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[发明专利]利用钨氧化还原的无缝钨填充-CN201880037482.4有效
发明人：巫勇;陈一宏;江施施;段子青;A·B·玛里克;S·冈迪科塔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-06-12 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：描述了用于以无缝钨填充物来填充基板特征的方法。所述方法包括沉积钨膜、将钨膜氧化成氧化钨柱、将氧化钨膜还原成无缝钨间隙填充物，且可选地在钨间隙填充物上沉积额外的钨。
利用氧化还原无缝填充

[发明专利]形成钨支柱的方法-CN201810410364.5有效
发明人： A·B·玛里克;P·曼纳;陈一宏;段子青;程睿;江施施 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-05-02 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：描述了形成自对准图案的方法。在图案化膜上沉积膜材料以填充和覆盖由所述图案化膜形成的特征。使所述膜材料凹入到低于所述图案化膜的顶部的水平。通过暴露于金属前驱物来将所述凹入膜转化为金属膜，接着所述金属膜体积膨胀。
形成支柱方法

[发明专利]用于间隔件和硬掩模应用的硼烷介导的从硅烷和烷基硅烷物质脱氢的工艺-CN201780052875.8有效
发明人：程睿;段子青;M·嘉德瑞;P·P·杰哈;A·B·玛里克;D·帕德希 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-09-05 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本文描述的实施方式总体涉及集成电路的制造，具体地涉及在半导体基板上沉积硼掺杂的非晶硅层。在一个实施方式中，提供一种在基板上形成硼掺杂的非晶硅层的方法。所述方法包括在基板上沉积预定厚度的牺牲电介质层；通过去除所述牺牲电介质层的部分以暴露所述基板的上表面而在所述基板上形成图案化特征；在所述图案化特征和所述基板的暴露上表面上保形地沉积预定厚度的硼掺杂的非晶硅层；以及使用各向异性蚀刻工艺从所述图案化特征的上表面和所述基板的所述上表面选择性地去除所述硼掺杂的非晶硅层，以提供填充在由所述硼掺杂的非晶硅层形成的侧壁间隔件内的所述图案化特征。
用于间隔硬掩模应用硼烷介导硅烷烷基物质脱氢工艺

[发明专利]3D-NAND器件中用于字线分离的方法-CN202310532735.8在审
发明人：陈一宏;段子青;A·B·玛里克;K·陈 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-05-22 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H10B41/27 文献下载
摘要：描述半导体器件(例如，3D‑NAND)中字线分离的方法。金属膜沉积在字线中及在间隔开的氧化物层的堆叠的表面上。通过高温氧化及蚀刻氧化物，或通过以单层方式氧化表面及蚀刻氧化物的低温原子层蚀刻，来移除金属膜。在移除金属覆盖层之后，字线被金属膜填充。
nand 器件用于分离方法

[发明专利]降低字线电阻的方法-CN201880029923.6有效
发明人：陈一宏;巫勇;秦嘉政;吕新亮;斯里尼瓦·甘迪科塔;段子青;阿卜希吉特·巴苏·马尔利克 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-06-05 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：用于形成3D‑NAND器件的方法包括使多晶Si层凹陷到间隔的氧化物层下方的某一深度。在所述间隔的氧化物层上而不是在凹陷的多晶Si层上形成衬垫。在所述衬垫上的间隙中沉积金属层以形成字线。
降低电阻方法

[发明专利]3D-NAND器件中用于字线分离的方法-CN201880033951.5有效
发明人：陈一宏;段子青;A·B·玛里克;K·陈 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-05-22 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H10B41/27 文献下载
摘要：描述半导体器件(例如，3D‑NAND)中字线分离的方法。金属膜沉积在字线中及在间隔开的氧化物层的堆叠的表面上。通过高温氧化及蚀刻氧化物，或通过以单层方式氧化表面及蚀刻氧化物的低温原子层蚀刻，来移除金属膜。在移除金属覆盖层之后，字线被金属膜填充。
nand 器件用于分离方法

