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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]等离子体处理方法和等离子体处理装置-CN202110659565.0在审
发明人：永海幸一;藤原一延;大下辰郎;道菅隆;丸山幸儿;永关一也;桧森慎司 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-08-17 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理装置，其能够抑制基片的蚀刻速率下降并且降低照射至腔室主体的内壁的离子的能量。一个实施方式的等离子体处理装置包括产生直流电压的直流电源，该直流电压具有负极性且用于被施加至工作台的下部电极。在利用该等离子体处理装置的等离子体处理中，供给高频以使腔室内的气体激励而生成等离子体。另外，来自直流电源的负极性的直流电压被周期性地施加至下部电极，以将来自等离子体的离子引入到工作台上的基片。在各个周期内直流电压被施加至下部电极的期间所占的比率被设定为40％以下。
等离子体处理方法装置

[发明专利]等离子体处理方法和等离子体处理装置-CN201810939779.1有效
发明人：永海幸一;藤原一延;大下辰郎;道菅隆;丸山幸儿;永关一也;桧森慎司 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-08-17 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理装置，其能够抑制基片的蚀刻速率下降并且降低照射至腔室主体的内壁的离子的能量。一个实施方式的等离子体处理装置包括产生直流电压的直流电源，该直流电压具有负极性且用于被施加至工作台的下部电极。在利用该等离子体处理装置的等离子体处理中，供给高频以使腔室内的气体激励而生成等离子体。另外，来自直流电源的负极性的直流电压被周期性地施加至下部电极，以将来自等离子体的离子引入到工作台上的基片。在各个周期内直流电压被施加至下部电极的期间所占的比率被设定为40％以下。
等离子体处理方法装置

[发明专利]等离子体处理方法及等离子体处理装置-CN202011335819.5在审
发明人：久保田绅治;永关一也;桧森慎司;永海幸一 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-11-25 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明中公开的等离子体处理方法包括在第1期间，通过从高频电源供应高频电力而在等离子体处理装置的腔室内生成等离子体的工序。等离子体处理方法进一步包括在接续第1期间的第2期间，停止供应源自高频电源的高频电力的工序。等离子体处理方法进一步包括在接续第2期间的第3期间，将负极性的直流电压从偏置电源施加到基板支承器的工序。在第3期间，未供应高频电力。在第3期间，将负极性的直流电压设定为利用二次电子在腔室内生成离子，该二次电子通过使腔室内的离子碰撞基板而释放。
等离子体处理方法装置

[发明专利]等离子体处理方法及等离子体处理装置-CN202010423589.1在审
发明人：舆水地盐;广津信;池田武信;永海幸一;桧森慎司 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-05-19 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理方法及等离子体处理装置。一示例性实施方式所涉及的等离子体处理方法包括在等离子体处理装置的腔室内的等离子体生成过程中的第一期间，向设置于腔室内的基板支撑器的下部电极施加第一直流电压的工序。等离子体处理方法还包括在腔室内的等离子体生成过程中的与第一期间不同的第二期间向下部电极施加第二直流电压的工序。第二直流电压具有与第一直流电压的电平不同的电平。第二直流电压具有与第一直流电压的极性相同的极性。
等离子体处理方法装置

[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法-CN201911058656.8在审
发明人：永海幸一;永关一也;桧森慎司 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-11-01 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： H01J37/248 文献下载
摘要：本发明提供等离子体处理装置和等离子体处理方法。在一个例示的实施方式的等离子体处理装置中，基片支承台设置于腔室内。基片支承台的下部电极与电源单元连接。在腔室内由蚀刻气体生成等离子体的生成过程中，电源单元将第一直流电压施加到下部电极。第一直流电压为正极性的直流电压。电源单元为了对载置于基片支承台上的基片进行蚀刻，在腔室内由蚀刻气体生成等离子体的生成过程中，将第二直流电压施加到下部电极。第二直流电压为负极性的直流电压。电源单元输出的直流电压从第一直流电压被连续地切换为第二直流电压。本发明能够使基片的正电荷量减少并且使蚀刻速率提高。
等离子体处理装置方法

