥状碳化硅纳米线。所制备的倒锥状碳化硅纳米线表面光滑，形貌均一，产量高。该方法有效解决了现有碳化硅纳米线制备工艺成本高、操作复杂，纳米线结构不均匀、长径比低、产量低、纯度低等问题，并可在不同碳质基体上原位生长倒锥状碳化硅纳米线，为倒锥状碳化硅纳米线的制备提供新的技术和方法，有望在储能、场发射、增韧材料、纳米复合材料等领域得到广泛应用。
一种长径倒锥状氮掺杂碳化硅纳米制备方法

[发明专利]一种短时快速高温热冲击处理MOF表面生长CNTs的方法-CN202211627482.4在审
发明人： 殷学民;张欣;刘慧敏;孟嘉晨;张雨雷;李克智;李贺军 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： C01B32/162 文献下载
摘要：本发明涉及一种短时快速高温热冲击处理MOF表面生长CNTs的方法，包括：碳基底预处理；将预处理后的碳基底浸泡在浓度为0.01～1mol/L的金属盐溶液中；并加入浓度为0.01～1mol/L的有机配体溶液，搅拌后在室温下静置反应，得到在碳基底上沉积的MOF纳米材料；将负载有MOF纳米材料的碳基底两端接到直流电源两电极上，然后在惰性气氛保护下，接通直流电源，通电电压为15～25V，持续时间为0.5～5s，反应结束后冷却至室温，即得到碳化的MOF和表面生长的少量CNTs。本发明工艺简单，原料用量少、成本低，CNTs在碳化后的MOF表面原位生长，生长速度快，生长方向随机分布。
一种快速温热冲击处理 mof 表面生长 cnts 方法

[发明专利]一种SiC纳米线@碳纳米相核壳异质结构增韧SiC涂层及制备方法-CN202310061814.5在审
发明人： 殷学民;刘慧敏;刘冰;张欣;李克智;李贺军 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2023-01-14 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C04B41/87 文献下载
摘要：本发明涉及一种SiC纳米线@碳纳米相核壳异质结构增韧SiC涂层及制备方法，采用三步法，首先在利用CVD技术在C/C复合材料表面制备SiC纳米线，然后利用低压化学气相沉积(LPCVD)方法以甲烷为碳源获得SiC纳米线@碳纳米相核壳异质结构，最后利用LPCVD技术获得SiC纳米线@碳纳米相核壳异质结构增韧SiC涂层。本技术方法在SiC涂层内部引入SiC纳米线@碳纳米相核壳异质结构，可有效缓解涂层与C/C基体之间由于热膨胀系数而造成的界面应力，对SiC涂层具有显著的增韧效果，并提升涂层的力学性能。本发明所提供的技术方案，制备方法简单，可重复性强，可控性高，为涂层多尺度增韧设计提供了新思路，具有大规模工业生产的潜力。
一种 sic 纳米相核壳异质结构涂层制备方法

[发明专利]一种氧乙炔火焰处理MOF阵列表面原位快速生长CNTs的方法-CN202211600904.9在审
发明人： 殷学民;刘慧敏;刘天宇;付前刚;李克智;李贺军 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C01B32/162 文献下载
摘要：本发明涉及一种氧乙炔火焰处理MOF阵列表面原位快速生长CNTs的方法，首先在基底上制备MOF阵列，既作为CNTs生长的基底，又为CNTs生长提供催化剂；CNTs生长的碳源来源于MOF自身热解产生的含碳小分子气体以及火焰燃烧剩余的乙炔。通过调控碳源与氧气比例、处理时间、距离等工艺参数，实现MOF阵列的快速碳化并保证阵列结构完整性，CNTs的原位快速生长。此外，CNTs与基底间具有良好的结合力。本发明相比与传统方法利用MOF制备碳纳米催化材料，该工艺制备的碳纳米催化材料保持阵列化特征，不仅可以避免后续应用中使用导电添加剂等，结构也具有良好的稳定性、大的比表面积、多的活性位点；同时，CNTs可以增大碳纳米催化剂的比表面积，暴露更多活性位点，提高导电性。
一种乙炔火焰处理 mof 阵列表面原位快速生长 cnts 方法

[发明专利]一种石墨纸表面海胆状氮掺杂SiC纳米线团簇及制备方法-CN202310062237.1在审
发明人： 殷学民;张欣;刘慧敏;郭领军;李贺军 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2023-01-14 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： C01B32/977 文献下载
摘要：本发明涉及一种石墨纸表面海胆状氮掺杂SiC纳米线团簇及制备方法，通过改变聚碳硅烷与氮源的质量比，氮源种类和热处理温度等工艺参数，在石墨纸表面制备出海胆状氮掺杂SiC纳米线团簇。本发明所制备的SiC纳米线，具有波动直径的锥形形状和锋利而清晰的尖端，并在石墨纸表面原位生长形成了海胆状SiC纳米线团簇，同时实现了大面积、可重复地原位生长海胆状氮掺杂SiC纳米线团簇的效果。该方法操作简单，工艺可控，可重复性强，所制备的氮掺杂SiC纳米线长径比高，产量高，纯度高，为海胆状SiC纳米线团簇的原位生长提供了一种新的技术和方法，有望在能量存储和转换、场发射器、复合材料、纳米增强体和光电探测器等领域得到广泛应用。
一种石墨表面海胆掺杂 sic 纳米线团制备方法

