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[发明专利]一种获得对称图形的光刻方法-CN202211166299.9有效
发明人：胡勤伟;彭博士 -专利权人： 武汉光谷量子技术有限公司
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：本申请涉及一种获得对称图形的光刻方法，在基片边缘做对齐标记线；在光刻版上确定出目标图形所在区域，并在光刻版上其余区域覆盖遮蔽层，以在遮蔽层与目标图形所在区域之间形成边界，并使边界与光刻版的第二基准线平行；基于对齐标记线、边界、第二基准线和基片的第一基准线，调整基片相对于覆盖有遮蔽层的光刻版的位置，以对齐；进行第一次曝光，以使目标图形刻于基片上；将覆盖有遮蔽层的光刻版旋转180°，并再次调整基片相对于光刻版的位置，以对齐；进行第二次曝光，以使目标图形刻于基片上。本申请能够利用已有的非对称光刻版在待曝光基片上形成对称的图形，充分利用基片空间，简单易行，省时省力，降低费用，保证光刻精度。
一种获得对称图形光刻方法

[发明专利]一种改善晶圆选择性窗口扩散均匀性的工艺-CN202310013901.3在审
发明人：曾磊;杨简遥;张舟;熊祎灵;彭旭 -专利权人： 武汉光谷量子技术有限公司
申请日： 2023-01-05 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本申请涉及一种改善晶圆选择性窗口扩散均匀性的工艺，包括如下步骤：在晶圆表面沉积扩散掩膜；光刻，以在扩散掩膜表面形成扩散窗口以及环绕扩散窗口的扩散环；在扩散窗口和扩散环内进行杂质扩散，以形成扩散区。本申请在通过在扩散窗口周围增设扩散环，扩散环起到辅助扩散作用，通过调整在不同区域像元的辅助扩散环的位置与大小，能够对晶圆不同区域的扩散深度进行修正和补偿，使得晶圆各区域的杂质扩散深度接近一致，进而提升制备出的单管器件在晶圆内各单元的一致性或提高阵列芯片各像元性能的一致性。
一种改善选择性窗口扩散均匀工艺

[发明专利]一种抑制阵列串扰的成像方法、装置、设备及存储介质-CN202211574273.8在审
发明人：熊祎灵;曾磊;杨简遥;彭旭 -专利权人： 武汉光谷量子技术有限公司
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H04N25/46 文献下载
摘要：本发明涉及一种抑制阵列串扰的成像方法、装置、设备及存储介质，其包括以下步骤：将像元阵列划分为多个子阵列，其中，每个子阵列包括m×n个像元，并将每个子阵列对应的门控周期划分为N个时序，其中N≤m×n；依次开启各个子阵列中相同位置像元的门控信号，使其进入探测模式，其中，各子阵列中各像元的门控信号的开启时间根据串扰的空间分布特性以及阵列中串扰总概率达到峰值的时间确定；将每个子阵列中N个数据图进行图像拼合。可有效避免传统帧频同步模式下由于所有像元同时进入雪崩待机状态，从而造成的对相邻像元光串扰信号的探测，最后进行图像拼合，从而最大程度上避免串扰给探测成像质量带来的影响。
一种抑制阵列成像方法装置设备存储介质

[发明专利]一种防止信号串扰的焦平面阵列器件及其制作方法-CN202211597903.3在审
发明人：曾磊;杨简遥;张舟;熊祎灵;彭旭 -专利权人： 武汉光谷量子技术有限公司
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请涉及一种防止信号串扰的焦平面阵列器件及其制作方法，包括如下步骤：在衬底表面制作依次包括第一接触层、吸收层、第二接触层、腐蚀停刻层的外延层；刻蚀外延层以形成焦平面阵列台面；焦平面阵列台面表面制备钝化膜；刻蚀去除焦平面阵列台面底部的钝化膜；然后在底部和侧壁沉积金属电极层；依次进行In柱制作、读出电路安装和胶体填充；去除衬底和腐蚀停刻层；刻蚀底部的第二接触层，裸露出金属电极层；在第二接触层表面制作增透膜；在裸露的金属电极层表面制作背电极。本申请通过台面侧壁生长金属电极层及利用刻蚀背面接触层的方式，将屏蔽现有深台面阵列器件存在的两种串扰路径，从而达到进一步抑制焦平面阵列像元之间信号串扰的目的。
一种防止信号平面阵列器件及其制作方法

[发明专利]基于开关矩阵的焦平面阵列探测器及其制作方法-CN202211602460.2在审
发明人：曾磊;熊祎灵;文梦江;彭旭 -专利权人： 武汉光谷量子技术有限公司
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于开关矩阵的焦平面阵列探测器及其制作方法，涉及FPA技术领域。该方法的步骤包括：制作行列独立探测器芯片，探测器芯片中所有行的像元共用P电极、且所有列的像元共用N电极；或者探测器芯片中所有行的像元共用N电极、且所有列的像元共用P电极。本发明的焦平面阵列探测器中存在多个行列独立、且各行共P电极、各列共N电极(或各行共N电极、各列共P电极)的探测器芯片。本发明的探测器在使用时能够通过不同行、列的控制，对各个像元依次逐个进行选通，选通时可跳过短路或低压像元，使存在少量短路或低压像元的阵列芯片仍然可用。
基于开关矩阵平面阵列探测器及其制作方法