[发明专利]等离子体处理方法和等离子体处理装置-CN201910332423.6在审
发明人：永海幸一;大下辰郎;永关一也;桧森慎司 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-04-24 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明抑制基片的蚀刻速率降低并且降低照射到腔室主体的内壁的离子的能量。等离子体处理方法包括：从高频电源供给高频的步骤；从一个以上的直流电源对下部电极施加具有负极性的直流电压的步骤，在施加直流电压的步骤中，将直流电压周期性地施加到下部电极，在将规定对下部电极施加直流电压的各个周期的频率设定为不到1MHz的状态下，调节在各个周期内将直流电压施加到下部电极的时间所占的比例。
直流电压下部电极施加等离子体处理等离子体处理装置蚀刻高频电源腔室主体速率降低直流电源负极性内壁离子照射

[发明专利]等离子体喷镀装置和喷镀控制方法-CN201780069695.0在审
发明人：小林義之;桧森慎司;古谷直一 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-10-27 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： H05H1/42 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体喷镀装置，其具有：供给部，其利用等离子体生成气体来运送喷镀材料的粉末，并从前端部的开口喷射该喷镀材料的粉末；等离子体生成部，其使用喷射出的所述等离子体生成气体来生成与所述供给部具有共同的芯轴的等离子体；磁场产生部，其在所述等离子体的生成空间中产生磁场；以及控制部，其控制所述磁场产生部，来控制所述生成的等离子体的偏转。
等离子体等离子体生成气体等离子体喷镀磁场产生部喷镀材料供给部喷射等离子体生成部偏转前端部喷镀芯轴磁场开口运送

[发明专利]基板处理装置和基板处理装置的控制方法-CN201510962055.5有效
发明人： 桧森慎司;山田纪和;大瀬刚 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2012-03-30 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理装置以及该基板处理装置的控制方法。上述基板处理装置，包括：内部被减压的处理室；配置在该处理室内、载置基板的载置台；施加等离子体生成用高频电压的第一高频电源；对所述载置台施加偏置电压发生用高频电压、在所述载置台产生偏置电压的第二高频电源；对所述载置台施加矩形波状的直流电压、在所述载置台产生偏置电压的直流电压施加单元；和开关机构，该开关机构配置在所述载置台与所述第二高频电源以及所述直流电压施加单元之间，能够控制所述载置台与所述第二高频电源的连接以及所述载置台与所述直流电压施加单元的连接。
处理装置控制方法

[发明专利]等离子体蚀刻方法-CN201510206545.2在审
发明人：松土龙夫;桧森慎司;今井范章;大瀬刚;阿部淳;胜沼隆幸 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2008-08-15 - 公布日： 2015-07-29 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明提供等离子体蚀刻方法，能够大幅改善充电损伤的发生，实现等离子体处理的稳定性和可靠性的提高。在能够真空排气的处理容器(10)内相对地平行配置上部电极(38)和下部电极(12)，由第一高频电源(32)通过第一匹配器(34)向下部电极(12)施加第一高频。控制部(68)以使得用于生成等离子体的第一高频具有生成等离子体的第一振幅的第一期间、和具有实质上不生成等离子体的第二振幅的第二期间以规定的周期交替重复的方式控制第一高频电源(32)。
等离子体蚀刻方法

[发明专利]多层膜的蚀刻方法-CN201410028242.1有效
发明人： 桧森慎司;伊藤悦治;横田聪裕;草野周;石塚博昭;永关一也 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2014-01-21 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种对在第1氧化膜与第2氧化膜之间设有有机膜的多层膜进行蚀刻的多层膜的蚀刻方法。在该方法中，对有机膜进行蚀刻的工序（b）中的等离子体生成用的高频电力大于对第1氧化膜进行蚀刻的工序（a）和对第2氧化膜进行蚀刻的工序（c）中的高频电力。工序（a）和工序（c）中的吸引离子用的高频偏压电力大于工序（b）中的高频偏压电力。另外，在工序（a）、工序（b）以及工序（c）中，形成具有这样的强度分布的磁场：沿着相对于被处理体的中心轴线而言的放射方向的水平磁场成分在离开中心轴线的位置处具有峰值；工序（b）中的水平磁场成分的峰值位置比工序（a）和工序（c）中的水平磁场成分的峰值位置靠近中心轴线。
多层蚀刻方法

