“槌野晶夫”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果14个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]信息记录介质-CN202310109323.3在审
发明人：富田昇吾;槌野晶夫;儿岛理惠 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2023-02-13 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G11B7/24035 文献下载
摘要：本公开提供一种信息记录介质，在基板上隔着中间分离层而依次层叠至少4个信息层和覆盖层，通过来自覆盖层侧的波长λ的激光的照射，将信息记录于记录层，或者从记录层再现信息，在该信息记录介质中，与信息层之中从基板来看最远的信息层以外的一个信息层即第1信息层相接，在激光的照射侧形成相位调整膜，进一步地与相位调整膜相接，在激光的照射侧形成第1中间分离层。
信息记录介质

[发明专利]光信息记录介质以及光记录再生装置-CN202310109887.7在审
发明人：川原友太郎;中村敦史;槌野晶夫;深田孝志;加藤寿惠 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2023-02-13 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G11B7/2403 文献下载
摘要：本公开与光信息记录介质以及光记录再生装置关联。光信息记录介质具有2层以上的被层叠的多个信息层，通过激光的照射来在信息层记录数据并且从信息层对数据进行再生。光信息记录介质具有对与该光信息记录介质有关的固有信息进行记录的BCA，至少信息层中的1个具有由凹凸形状构成的引导槽。从激光的入射侧观察，将引导槽的凸侧设为Groove轨道，将凹侧设为Land轨道，在Groove轨道以及Land轨道的两方中记录数据时，在BCA预先记录有表示从Groove轨道起记录数据或从Land轨道起记录数据的槽记录顺序信息。
信息记录介质以及再生装置

[发明专利]信息记录介质及其制造方法-CN202310023088.8在审
发明人： 槌野晶夫;富田昇吾;儿岛理惠 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2023-01-06 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： G11B7/26 文献下载
摘要：本发明提供再现耐久性优异的信息记录介质及其制造方法。本发明涉及一种信息记录介质，其为通过激光的照射来记录或再现信息的信息记录介质，上述信息记录介质包含3层以上的信息层，将上述3层以上的信息层中的至少一个信息层作为第1信息层，上述第1信息层从上述激光照射面观察时由远到近依次包含第1电介质膜和记录膜，上述第1电介质膜至少包含ZnS，上述记录膜至少包含W、Mn和氧，并且还包含选自Cu、Zn、Nb、Ta和Ti中的至少一种元素。
信息记录介质及其制造方法

[发明专利]信息记录介质及其制造方法-CN201980052193.6有效
发明人：儿岛理惠;槌野晶夫;会田和辉 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2019-06-12 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： G11B7/24038 文献下载
摘要：本发明提供一种再生耐久性优异的信息记录介质及其制造方法。一种信息记录介质及其制造方法，所述信息记录介质含2个以上的信息层，通过激光的照射记录或再生信息，其中，将所述2个以上的信息层之中至少一个信息层作为第一信息层，所述第一信息层从距被所述激光照射的面的远侧朝向近侧，按顺序包含第一介电薄膜和记录膜，所述第一介电薄膜中，至少含Zr和氧，还含有从Zn和Sn中选择的至少一种元素D1，将Zr、氧、所述元素D1的原子数共计为100原子％时，含有Zr为3原子％以上且26原子％以下，含有所述元素D1为10原子％以上且43原子％以下，所述记录膜中至少含有W、Cu、Mn、氧，此外还含有从Zn、Nb、Mo、Ta和Ti中选择的至少一种元素M。
信息记录介质及其制造方法

