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[发明专利]一种非共线反铁磁Mn3-CN202211364041.X在审
发明人：刘国磊;刘嘉慧;张震;颜世申;陈延学;梅良模 -专利权人：山东大学
申请日： 2022-11-02 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H01F10/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种非共线反铁磁Mn3Sn单晶薄膜及其分子束外延制备方法，属于自旋电子学材料与器件技术领域。薄膜包括由下到上依次设置的衬底和Mn3Sn薄膜，Mn3Sn薄膜晶体取向为(0001)、或晶体取向为(0001)时，Mn3Sn薄膜具有六度对称性。本发明制备D019六角晶体结构的非线性反铁磁Mn3Sn薄膜，具有优良的晶体有序性和自旋有序性，而且很好的体现了块体材料中的新奇物理特性和拓扑电子输运特性，适用于后续的科学研究，是一种应用于反铁磁自旋电子学器件的优良材料。
一种共线反铁磁 mn base sub

[发明专利]层状VO2激光脉冲调制器件及应用-CN201410235281.9有效
发明人：张怀金;于浩海;王树贤;王继扬;陈延学;梅良模 -专利权人：山东大学
申请日： 2014-05-29 - 公布日： 2017-08-08 - 主分类号： H01S3/11 文献下载
摘要：本发明涉及层状VO2激光脉冲调制器件及应用。层状VO2脉冲调制器件包括衬底和沉积在衬底上面的VO2材料，用于对产生近红外的激光进行调Q和锁模，制成全固态激光用脉冲调制激光器；所述的全固态激光用脉冲调制激光器包括泵浦源，前腔镜，激光增益介质，VO2调制器件，输出镜；将所述的VO2调制器件放于全固态激光器的谐振腔内，制成调Q器件或锁模器件的激光器。本发明的脉冲调制器件具有制作简单、有利于产业化生产和集成化等特点。
层状 vo sub 激光脉冲调制器件应用

[发明专利]一种具有整流磁电阻效应的磁传感器及其制备方法与应用-CN201510224845.3有效
发明人：颜世申;梅良模;田玉峰;张昆;李欢欢;李强;叶升涛;康仕寿;陈延学;刘国磊 -专利权人：山东大学
申请日： 2015-05-05 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：一种具有整流磁电阻效应的磁传感器,包括在半导体上形成的可磁场调控的肖特基势垒，以使所述磁传感器具有整流磁电阻效应，既具有整流效应，又具有磁电阻效应。当一个交变的电流通过该磁传感器时，在该磁传感器两端产生一个整流电压。并且该磁传感器的整流特性会随着外部磁场的变化而发生变化，所以整流电压会随着外磁场发生相应变化，通过检测整流电压的变化即可反推得到外部磁场的变化。该磁传感器可应用于磁存储数据的读取，或者测量外磁场。通过本发明的磁传感器能够获得比直流测量更大的磁电阻比值，能够提高磁传感器的信噪比，增加测量精度，提高磁存储器件的容错能力。并且该器件工作电压很低，具有低功耗的优势。
一种具有整流磁电效应传感器及其制备方法应用

[发明专利]一种调控磁电阻比值的方法-CN201510902153.X在审
发明人：颜世申;田玉峰;梅良模;李欢欢;张昆;黄启坤 -专利权人：山东大学
申请日： 2015-12-08 - 公布日： 2016-05-04 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：一种调控磁电阻比值的方法，包括：1)在具有整流磁电阻器件的两端施加一个固定幅值的交流电流；2)同时，在所述交流电流的基础上耦合上一个直流电流I₁，此时输出的交流电流信号存在I₁的平移：i＝I₀sin(wt)+I₁；3)检测所述器件随外磁场变化所产生的整流电压V_H：，其中H代表外磁场的强度，T代表所述交流电流的周期；4)调节施加在所述器件上电流的直流分量I₁的大小，从而调节整流电压V_H的大小，最终调节磁电阻比值MR＝(V_H-V₀)/V₀。本发明是利用所述于器件既具有整流磁电阻，又具有直流磁电阻，进而实现调节整流电压V_H的大小，最终达到调节磁电阻比值的技术效果。
一种调控磁电比值方法