[发明专利]基板处理装置和基板处理方法-CN201310162785.8有效
发明人：宇井明生;林久贵;上夏井健;桧森慎司;山田纪和;大瀬刚;阿部淳 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2009-09-24 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供基板处理装置和基板处理方法，其能够有效地抑制电极上的基板的电压变化，抑制射向基板的离子的入射能量的变动。基板处理装置包括：将基板保持在主面上的第一电极；与第一电极相对的第二电极；向第一电极施加频率为40MHz以上的RF电压的RF电源；和叠加在RF电压上，向第一电极施加电压与时间对应地下降的脉冲电压的脉冲电压施加部。
处理装置方法

[发明专利]基板处理装置-CN201310047993.3有效
发明人：永关一也;伊藤悦治;横田聪裕;桧森慎司;松山昇一郎 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2013-02-06 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理装置，其能够防止电荷在栅电极中蓄积，能够可靠地抑制栅氧化膜的绝缘破坏。在被供给高频电力的基座（12）和与该基座（12）相对配置的上部电极（13）之间的处理空间S产生电场E，使用由该电场（E）产生的等离子体对载置于基座（12）的晶片W实施等离子体处理时，通过配置于上部电极（13）的上表面（13a）的多个电磁铁（25）和电磁铁（26）在处理空间S中产生磁场B，使通过电场E产生的等离子体的Ne（电子密度）的分布形态和由磁场B产生的等离子体的（Ne）的分布形态重叠，来调整处理空间S的Ne的分布，使晶片W表面的Vdc（负偏压电位）均匀化。
处理装置

[发明专利]基板处理方法-CN201210091861.6有效
发明人： 桧森慎司;山田纪和;大瀬刚 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2012-03-30 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种能够提高蚀刻的加工控制性的基板处理装置。基板处理装置(10)包括：内部被减压的腔室(11)；配置在该腔室(11)内、载置晶片(W)的基座(12)；对基座(12)施加等离子体生成用高频电压的HF高频电源(18)；对基座(12)施加偏置电压产生用高频电压的LF高频电源(20)；和对基座(12)施加矩形波状的直流电压的直流电压施加单元(23)。
处理方法

[发明专利]等离子体处理装置-CN201010623408.6有效
发明人： 桧森慎司;林大辅;清水昭贵 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2010-12-28 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：提供一种可以对等离子体生成所消耗的高频波的电场强度分布进行控制的等离子体处理装置。等离子体蚀刻装置(10)，具有在内部对被处理体进行等离子体处理的处理容器(100)；在处理容器(100)内部互相相对，并在相互之间形成处理空间的上部电极(105)和下部电极(110)；与下部电极(110)连接，向处理容器(100)内输出高频电力的第一高频电源(150)。在上部电极(105)和下部电极(110)的至少任一个，具有由板状金属形成的基材，和在内部埋设有金属的板电极的状态下嵌入上述基材的、一部分从上述基材露出的电介质。
等离子体处理装置

[发明专利]等离子体处理装置及聚焦环-CN201010299872.4无效
发明人：远藤升佐;桧森慎司 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2004-01-07 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供可以在被处理基板的整个面上实施均匀的等离子体处理，与目前相比可以提高等离子体的面内均匀性的等离子体处理装置以及聚焦环。在搭载半导体晶片(W)而兼作下部电极的基座上，按照包围半导体晶片(W)的周围那样设置聚焦环(6)。聚焦环(6)由薄板状的环形部件(6a)和下侧环形部件(6b)组成，前述薄板状的环形部件(6a)按照从前述被处理基板的外周边缘部设置一定间隔而包围半导体晶片(W)的周围那样配置，前述下侧环形部件(6b)按照位于半导体晶片(W)和薄板状的环形部件(6a)之间且位于半导体晶片(W)和薄板状的环形部件(6a)下侧那样配置。
等离子体处理装置聚焦

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