[发明专利]SiO2-CN202211195601.3在审
发明人：吴细鹏;余琳;刘媛媛 -专利权人： 武汉光谷量子技术有限公司
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本申请公开了一种SiO2倾斜台面及其刻蚀方法，涉及半导体刻蚀的技术领域，刻蚀方法包括以下步骤：在去除待刻蚀的SiO2层上的光刻胶之后，根据期待的刻蚀后的SiO2层在衬底上形成的目标倾角，在设定的刻蚀约束下选择相应的刻蚀参数；根据选择的刻蚀参数，使用RIE设备对待刻蚀的SiO2层进行刻蚀直至刻蚀到所述衬底上，得到具有所述目标倾角的SiO2倾斜台面；刻蚀约束包括刻蚀气体的气流总量相同，所述刻蚀气体包括氧气O2和四氟化碳CF4，且不同气流量的O2或CF4各对应一目标倾角。本申请通过RIE刻蚀参数的调整选择，并依据SiO2倾斜台面的刻蚀方法制得的SiO2倾斜台面，有效改善光电器件电子束蒸发的金属电极引线在SiO2层侧壁覆盖差而导致电极引线容易断开引发的可靠性问题。
sio base sub

[发明专利]一种光敏二极管的制备方法及光敏二极管-CN202211584677.5在审
发明人：曾磊;杨简遥;张舟;熊祎灵;彭旭 -专利权人： 武汉光谷量子技术有限公司
申请日： 2022-12-10 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种光敏二极管的制备方法及光敏二极管，其包括：在衬底上外延生长缓冲层、吸收层和帽层，形成外延结构；在外延结构的表面沉积介质膜，并在介质膜上形成蜂窝状的扩散掩膜窗口；通过蜂窝状的扩散掩膜窗口向帽层和吸收层扩散杂质，使每个扩散掩膜窗口扩散形成的扩散区的顶部串联在一起，底部互相间隔设置；去除设置有蜂窝状的扩散掩膜窗口的介质膜。由于采用蜂窝状的扩散掩膜窗口扩散形成扩散区，扩散区的顶部串联在一起，底部互相间隔，使有效结面积减小，降低结电容，提升光敏二极管对高频信号的响应能力，后续去除了设置有蜂窝状的扩散掩膜窗口的介质膜，可恢复原有光敏面镜面形貌，因此，不需要改变外延结构，也不会提高工作电压。
一种光敏二极管制备方法

[发明专利]一种基于牛顿环的光电探测器贴装方法及系统-CN202211435391.0在审
发明人：熊祎灵;曾磊;杨简遥;彭旭 -专利权人： 武汉光谷量子技术有限公司
申请日： 2022-11-16 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于牛顿环的光电探测器贴装方法及系统，涉及光电探测器制备技术领域。其中，基于牛顿环的光电探测器贴装方法，包括以下步骤：利用凸透镜与光电探测器的光敏面之间形成的牛顿环进行对准，以将凸透镜贴装至光电探测器上。本发明实现成本较低、且能更方便快捷地对准凸透镜与光电探测器光敏面中心。
一种基于牛顿光电探测器方法系统

[发明专利]一种背照式平面型SPAD及其制备方法-CN202211143989.2在审
发明人：熊祎灵;曾磊 -专利权人： 武汉光谷量子技术有限公司
申请日： 2022-09-20 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明涉及一种背照式平面型单光子雪崩光电二极管SPAD，包括盖层、吸收层和衬底，盖层上表面设置有介质‑金属反射镜，衬底下表面设置有微透镜；微透镜用于将入射光线进行一次汇聚后发射至介质‑金属反射镜上，一次汇聚的汇聚点在所述SPAD的中心轴上并位于所述吸收层内；介质‑金属反射镜用于接收入射光线，对入射光线进行反射和二次汇聚，反射路径与入射光线的入射路径重合，二次汇聚的汇聚点与一次汇聚的汇聚点重合。本发明实现了吸收层中光生载流子产生位置的精确控制，从而达到了抑制电荷持续效应，减小暗计数率的目的。此外，本发明还涉及一种背照式平面型SPAD的制备方法。
一种背照式平面 spad 及其制备方法

[发明专利]一种SPAD同轴型TO器件及其制作方法-CN202211143990.5在审
发明人：熊祎灵;于华伟;曾磊 -专利权人： 武汉光谷量子技术有限公司
申请日： 2022-09-20 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请公开了一种SPAD同轴型TO器件及其制作方法，涉及同轴型光电器件技术领域，该制作方法包括：将SPAD进行管帽封焊后，安装至耦合焊接平台器件底座，获取SPAD的初始耦光位置；依次在多个预设的对准偏置电压下，通过逐行扫描方式获取每个耦光位置对应光生电流的三维分布，进而得到多个二维截面数据；基于每个对准偏置电压下的多个二维截面数据，获取满足预设条件的对准偏置电压作为初始耦光条件；在初始耦光条件下，当尾纤的入射光线汇聚于有源区几何中心位置、且轴向上汇聚于SPAD芯片吸收层内时，将尾纤和SPAD器件进行焊接，得到SPAD同轴型TO器件。本申请，可有效减小暗计数率，提升相同过偏压下的单光子探测效率。
一种 spad 同轴 to 器件及其制作方法

