“柳田将志”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果8个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体器件-CN202180036264.0在审
发明人：福岛圣;蟹谷裕也;柳田将志 -专利权人：索尼集团公司;索尼半导体解决方案公司
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L29/812 文献下载
摘要：一种半导体器件，其具备：包含第一氮化物半导体的势垒层；沟道层，包含第二氮化物半导体，同时在第一表面处与势垒层结合；包含n型氮化物半导体的再生长层，同时设置在从势垒层的第二表面延伸到深度比势垒层和沟道层之间的界面更深的区域中，所述第二表面在第一表面的反面；包含氮捕捉元素的空孔形成区域，同时设置在再生长层的区域中，所述区域位于比势垒层和沟道层之间的界面浅的深度处；源极或漏极，设置在再生长层上。
半导体器件

[发明专利]半导体器件、电路以及无线通信设备-CN202080078631.9在审
发明人： 柳田将志 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2020-11-13 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种半导体器件，设置有：包含GaN材料的沟道层；阻挡层，布置在沟道层上，同时包含In的组成比大于18％的AlInN材料；以及至少一个接触层，被形成为穿透阻挡层并到达沟道层，同时包含导电半导体材料。
半导体器件电路以及无线通信设备

[发明专利]半导体装置、半导体模块和电子设备-CN202080054414.6在审
发明人：竹内克彦;柳田将志 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2020-07-17 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：提供了一种半导体装置，包括：半导体层，包括沟道层；接触区域，沿着半导体层的厚度方向以预定尺寸设置，并且具有比周围半导体层的杂质浓度高的杂质浓度；栅电极，面对沟道层并且设置在半导体层上并且与接触区域隔开；以及电极，与半导体层接触并且经由接触区域电耦接到沟道层，并且至少在栅电极侧比接触区域延伸得更多。
半导体装置模块电子设备

[发明专利]半导体装置、电子部件、电子设备以及半导体装置的制造方法-CN201780003978.5有效
发明人：竹内克彦;兼松成;柳田将志 -专利权人：索尼公司
申请日： 2017-01-13 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明的半导体装置包括基板和在所述基板上的第一接触层。所述半导体装置包括在所述第一接触层上的沟道层和在所述沟道层上的势垒层。所述半导体装置包括在所述势垒层的至少一个侧面上的栅极电极和在所述沟道层上的第二接触层。所述半导体装置包括在所述第一接触层上的第一电极和在所述第二接触层上的第二电极。
半导体装置电子部件电子设备以及制造方法

[发明专利]半导体装置、通信模块和半导体装置的制造方法-CN201980063675.1在审
发明人：松本一治;柳田将志 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2019-09-20 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H01L21/338 文献下载
摘要：该半导体装置包括：半导体基板；沟道层，形成在半导体基板上；势垒层，形成在沟道层上；栅电极，经由栅极绝缘膜设置在势垒层上；源电极和漏电极，设置在沟道层上且栅电极介于源电极与漏电极之间；基板开口，设置成贯通沟道层以暴露半导体基板；绝缘膜，在基板开口的内侧上从栅电极、源电极和漏电极的上方设置该绝缘膜；以及配线层，设置在绝缘膜上并且经由设置在绝缘膜上的开口电耦接至栅电极、源电极和漏电极中的一个，其中，基板开口的至少一部分形成在设置有栅电极、源电极和漏电极的活性化区域中。
半导体装置通信模块制造方法

[发明专利]半导体器件和电子装置-CN201410069182.8有效
发明人： 柳田将志;兼松成 -专利权人：索尼公司
申请日： 2014-02-27 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件和包括该半导体器件的电子装置。所述半导体器件包括器件区域，其具有包括沟道部的半导体层；器件周边区域，其邻接所述器件区域；栅极电极，其设置在所述器件区域内，且具有跨越所述器件区域和所述器件周边区域的边界部；导电层，其设置在所述栅极电极与所述半导体层之间；和绝缘层，其设置在所述半导体层与位于所述边界部处的所述栅极电极之间。根据本发明，能够减小将会在绝缘层内生成的寄生成分的影响从而提高性能。
半导体器件电子装置

[发明专利]二极管及制造二极管的方法-CN201310367436.X在审
发明人：兼松成;柳田将志 -专利权人：索尼公司
申请日： 2013-08-21 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明涉及二极管及其制造方法。所述二极管包括：第一半导体层，由包含第一导电型杂质的化合物半导体构成；高位错密度区域；第二半导体层，层叠于所述第一半导体层上，并在与所述第一半导体层的界面侧区域中具有低于所述第一半导体层的杂质浓度，所述第二半导体层具有开口，所述开口中对应于所述高位错密度区域的部分被移除；绝缘膜图案，被设置成覆盖所述开口的内壁；电极，被设置成覆盖所述绝缘膜图案并接触所述第二半导体层；以及对向电极，被设置成使得所述第一半导体层、所述第二半导体层及所述绝缘膜图案被夹持在所述电极与所述对向电极之间。根据本发明，能够安全地防止由化合物半导体构成的半导体层中的经由穿透位错区域出现的漏电流。
二极管制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法、固体摄像器件和固体摄像装置-CN201010566844.4有效
发明人： 柳田将志 -专利权人：索尼公司
申请日： 2010-11-19 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件及其制造方法、固体摄像器件和固体摄像装置，其中所述半导体器件的制造方法包括以下步骤：在半导体基板的表面上的绝缘层上形成晶体管的栅极；通过将第一导电类型的杂质离子注入半导体基板中而形成隔离区；在晶体管的栅极的上层上形成包括比栅极的宽度窄的开口部的掩模图案之后，通过使用该掩模图案作为掩模，在半导体基板的表面附近进行第二导电类型的杂质的离子注入，形成轻掺杂漏极区；以及在形成晶体管的栅极之后，通过将第二导电类型的杂质的离子注入至半导体基板中，形成晶体管的源极区和漏极区。本发明可避免形成漏电流路径，并且可避免晶体管短路以及晶体管的阈值电压下降。
半导体器件及其制造方法固体摄像器件装置

1
共 8 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top