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[发明专利]伪随机分频信号产生电路及方法-CN202210108022.4有效
发明人：杨法明;朱坤峰;钟怡;殷万军;郭亿文;徐金贵;张俊安;李光波;龚榜华 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H03K3/84 文献下载
摘要：本发明提供了一种伪随机分频信号产生电路及方法，所述伪随机分频信号产生电路包括伪随机序列发生模块、分频模块及输出模块。本发明将伪随机序列发生模块、分频模块及输出模块结合起来，实现了对固定时钟脉冲的随机化分频，在降低时钟频率的同时，使得噪声功率谱密度均匀的分布在整个频域内，从而使得所有频率范围内具有相同能量密度的噪声，达到抗噪声干扰的目的，其产生的伪随机时钟脉冲信号可很好的用于要求失调较低的电路或者运算放大器，在自稳零运放中使用这种时钟进行失调电压校准时，在降低失调电压的同时，可以使时钟对运放输入端的影响呈现类似噪声的频谱特点，可有效避免使用周期性时钟造成的固定频点杂散，提高了抗干扰能力。
随机分频信号产生电路方法

[发明专利]多层栅模拟CMOS工艺边缘应力优化集成方法和低电压系数多晶电容器-CN202210935982.8在审
发明人： 殷万军;杨永晖;刘玉奎;钟怡;朱坤峰;龚榜华;曹依琳;谭开洲;黄磊 -专利权人：重庆中科渝芯电子有限公司;中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明公开多层栅模拟CMOS工艺边缘应力优化集成方法和低电压系数多晶电容器，方法步骤包括：1)形成低电压系数集成双多晶电容器区的N型阱，在N型阱以外区域形成自对准P型阱；2)淀积低电压系数集成双多晶电容器下电极多晶膜层；3)淀积双多晶电容器第一层介质，并实现双多晶电容器下电极边缘保护层制作；4)淀积电容器介质层，并完成电容器介质层结构制作；低电压系数多晶电容器包括P型衬底、P型外延层、N型阱、自对准P型阱、场氧化层、牺牲氧化层、栅氧化层、多晶膜层、二氧化硅介质层、电容介质层、低介电系数填充膜层、金属互连膜层、顶层金属键合区外保护介质钝化层；本专利改善了双多晶电容器的边缘效应，降低了可集成双多晶电容器的机械应力。
多层模拟 cmos 工艺边缘应力优化集成方法电压系数多晶电容器

[发明专利]模拟BiCMOS工艺高应力边缘效应优化集成方法和高线性双多晶电容器-CN202210789412.2在审
发明人： 殷万军;钟怡;刘玉奎;刘青;杨永晖;龚榜华;朱坤峰;张静;谭开洲 -专利权人：重庆中科渝芯电子有限公司;中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2022-07-06 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明公开模拟BiCMOS工艺高应力边缘效应优化集成方法和高线性双多晶电容器，步骤包括：1)在N型阱表面的场氧化层上方淀积P1埃米的多晶电容器下极板多晶膜层，并完成N型光刻注入掺杂；2)淀积d1埃米的双多晶电容器第一层介质，并采用曝光刻蚀工艺完成双多晶电容器下电极边缘保护膜层的制作；3)淀积d2埃米的多晶电容器介质复合膜层，并采用曝光刻蚀工艺完成电容介质层结构制作；高线性双多晶电容器包括衬底、N型埋层、P型埋层、外延层、N型阱、自对准P型阱等。本发明通过在模拟集成电路可集成高线性双多晶电容器高应力边缘效应优化技术方案，显著改善了双多晶电容器的边缘效应。
模拟 bicmos 工艺应力边缘效应优化集成方法线性多晶电容器

[实用新型]一种林业防病虫害喷药机-CN202123005598.8有效
发明人：闫仁福 -专利权人：刘津伯;李太国;殷万军
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： A01M7/00 文献下载
摘要：本实用新型属于林业技术领域，尤其为一种林业防病虫害喷药机，包括底座，底座的顶部固定连接有溶剂箱，溶剂箱的顶部固定连接有雾化喷头，溶剂箱的内部设置有升降组件，雾化喷头的底部固定连接有水泵；通过储剂箱外侧开设有漏孔，从而使溶剂进入到储剂箱的内部，通过储剂箱内部水泵与吸剂管的配合使用，从而使储剂箱内部的容易通过雾化喷头喷出，这时通过电机的转动带动其顶部的转轴进行旋转，通过转轴的旋转带动旋转盘外侧的一号磁极进行转动，从而使储剂箱在溶剂箱的内部挤压复位弹簧向上进行移动，从而使雾化喷头向上进行移动，当一号磁极与二号磁极不处于同一平面时，储剂箱回到原位，达到了自动使雾化喷头移动的效果。
一种林业防病虫害喷药机