[发明专利]基于非线性光学材料二硫化钼的被动调Q光纤激光器-CN201410285835.6在审
发明人：王璞;任军;张怀金;于浩海;王树贤;陈延学;梅良模 -专利权人：北京工业大学;山东大学
申请日： 2014-06-24 - 公布日： 2014-09-24 - 主分类号： H01S3/115 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于非线性光学材料二硫化钼被动调Q光纤激光器，属于激光技术及其非线性光学领域。该激光器包括泵浦源、波分复用器、掺杂光纤、二硫化钼可饱和吸收体、单模光纤、环形器、隔离器、光纤光栅、光纤耦合器及透镜。由于少数层二硫化钼在中红外波段具有非线性可饱和吸收特性，可实现高脉冲能量、纳秒量级的脉冲激光输出。此外，通过控制二硫化钼材料的层数及缺陷，可得到不同的能量带隙以满足不同响应光谱范围，进而实现二硫化钼可饱和吸收体在不同激光波段的运转。
基于非线性光学材料二硫化钼被动光纤激光器

[发明专利]高掺杂ZnO:Co磁性半导体薄膜材料及其制备方法-CN201310308681.3有效
发明人：刘国磊;曹强;颜世申;梅良模;陈延学 -专利权人：山东大学
申请日： 2013-07-22 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： H01F1/40 文献下载
摘要：本发明涉及一种高掺杂ZnO:Co磁性半导体薄膜材料及其制备方法，所述高掺杂ZnO:Co磁性半导体薄膜材料结构式为Zn1-xCoxO,x=0.2～0.45。本发明采用在低温、超低氧气压条件下的氧分子束外延制备方法，得到具有单晶单相的纤维锌矿晶格结构的Zn1-xCoxO磁性半导体材料，最大Co金属固溶度达到45％。本发明制备的Zn1-xCoxO磁性半导体具备超强的室温铁磁性，最大饱和磁化强度530emu/cm3，最大平均原子磁矩1.68μB/Co、巨大的室温磁光克尔效应。制备的Zn1-xCoxO磁性半导体材料可用于自旋电子学器件。
掺杂 zno co 磁性半导体薄膜材料及其制备方法

[发明专利]两维MoS₂激光脉冲调制器件及全固态激光用脉冲调制激光器-CN201310278201.3在审
发明人：张怀金;王树贤;于浩海;王继扬;陈延学;梅良模 -专利权人：山东大学
申请日： 2013-07-03 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01S3/11 文献下载
摘要：本发明涉及两维MoS2脉冲调制器件及全固态激光用脉冲调制激光器。所述MoS2脉冲调制器件包括衬底和沉积在衬底上的MoS2材料,衬底厚度为0.5～2mm；MoS2材料厚度为1-50nm；可用于对产生可见光、红外或紫外的激光进行调Q或锁模；所述的全固态激光用脉冲调制激光器包括泵浦源，前腔镜，激光增益介质，MoS2调制器件，输出镜；将所述的MoS2调制器件置于所述谐振腔内，制成调Q器件或锁模器件的激光器；所述的激光增益介质是半导体、激光晶体、激光陶瓷或者激光玻璃。本发明的脉冲调制器件具有制作简单、可实现波长较大范围内激光的调节、有利于产业化生产等特点。
mos sub 激光脉冲调制器件固态激光器