[发明专利]超高模量与蚀刻选择性的硼-碳硬掩模膜-CN201811561845.2有效
发明人： P·K·库尔施拉希萨;段子青;K·T·纳拉辛哈;K·D·李;金柏涵 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-08-11 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本公开的实施例大体而言涉及集成电路制造。更具体而言，本文所述实施例提供用于在基板上沉积硼‑碳膜的技术。在一实施例中，提供处理基板的方法。方法包含使含烃气体混合物流动至具有基板定位于内的处理腔室的处理容积，其中基板经加热达约400℃至约700℃的基板温度；使含硼气体混合物流动至处理容积；及在处理容积内产生RF等离子体，以于加热基板上沉积硼‑碳膜，其中硼‑碳膜具有约200GPa至约400GPa的弹性模量和约‑100MPa至约100MPa的应力。
超高蚀刻选择性碳硬掩模膜

[实用新型]一种易拆解氮化铝基板-CN202221753734.3有效
发明人：王芳;段子青;程志明;莫雪魁 -专利权人：江苏国瓷金盛陶瓷科技有限公司
申请日： 2022-07-07 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种易拆解氮化铝基板，包括铝基板本体、安装组件与加强组件，所述铝基板本体包括上下端的铜箔层、绝缘层与氮化铝基板层，所述安装组件包括铝基板本体外端两侧通过胶层卡接的第一固定架和第二固定架。本实用新型所述的一种易拆解氮化铝基板，铝基板本体两侧卡接的第一、第二固定架，避免了铜箔层、绝缘层与氮化铝基板层之间的热压合连接，从而使得铝基板本体便于拆解，且有利于资源的分类回收利用，铜箔层和绝缘层底部与横槽和竖槽连接的横向加强杆和竖向加强杆，即可配合外侧固定架的卡接，保持铜箔层、绝缘层与氮化铝基板层之间的连接紧密性，也能够提高铝基板本体整体的强度。
一种拆解氮化铝基板

[实用新型]一种氧化铝陶瓷球自动测量装置-CN202221753739.6有效
发明人： 段子青;王芳;程志明;莫雪魁 -专利权人：江苏国瓷金盛陶瓷科技有限公司
申请日： 2022-07-07 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： G01G17/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种氧化铝陶瓷球自动测量装置，具体涉及氧化铝陶瓷球技术领域，包括安装底板，所述安装底板顶部固定连接有驱动机构，所述驱动机构顶部设置有震动壳，所述震动壳内设置有安装壳。本实用新型的使用者可将氧化铝陶瓷球投入安装壳内，开启电机，震动壳和震动壳内的安装壳能够沿竖直方向上下持续震动，在震动的过程中，直径较小的氧化铝陶瓷球穿过穿设孔进入震动壳内腔底部，直降较大的氧化铝陶瓷球残留在安装壳内部，并且在引导斜坡的引导作用下，直径较小的氧化铝陶瓷球穿过排料口进入放置壳内，本设计解决了现有技术下的不足，能够将直径较大和直径较小的氧化铝陶瓷球筛分开并分别进行称重，满足了使用者多样化的需求。
一种氧化铝陶瓷球自动测量装置

[发明专利]超高模量与蚀刻选择性的硼-碳硬掩模膜-CN201680056619.1有效
发明人： P·K·库尔施拉希萨;段子青;K·T·纳拉辛哈;K·D·李;金柏涵 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-08-11 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本公开的实施例大体而言涉及集成电路制造。更具体而言，本文所述实施例提供用于在基板上沉积硼‑碳膜的技术。在一实施例中，提供处理基板的方法。方法包含使含烃气体混合物流动至具有基板定位于内的处理腔室的处理容积，其中基板经加热达约400℃至约700℃的基板温度；使含硼气体混合物流动至处理容积；及在处理容积内产生RF等离子体，以于加热基板上沉积硼‑碳膜，其中硼‑碳膜具有约200GPa至约400GPa的弹性模量和约‑100MPa至约100MPa的应力。
超高蚀刻选择性碳硬掩模膜