[发明专利]一种紧凑型数码荧光显微镜-CN202211437746.X在审
发明人：姚宇华;姚晨;韦明;毛磊;刘伟波;单聪淼;钟小英;赵冉冉;李保雨;许志;张煜;殷学民 -专利权人：中国人民解放军63919部队
申请日： 2022-11-16 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： G02B21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种紧凑型数码荧光显微镜，包括镜身主体、样品固定架、荧光光源、物镜、荧光转盘、反光镜和摄像相机；镜身主体上设有用于调整物镜的焦距的调焦机构，调焦机构包括转动安装在镜身主体上的调焦螺母、与调焦螺母传动连接且随调焦螺母的转动带动物镜沿重力线方向做竖向运动的传动组件、以及弹性设置在传动组件和镜身主体之间的且其弹性力驱动传动组件沿重力线方向向下运动的弹性组件。这种荧光显微镜的取消了传统的双目观察镜，体积更为小巧；而且弹性组件可以消除调焦螺母和传动组件之间存在的间隙，避免了传动组件在特因环境下因漂浮导致调焦动力无法传动到传动组件上、而影响调焦精度的问题，可以在特因环境中使用。
一种紧凑型数码荧光显微镜

[发明专利]一种提高C/C复合材料基体与SiC涂层结合力的方法-CN202211627507.0在审
发明人： 殷学民;张欣;刘慧敏;郭领军;李贺军 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： C04B41/87 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高C/C复合材料基体与SiC涂层结合力的方法，包括：C/C复合材料预氧化处理；将预氧化C/C复合材料浸泡于金属盐催化剂乙醇溶液中以负载催化剂，然后置于粉料(质量百分比为1:0.1～0.6:0.2～0.8的SiO2、Si、C粉体的混合物)上方一起升至1200～1800℃并保温后冷却至室温，从而构造C/C复合材料表面“碳纤维锥@定向SiC纳米线”多孔层；(3)在900～1500℃下，采用低压化学气相沉积在C/C复合材料上沉积SiC涂层。本发明有效设计出基体‑涂层多尺度机械连锁结构并得到原位定向生长的纳米线，在改善SiC涂层与C/C复合材料之间的界面结合的同时增韧SiC涂层。
一种提高复合材料基体 sic 涂层结合方法

[发明专利]一种Cf-CN202211585394.2在审
发明人： 殷学民;刘慧敏;宋强;李克智;李贺军 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2022-12-10 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： C04B35/83 文献下载
摘要：本发明涉及一种Cf‑定向SiCNWs@VGNs微纳多尺度强韧化碳基复合材料及制备方法，首先采用CVD法以SiO2、Si、C混合粉体作为原料，以催化剂辅助气‑液‑固生长机理在低密度C/C复合材料表面制备高密度定向SiC纳米线，所得的SiC纳米线尺寸均一，以放射状原位生长在碳纤维表面。然后通过LPCVD法以甲醇为碳源在上述的SiC纳米线表面沉积VGNs，石墨烯在SiC纳米线表面原位均匀生长，大量的石墨烯片垂直地生长在SiC纳米线的表面。本发明所提供的技术方案，制备方法简单，原料成本低、制备工艺简单、可重复性强，产量高，能够制备出形状复杂的复合材料构件，极具大规模工业生产的潜力。
一种 base sub

[发明专利]一种提高抗压强度的纳米共价连接石墨烯预制体制备方法-CN202211376419.8在审
发明人：齐乐华;马媛;郭领军;宋强;殷学民;李贺军 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： C04B28/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高抗压强度的纳米共价连接石墨烯预制体制备方法，将纳米硅溶胶加入至石墨烯墨水中搅拌超声分散得到石墨烯水凝胶，采用冷冻干燥法获得石墨烯预制体，将石墨烯预制体放入石墨烯沉积炉中，在微米尺度的石墨烯表面原位沉积纳米尺度的石墨烯，制得提高抗压强度且呈纳米共价连接的三维连通结构石墨烯预制体。本发明原位沉积是以气态碳源和液态碳源相结合的方式，调节碳源中的C、H、O比例，降低原位沉积过程中碳源中的O元素对石墨烯预制体的氧化程度，使得原位沉积的纳米尺度石墨烯起到增强石墨烯片层特别是纳米共价连接的作用，提高了石墨烯预制体的抗压强度。得到纳米共价连接石墨烯预制体用作液相法制备金属基复合材料的增强体。
一种提高抗压强度纳米共价连接石墨预制体制方法

[发明专利]超高温陶瓷@垂直石墨烯核壳结构纳米线及一步合成方法-CN202211380935.8在审
发明人： 殷学民;刘慧敏;张雨雷;宋强;李克智;李贺军 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2022-11-05 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： D06M11/74 文献下载
摘要：本发明涉及一种超高温陶瓷@垂直石墨烯核壳结构纳米线及一步高效合成方法，通过低压化学气相沉积方法，一步高效合成超高温陶瓷@垂直石墨烯核壳结构纳米线，实现核壳结构纳米线在基底上的均匀分布，获得在超高温陶瓷纳米线上均匀且垂直生长的石墨烯阵列。与传统分步工艺制备核壳结构纳米线相比，该工艺可实现一步合成，达到简单、高效及可控的目的。本发明所提出的技术方案操作简单，工艺可控，原材料用量少、利用率高，制备效率高，普适性强。所制备的超高温陶瓷@垂直石墨烯核壳结构纳米线在各领域特别是在极端环境中将具有广阔的应用前景。
超高温陶瓷垂直石墨烯核壳结构纳米一步合成方法

1
2
3
下一页»
尾页
共 35 条