[发明专利]集记忆电阻与隧穿磁电阻于一体的多功能自旋记忆电阻器件及制备方法-CN201210449048.1有效
发明人：颜世申;李强;沈婷婷;代正坤;臧云飞;刘国磊;陈延学;梅良模 -专利权人：山东大学
申请日： 2012-11-09 - 公布日： 2013-02-27 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明涉及集记忆电阻与隧穿磁电阻于一体的多功能自旋记忆电阻器件及制备方法。该多功能自旋记忆电阻器件采用Co/CoO-ZnO/Co磁性隧道结，在外加电压下具有双极阻变效应，在外加磁场下具有隧穿磁电阻效应；磁性隧道结上、下均溅射Ag电极，下电极Ag接地，当上电极Ag加一定的正电压时，磁性隧道结由高阻态转换为低阻态，当上电极Ag加一定的负电压时，磁性隧道结由低阻态变为高阻态。本发明还提供多功能自旋记忆电阻器件的制备方法。本发明结合隧穿磁电阻和电致电阻效应，通过电场和磁场的作用成功实现了Co/CoO-ZnO/Co中多重电阻状态的调控。该器件可用于多态存储器和模拟神经网络。
记忆电阻磁电一体多功能自旋器件制备方法

[发明专利]一种异质结纯电阻-二极管复合温度计-CN201210485015.2有效
发明人：颜世申;李强;沈婷婷;曹艳玲;张昆;代正坤;刘国磊;陈延学;梅良模 -专利权人：山东大学
申请日： 2012-11-23 - 公布日： 2013-02-27 - 主分类号： G01K7/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种异质结纯电阻-二极管复合温度计，采用Co/CoO-ZnO/Ag异质结，该异质结中Co为下电极，Ag为上电极，CoO-ZnO为复合绝缘层。在测量时，把异质结的Ag、Co上下电极和外电路测量仪表相连接，当电压银正、钴负时异质结处于低阻态，利用低电阻状态时的金属导电特性对应的R-T曲线测量高温；当电压是银负、钴正时异质结处于高组态；利用高电阻状态时的半导体导电特性对应的R-T曲线测量低温，测量温度范围5K-300K。本发明的温度计可测量温度范围宽，在大范围内均能保证同样的测量精度。对温度的响应时间快且很灵敏，可用于微米级物体的温度测量。
一种异质结纯电阻二极管复合温度计

[发明专利]具有自旋电动势及巨磁电阻效应的磁性隧道结自旋电池及其制备方法-CN201210452332.4有效
发明人：颜世申;李强;沈婷婷;代正坤;刘国磊;陈延学;梅良模 -专利权人：山东大学
申请日： 2012-11-09 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明涉及具有自旋电动势及巨磁电阻效应的磁性隧道结自旋电池及其制备方法。所述磁性隧道结自旋电池Co/CoO-ZnO/ZnCoO按以下方法制备：利用磁控溅射的方法，在衬底上生长铁磁金属Co层和中间绝缘层ZnO；在氧气占3‰体积比的气氛下生长ZnO层，使Co层部分氧化自然形成CoO层；氧化物磁性半导体ZnCoO层用交替沉积Co和ZnO的方法制备,Co和ZnO层的厚度在0.2-0.7nm,Co和ZnO交替沉积周期为20-50。该自旋电池在无外加电压的情况下产生的自旋电动势可以随磁场大小发生正负变化，从而可用磁场来调控电压。该自旋电池在一定的外电压条件下产生高达1000%的磁电阻，可用于磁传感器。
具有自旋电动势磁电效应磁性隧道电池及其制备方法

[实用新型]全陶瓷热电发电模块-CN201120028834.5无效
发明人：王春雷;王洪超;苏文斌;刘剑;梅良模 -专利权人：山东大学
申请日： 2011-01-28 - 公布日： 2011-10-26 - 主分类号： H01L35/18 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种全陶瓷热电发电模块，它首次提出了全陶瓷热电发电模块的思路，实现了自身及使用过程的绿色环保和低成本。全陶瓷热电模块的最基本单元包括一个作为基体的导电陶瓷，在导电陶瓷的两端分别通过锡焊固连P型陶瓷Bi:CCO和N型陶瓷Y:STO，构成型全陶瓷热电发电模块。本实用新型得到了最大开路电压为37mV，最大输出功率为1.03μW。
陶瓷热电发电模块