[发明专利]在非对称的腔室环境中的均匀晶片温度实现-CN201680074061.X有效
发明人： S·哈;P·康纳斯;周建华;J·C·罗查－阿尔瓦雷斯;K·D·李;段子青;N·J·布莱特;毕峰 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-12-06 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本公开总体涉及一种用于工艺腔室的辐射屏蔽件，所述辐射屏蔽件改善基板温度均匀性。所述辐射屏蔽件可以设置在所述工艺腔室的狭缝阀门与设置在所述工艺腔室内的基板支撑件之间。在一些实施方式中，所述辐射屏蔽件可以设置在所述工艺腔室的加热器下。此外，所述辐射屏蔽件可以阻挡从所述工艺腔室供应的辐射和/或热量，并且在一些实施方式中，所述辐射屏蔽件可以吸收和/或反射辐射，由此提供改善的温度均匀性并且改善所述基板的平面轮廓。
对称环境中的均匀晶片温度实现

[发明专利]赋予掺杂硼的碳膜静电夹持及极佳颗粒性能的渐变原位电荷捕捉层-CN201911345534.7在审
发明人： P·K·库尔施拉希萨;段子青;A·A·哈贾;Z·J·叶;A·K·班塞尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-05-16 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：公开了赋予掺杂硼的碳膜静电夹持及极佳颗粒性能的渐变原位电荷捕捉层。本发明大体上关于具有渐变组成的处理腔室调整层。在一实施例中，该调整层为硼‑碳‑氮化物(BCN)膜。该BCN膜在该膜的底部处可具有较高的硼成分。随着该BCN膜被沉积，硼的浓度可能接近零，同时碳及氮的相对浓度提高。可借着在初期使硼前体、碳前体及氮前体一同流入来沉积该BCN膜。经过第一时段之后，可降低硼前体的流动速率。在沉积该调整层期间，可在硼前体的流动速率降低时，施加RF功率以生成等离子体。
赋予掺杂静电夹持极佳颗粒性能渐变原位电荷捕捉

[发明专利]赋予掺杂硼的碳膜静电夹持及极佳颗粒性能的渐变原位电荷捕捉层-CN201680029154.0有效
发明人： P·K·库尔施拉希萨;段子青;A·A·哈贾;Z·J·叶;A·K·班塞尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-05-16 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： C23C16/02 文献下载
摘要：本发明大体上关于具有渐变组成的处理腔室调整层。在一实施例中，该调整层为硼‑碳‑氮化物(BCN)膜。该BCN膜在该膜的底部处可具有较高的硼成分。随着该BCN膜被沉积，硼的浓度可能接近零，同时碳及氮的相对浓度提高。可借着在初期使硼前体、碳前体及氮前体一同流入来沉积该BCN膜。经过第一时段之后，可降低硼前体的流动速率。在沉积该调整层期间，可在硼前体的流动速率降低时，施加RF功率以生成等离子体。
赋予掺杂静电夹持极佳颗粒性能渐变原位电荷捕捉

[发明专利]用于保形密封电介质封闭而无对底层结构材料的直接RF暴露的SiBN膜-CN201780079463.3在审
发明人： M·嘉德瑞;S·慕克吉;P·P·杰哈;D·帕德希;段子青;A·B·玛里克 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-11-16 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本文中公开的实施方式涉及用于形成存储器器件的方法，且更具体地涉及用于在存储器器件中在存储器材料之上形成电介质封闭层的改进的方法。在一个实施方式中，所述方法包括：在比存储器材料的热预算的温度要低的温度下在存储器材料之上热沉积第一材料；将所述第一材料暴露于氮等离子体以将氮掺入在所述第一材料中；和重复所述热沉积和氮等离子体操作以在所述存储器材料之上形成密封的保形电介质封闭层。因此，形成在所述存储器材料之上的具有密封的保形电介质封闭层的存储器器件。
存储器材料存储器器件第一材料封闭层保形电介质氮等离子体热沉积密封电介质密封电介质底层结构热预算暴露保形掺入封闭重复改进

[发明专利]用于自对准图案化的方法-CN201780069211.2在审
发明人： 段子青;陈一宏;阿卜希吉特·巴苏·马尔利克;斯里尼瓦·甘迪科塔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-11-07 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：处理方法包括在基板表面上和在表面特征中沉积膜，通过化学平面化从所述基板表面移除所述膜，而留下在所述特征中的所述膜。使柱从所述膜生长，使得所述柱垂直于基板表面生长。
基板表面化学平面化表面特征沉积膜膜生长图案化自对准移除垂直生长

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