[发明专利]信息记录介质及其制造方法、以及溅射靶-CN201880013428.6在审
发明人： 槌野晶夫;儿岛理惠;会田和辉 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2018-01-26 - 公布日： 2019-10-08 - 主分类号： G11B7/243 文献下载
摘要：信息记录介质为通过激光照射来记录或再现信息的信息记录介质，其含有3个以上的信息层。作为3个以上的信息层中的至少一个信息层的第1信息层，从激光照射面观察时由远到近依次含有第1电介质膜、记录膜和第2电介质膜。第1电介质膜含有选自Nb、Mo、Ta、W、Ti、Bi和Ce中的至少一种元素D1的氧化物。记录膜至少含有W、Cu、Mn、氧、以及选自Nb、Mo、Ta和Ti中的至少一种元素M，在记录膜中，除了氧之外的W、Cu、Mn和M满足下述式(1)：W_xCu_yMn_zM_{100‑x‑y‑z}(原子％)(1)(式(1)中，15≤x≤60、y≤z、0＜z≤40，且60≤x+y+z≤98)。
式( 1 )信息层信息记录介质电介质膜记录膜激光照射面激光照射再现信息溅射靶氧化物观察记录制造

[发明专利]信息记录介质以及信息记录介质的制造方法-CN201680008397.6在审
发明人： 槌野晶夫;儿岛理惠 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2016-02-02 - 公布日： 2017-09-26 - 主分类号： G11B7/241 文献下载
摘要：本发明的信息记录介质是包含基板和多个信息层、通过激光的照射来记录或读取信息的可刻录型信息记录介质，其中，至少一个信息层的记录膜为至少包含钨(W)和氧(O)的W‑O系记录膜，与W‑O系记录膜相接地设置有包含30mol％以上锡氧化物的电介质膜A。
信息记录介质以及制造方法

[发明专利]信息记录介质及其制造方法-CN201280001113.2有效
发明人： 槌野晶夫;西原孝史;草田英夫;儿岛理惠;山田升 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2012-02-24 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： G11B7/24038 文献下载
摘要：本发明提供一种光学信息记录介质，其包含三层以上的信息层，被配置在光入射侧的至少一个信息层是能够改写信息的信息层，在从光入射侧按如下顺序至少具有记录膜、由包含Bi、Ti以及O的电介质构成的透过率调整膜、以及隔离膜的信息记录介质中，将所述隔离膜设置为：在所述透过率调整膜和在与光入射侧相反侧使所述信息层与其它信息层分离的中间分离层之间且与它们相接，并且将所述隔离膜的波长405nm处的光学常数的折射率设为1.8以下，且衰减系数设为0.05以下，防止在严酷的环境下的反复改写特性的变差。
信息记录介质及其制造方法

[发明专利]信息记录介质及其制造方法-CN201280001449.9有效
发明人：儿岛理惠;槌野晶夫;草田英夫;西原孝史;山田升 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2012-02-24 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： G11B7/2433 文献下载
摘要：本发明提供一种信息记录介质及其制造方法。该信息记录介质包括3个以上的信息层，且至少一个信息层包括记录层和核生成层，记录层含有由化学式(1)即[(Ge0.5Te0.5)x(In0.4Te0.6)1-x]ySb100-y(mol％)表示且x满足0.8≤x＜1.0、y满足95≤y＜100的材料，并且核生成层含有由化学式(2)即(Ge0.5Te0.5)z(Bi0.4Te0.6)100-z(mol％)表示且z满足10≤z≤71的材料，并且核生成层与记录层相接的信息记录介质，即使形成较小的记录标记，也能够得到足够的信号振幅，并稳定地保存较小的记录标记。
信息记录介质及其制造方法

[发明专利]信息记录介质的初始化方法、信息记录介质的初始化装置和信息记录介质-CN200980100889.8有效
发明人： 槌野晶夫;西内健一;山田升;儿岛理惠 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2009-09-02 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： G11B7/26 文献下载
摘要：本发明通过具有初始化用波长的第1光束(A)对记录膜的一部分进行部分初始化，通过具有与用于记录再现信息的波长对应波长的第2光束(B)，对信息记录介质进行聚焦调整，通过第1光束(A)进行记录膜的初始化，由此能够使具有多个信息层的多层信息记录介质的全部信息层的记录膜可靠地初始化。
信息记录介质初始化方法装置