[发明专利]全陶瓷热电发电模块及其制备方法-CN201110030154.1无效
发明人：王春雷;王洪超;苏文斌;刘剑;梅良模 -专利权人：山东大学
申请日： 2011-01-28 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01L35/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种全陶瓷热电发电模块及其制备方法，它首次提出了全陶瓷热电发电模块的思路，实现了自身及使用过程的绿色环保和低成本。全陶瓷热电模块的最基本单元包括一个作为基体的导电陶瓷，在导电陶瓷的两端分别通过锡焊固连P型陶瓷Bi:CCO和N型陶瓷Y:STO，构成型全陶瓷热电发电模块。本发明得到了最大开路电压为37mV，最大输出功率为1.03μW。
陶瓷热电发电模块及其制备方法

[发明专利]医学超声图像直线检测方法-CN200910005674.X有效
发明人：孙丰荣;王庆浩;贾晓波;刘炜;刘志刚;刘庆江;梅良模 -专利权人：海信集团有限公司;山东大学
申请日： 2009-02-16 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种医学超声图像直线检测方法，为了克服现有技术需要人工操作，抗噪性能差，计算量很大且不能实时检测等缺点而发明；包括以下步骤：(1)选取感兴趣区域；(2)对当前的帧图像进行抽样；(3)找出每个抽样样本中的边缘点；(4)使用随机抽样一致性算法对找出的边缘点进行计算，并根据计算结果选取一条直线作为检测到的直线。采用上述方法大大地减少了医学超声图像直线检测处理的计算量，增强了抗噪性，降低了对噪声敏感度，能够很好地消除斑点噪声对检测结果的影响，能够对视频超声图像进行实时、自动的检测。
医学超声图像直线检测方法

[发明专利]医学超声影像三维目标对象的分割方法-CN200910005673.5无效
发明人：孙丰荣;王文明;王丽梅;刘炜;刘志刚;刘庆江;梅良模 -专利权人：海信集团有限公司;山东大学
申请日： 2009-02-16 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种医学超声影像三维目标对象的分割方法，为解决现有技术分割精度不高，或者时间性能不够理想，或者自动化程度较低的问题而发明。所述医学超声影像三维目标对象的分割方法，包括：对包含所述医学超声影像三维目标对象的原始散乱的医学超声影像数据进行重组重排，得到规则体数据集；对所述规则体数据集进行基于轮廓线的分割。在所述基于轮廓线的分割中，引入了关键帧与中间帧的概念，应用了拓扑自适应形变模型和基于形状的插值，能够快速而准确地获得所述医学超声影像三维目标对象的轮廓。本发明不仅适用于医学超声影像三维目标对象的分割，也适用于CT、MRI等医学图像序列三维目标对象的分割。
医学超声影像三维目标对象分割方法

[发明专利]镧和镝共掺杂SrTiO₃陶瓷材料及其制备方法-CN201010147835.1无效
发明人：王洪超;王春雷;苏文斌;刘剑;孙毅;梅良模 -专利权人：山东大学
申请日： 2010-04-16 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： C04B35/47 文献下载
摘要：本发明涉及镧和镝共掺杂SrTiO3陶瓷材料,它的分子式为La0.1-xDy0.1+xSr0.8TiO3，其中0≤x≤0.10。本发明陶瓷材料有效地保持了La0.1-xDy0.1+xSr0.8TiO3陶瓷样品的功率因子，得到了最大功率因子1318μW/K2m；同时有效的降低了样品的热导率，得到最低热导率2.3W/mK；La和Dy的重掺杂有效的提高了SrTiO3基陶瓷样品的热电性能，得到最大热电优值0.36。
掺杂 srtio sub 陶瓷材料及其制备方法

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