[发明专利]用于SPAD的接触层及其制备方法，以及一种SPAD及其制备方法-CN202211144013.7在审
发明人：熊祎灵;曾磊 -专利权人： 武汉光谷量子技术有限公司
申请日： 2022-09-20 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于单光子雪崩光电二极管SPAD的接触层，其为由外延晶圆的阻挡层上表面、从两侧向中间逐级向下凹陷形成的N级同轴对称台阶结构。本发明还涉及一种用于SPAD的接触层的制备方法，其包括：对外延晶圆的阻挡层进行N次刻蚀得到接触层。本发明提供的接触层的厚度从两侧向中间逐渐减小，使得SPAD在完成pn结的制备过程中，只需要一次锌扩散就能够得到有源区边缘扩散深度小于中间区域且曲率半径更大的锌扩散形貌，从而实现在有效防止边缘预先击穿的同时，增强横向电场分量，减少电荷持续效应对SPAD的单光子性能的影响。此外，本发明还涉及一种SPAD及其制备方法。
用于 spad 接触及其制备方法以及一种

[发明专利]一种获取雪崩二极管关键参数的方法-CN202110517997.8有效
发明人：胡勤伟;王肇中 -专利权人： 武汉光谷量子技术有限公司
申请日： 2021-05-12 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明涉及InP基雪崩二极管器件关键参数技术领域，具体涉及一种获取雪崩二极管关键参数的方法，该方法通过实测待测雪崩二极管的多个测点的测点光电流和测点电压，根据测点光电流确定对应的测点增益；将对应测点的测点增益和测点电压进行数学变换后进行线性拟合，并确定拟合线形的斜率和截距；在实际应用中通过斜率和截距即可确定击穿电压。还可根据斜率和击穿电压确定器件增益和施加电压的对应关系，能够迅速地得到在几倍Vbr时的M值，不用先根据Vbr和倍数算得电压值再依此去寻找对应光电流从而得到M值，该方案能够解决按照固定暗电流求得击穿电压不准而引起器件工作点偏离的问题。
一种获取雪崩二极管关键参数方法

[发明专利]窄光谱响应的光电探测器及其制作方法和设计方法-CN202010645475.1有效
发明人：曾磊;王肇中;李林;刘媛媛 -专利权人： 武汉光谷量子技术有限公司
申请日： 2020-07-06 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本申请涉及一种窄光谱响应的光电探测器及其制作方法和设计方法，所述光电探测器自上而下依次包括第一反射镜、功能区和第二反射镜；所述第一反射镜为通过气相沉积法形成的分布式布拉格DBR反射镜；所述第二反射镜为高折射率对比度的悬空反射镜，且所述第二反射镜的折射率对比度大于2。本申请提供的窄光谱响应的光电探测器，具有厚度小、制造成本低、工艺难度小的优点。
光谱响应光电探测器及其制作方法设计方法

[发明专利]台面型二极管及其制作方法、阵列芯片的制作方法-CN202010640934.7有效
发明人：曾磊;王肇中 -专利权人： 武汉光谷量子技术有限公司
申请日： 2020-07-06 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本申请涉及一种台面型二极管及其制作方法、阵列芯片的制作方法，所述台面型二极管自下而上依次包括倍增层、杂质控制层和高掺杂P型层，所述倍增层包括扩散区和倍增区，且所述扩散区和所述杂质控制层均由所述高掺杂P型层中的杂质在加热过程中向下扩散而成。本申请提供的台面型二极管，可以避免采用扩散炉、有机金属气相沉积等杂志扩散设备，直接通过加热扩散的方式调整倍增区的厚度，调整各外延片之间存在的片间差异和同一外延片内各单元之间的差异，提高阵列芯片各单元之间的一致性，进而提高阵列芯片的性能和良率。
台面二极管及其制作方法阵列芯片

[发明专利]一种分布式布拉格反射镜及其制作方法和设计方法-CN202010640500.7有效
发明人：曾磊;王肇中 -专利权人： 武汉光谷量子技术有限公司
申请日： 2020-07-06 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本申请涉及一种分布式布拉格反射镜及其制作方法和设计方法，所述分布式布拉格反射镜的制作方法包括步骤：通过非选择性干法刻蚀和选择性湿法腐蚀相结合的方式，在反射镜层内形成N组高折射率对比度的两层薄膜，其中，折射率对比度大于2。相对于现有的低折射率对比度分布式布拉格反射镜采用十组甚至更多组薄膜组合实现高反射率的技术，本申请提供的分布式布拉格反射镜的制作方法，采用少量组数的薄膜即可实现高反射率，使得制造成本较低、外延工艺控制难度小。
一种分布式布拉格反射及其制作方法设计方法

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