[发明专利]信息记录介质及其制造方法-CN200680044701.9无效
发明人： 槌野晶夫;西原孝史;儿岛理惠 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2006-11-01 - 公布日： 2008-12-03 - 主分类号： G11B7/24 文献下载
摘要：本发明提供一种不含S元素的电介质材料，并提供一种即使在反射层和电介质层之间不设置界面层、仍能得到高信号品质且记录灵敏度及重写特性优良的信息记录介质。为此，在本申请中，信息记录介质至少具备记录层，所述记录层因照射激光束或者施加电流而发生相变，其具备包含In元素、元素M1、氧元素(O)、元素M2、氟元素(F)的氧化物－氟化物电介质层，其中，M1为选自Zr、Hf、Y、Ti、Nb、Ta、Cr、Ga及Si的至少一种元素，M2为选自La、Ce、Pr、Nd、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Yb、Mg、Ca及Sr的至少一种元素。
信息记录介质及其制造方法

[发明专利]信息记录介质及其制造方法-CN200680026165.X无效
发明人：坂上嘉孝;西原孝史;儿岛理惠;槌野晶夫 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2006-07-06 - 公布日： 2008-07-16 - 主分类号： G11B7/24 文献下载
摘要：本发明提供一种信息记录介质及其制造方法，在构成单面具有多个信息层(1、2)的信息记录介质的至少两个信息层中，一个信息层(1)中所含的记录层(7)及与之邻接设置的电介质层(6、8)的组成与另一个信息层中所含的这些层(12、11、13)的组成相同，由此，可不进行靶更换地在相同的溅射成膜室分别形成两个信息层(1、2)的记录层(7、12)及电介质层(6、11)(8、13)，从而可减少生产时的损耗时间而制造单面多层结构的介质。
信息记录介质及其制造方法

[发明专利]信息记录介质及其制造方法-CN200580040945.5无效
发明人： 槌野晶夫;西原孝史;儿岛理惠 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2005-10-14 - 公布日： 2007-11-07 - 主分类号： G11B7/257 文献下载
摘要：本发明公开一种信息记录介质及其制造方法，其中作为电介质层材料不含有硫，信号质量高且重写特性优秀，且减少了层数的低成本的信息记录介质。因此，在记录或再生信息的信息记录介质中，具有含Ce－F的层，含Ce－F的层作为电介质层。
信息记录介质及其制造方法

[发明专利]信息记录介质及其制造方法-CN200680000195.3有效
发明人： 槌野晶夫;西原孝史;儿岛理惠 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2006-04-20 - 公布日： 2007-04-25 - 主分类号： G11B7/257 文献下载
摘要：本发明提供一种记录信息时的记录灵敏度高、且反复改写性能优越、信号保存性良好的信息记录介质。为此，在信息记录介质(15)中，至少具备一个具有发生相变的记录层(104)的信息层(16)，信息层(16)中的至少一个具有：与记录层(104)的一方的面接触、含有Cr和O的Cr含有层；和与上述记录层的另一方的面接触、含有In和O的In含有层。
信息记录介质及其制造方法

[发明专利]信息记录介质及其制造方法-CN200580005490.3无效
发明人：西原孝史;槌野晶夫;儿岛理惠;山田升 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2005-09-06 - 公布日： 2007-02-28 - 主分类号： G11B7/257 文献下载
摘要：本发明提供一种记录信息时的记录灵敏度高、并且重复重写性能优异的信息记录介质。为此，在基板(14)上至少具备通过照射激光束或外加电流而可记录及/或再生信息的记录层(104)、和第2电介质层(106)的信息记录介质(15)中，第2电介质层(106)含有M1(其中，M1为从Sc、Y、La、Gd、Dy及Yb中选择的至少一种元素)和O。
信息记录介质及其制造方法

1
共 14 条