[发明专利]低位错密度高可靠性高低压CMOS自对准双阱工艺方法及器件-CN202110591089.3有效
发明人： 殷万军;刘玉奎;崔伟;桂林;梁康弟;谭开州;裴颖 -专利权人：重庆中科渝芯电子有限公司;中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2021-05-28 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明公开低位错密度高可靠性高低压CMOS自对准双阱工艺方法及器件。方法步骤：1)形成低缺陷密度高压N型阱和低压N型阱；2)形成自对准P型阱；3)兼容高低压兼容厚薄栅氧结构；4)兼容多层金属互连结构；器件包括衬底、高压N型阱、低压N型阱、自对准P型阱、LOCOS场氧化层、低压MOS薄栅氧化层、栅多晶层、P型MOS轻掺杂源漏注入区、侧壁保护层、P型MOS源漏注入区、多晶层、氧氮介质层、N型MOS源漏注入区、高压MOS厚栅氧化层、栅多晶层顶层氧氮介质保护层、硅/多晶硅‑金属层M1间接触孔、硅/多晶硅/场氧‑金属层M1层间ILD介质平坦化层等。本发明实现了精细控制高压阱区的位错缺陷密度，有效抑制高压阱区隔离PN结反向偏置漏电。
低位密度可靠性低压 cmos 对准工艺方法器件

[发明专利]与双栅氧高低压CMOS工艺兼容提高器件稳定性的π型栅多晶及其制作方法-CN202010635339.4有效
发明人： 殷万军;钟怡;刘玉奎;朱坤峰;桂林;梁康弟;裴颖;李光波;谭开州;刘青;钱呈 -专利权人：重庆中科渝芯电子有限公司
申请日： 2020-07-03 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明公开与双栅氧高低压CMOS工艺兼容提高器件稳定性的π型栅多晶及其制作方法，方法步骤：1)实施薄栅氧化层；2)淀积栅多晶薄膜；3)制作π型栅多晶结构；器件包括衬底、N型阱、自对准P型阱等。本发明实现了精细控制栅多晶厚度有效抑制后续氧化刻蚀工艺对于栅多晶纵向尺寸的影响，提高了栅多晶薄膜的电性能稳定性和工艺一致性，有效改善与高精密线性双多晶电容模块兼容性，有效提高了双多晶电容电压系数和近零偏压电容电压对称性。通过抑制掺杂离子特别是硼离子进入栅多晶薄膜，有效改善PMOS器件栅多晶表面平整性和产品长期可靠性。通过替代有机抗反射涂层，提高工艺兼容性并降低产品的制造成本，有效提升产品成品率和市场竞争力。
双栅氧高低压 cmos 工艺兼容提高器件稳定性多晶及其制作方法

[发明专利]一种应用于高精度高共模差动放大器的电阻版图排布结构及修调方法-CN202111319388.8在审
发明人：杨法明;朱坤峰;欧宏旗;钟怡;税国华;徐磊;殷万军;张广胜 -专利权人：重庆中科渝芯电子有限公司;中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：本发明公开一种应用于高精度高共模差动放大器的电阻版图排布结构及修调方法，电阻版图排布结构包括两个阻值不同的电阻阵列；修调方法步骤为：1)量测第一电阻阵列的实际阻值；2)设定第二电阻阵列的修调目标值，记为N*R；3)量测第二电阻阵列的实际阻值；4)对第二电阻阵列中可修调背包电阻RN的粗调区域进行激光修调；6)对第二电阻阵列中可修调背包电阻RN的细调区域进行激光修调，并返回步骤7)。本发明通过对两个电阻的版图特殊排布，降低两个电阻在工艺加工过程中的偏差，提高两个电阻的初始匹配度，可以在仅修调一个电阻和较小的电阻修调面积下，达到较高的电阻匹配度和降低了修调成本，提高了电阻稳定性。
一种应用于高精度高共模差动放大器电阻版图排布结构方法

[发明专利]与CMOS工艺兼容低温度系数多晶电阻模块及其集成方法-CN201910101866.4有效
发明人： 殷万军;刘玉奎;朱坤峰;梁康弟;桂林;刘青;杨法明;汪璐;谭开州;税国华 -专利权人：重庆中科渝芯电子有限公司
申请日： 2019-02-01 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：本发明公开了与双栅氧高低压CMOS工艺兼容低温度系数多晶电阻模块及其集成方法。集成步骤为：1)形成厚栅氧化层和薄栅氧化层。2)利用低压化学汽相沉积法淀积氮氧硅层。电阻模块主要包括衬底、阱、场氧化层、多晶电阻层、介质层、厚栅氧化层、薄栅氧化层和多晶硅栅。本发明实现了在双栅氧高低压兼容CMOS工艺平台上同时集成高阻N型多晶电阻和低值P型多晶电阻模块的解决方案，通过Ω或π型介质层不仅对多晶电阻发挥了保护层作用，更重要的是降低了高值多晶电阻注入剂量达30％，提高了低温度系数≤200ppm/℃低值电阻的注入工艺窗口，提高了多晶电阻一致性和成品率。
cmos 工艺兼容温度系数多晶电阻模块及其集成方法

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