“柳庚玟”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果11个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体器件-CN202310362129.6在审
发明人：白奉官;林俊赫;千正焕;韩奎熙;白宗玟;柳庚玟;申定候;张相信 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-04-06 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供了具有改善的性能和可靠性的半导体器件和用于形成其的方法。半导体器件包括在第一方向上延伸的有源图案、在有源图案上在第一方向上彼此间隔开的栅极结构、在有源图案上的源极/漏极图案、在源极/漏极图案上的源极/漏极接触、以及沿着源极/漏极接触的侧壁延伸的接触衬垫。接触衬垫的第一点处的接触衬垫的碳浓度不同于接触衬垫的第二点处的接触衬垫的碳浓度，第一点在距有源图案的上表面的第一高度处，第二点在距有源图案的上表面的第二高度处，第一高度小于第二高度。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN201610900212.4有效
发明人：金成洙;朴起宽;姜尚求;柳庚玟;李在训;河泰元 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-10-14 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件。一种能够通过将元素半导体材料注入或掺入到层间绝缘层中来调节栅电极和栅间隔物的外形的半导体器件可以被提供。所述半导体器件可以包括：衬底上的栅间隔物，栅间隔物限定沟槽；填充沟槽的栅电极；以及衬底上的层间绝缘层，层间绝缘层围绕栅间隔物，以及层间绝缘层的至少一部分包括锗。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN201610944717.0有效
发明人：金成洙;朴起宽;崔正宪;柳庚玟;李宣姃 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-10-26 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：衬底，其包括第一区和第二区；第一区的衬底上的第一栅极结构和第二栅极结构；第二区的衬底上的第三栅极结构和第四栅极结构；第一层间绝缘膜，其位于第一区的衬底上，并且包括第一下层间绝缘膜和第一上层间绝缘膜；第二层间绝缘膜，其位于第二区的衬底上，并且包括第二下层间绝缘膜和第二上层间绝缘膜；第一接触部分，其位于第一栅极结构与第二栅极结构之间和第一层间绝缘膜中；以及第二接触部分，其形成在第三栅极结构与第四栅极结构之间，并且位于第二层间绝缘膜中。
半导体器件

[发明专利]半导体装置-CN201610669304.6有效
发明人：闵宣基;柳庚玟;姜尚求 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-08-15 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： H01L29/41 文献下载
摘要：提供了一种使用混合层间绝缘膜能够调整栅电极和栅极间隔件的轮廓的半导体装置。所述半导体装置包括：栅电极，位于基底上；栅极间隔件，位于栅电极的侧壁上并包括上部和下部；下层间绝缘膜，位于基底上，并与栅极间隔件的下部叠置；以及上层间绝缘膜，位于下层间绝缘膜上并与栅极间隔件的上部叠置，其中，下层间绝缘膜不置于上层间绝缘膜与栅极间隔件的上部之间。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201610948671.X有效
发明人：金成洙;朴起宽;金松伊;柳庚玟;闵宣基 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-10-26 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一鳍型图案，包括彼此相对的第一侧表面和第二侧表面；第一深度的第一沟槽，与第一侧表面相邻；第二深度的第二沟槽，与第二侧表面相邻，第二深度与第一深度不同；第一场绝缘膜，部分地填充第一沟槽；以及第二场绝缘膜，部分地填充第二沟槽。第一鳍型图案具有下部和宽度比下部的宽度窄的上部，并具有位于上部与下部之间的边界上的第一台阶部。第一场绝缘膜包括与下部接触的第一下场绝缘膜和与上部接触的第一上场绝缘膜。
半导体装置

[发明专利]集成电路器件-CN201710264659.1有效
发明人：金成洙;柳庚玟 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-04-21 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本公开提供集成电路器件。一种集成电路器件包括：鳍型有源区域，在基板上在第一方向上延伸；第一栅线和第二栅线，在鳍型有源区域上彼此平行地在第二方向上延伸，第二方向不同于第一方向；第一绝缘覆盖层，覆盖第一栅线的上表面并平行于第一栅线延伸；第二绝缘覆盖层，覆盖第二栅线的上表面并平行于第二栅线延伸，其中第一栅线的高度和第二栅线的高度彼此不同。
集成电路器件

[发明专利]用于在基板上形成层的设备和在基板上形成层的方法-CN201811088265.6在审
发明人：李承宪;柳庚玟;吴暻锡;玄尚镇 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-09-18 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： C23C16/513 文献下载
摘要：公开了一种用于形成层的设备和一种在基板上形成层的方法。所述设备包括：转移腔室，在所述转移腔室中转移基板；沉积腔室，所述沉积腔室设置在所述转移腔室的一侧处，并且对所述基板执行沉积工艺，由此在所述基板上形成所述层；以及至少一个脱氢腔室，所述脱氢腔室设置在所述转移腔室的另一侧处，并且对所述基板上的所述层执行脱氢工艺，以减小所述层中的氢浓度。因此，在不从所述设备卸载所述基板的情况下，在所述设备中执行脱氢工艺。
基板转移腔室沉积腔室脱氢工艺腔室脱氢设备卸载转移基板减小沉积

[发明专利]具有周围有基础绝缘结构的有源柱的半导体装置-CN201810891561.3在审
发明人：曹九荣;郭大荣;金信惠;柳庚玟;玄尚镇 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-08-07 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，包含从衬底突出的有源图案及围绕有源图案的下部部分的绝缘结构。绝缘结构包含与衬底的顶部表面及有源图案的侧壁共形的绝缘层以及在绝缘层上的掩埋绝缘图案。本发明的半导体装置具有增强的可靠性。
半导体装置绝缘结构源图案绝缘层衬底顶部表面绝缘图案侧壁共形掩埋

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201810043583.4在审
发明人：闵宣基;金松伊;柳庚玟;柳齐民 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-01-17 - 公布日： 2018-07-27 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体装置。该半导体装置包括：衬底，其具有第一有源图案和第二有源图案，第一有源图案包括将其上部分为第一部分和第二部分的第一凹陷区，第二有源图案包括将其上部分为第一部分和第二部分的第二凹陷区；第一绝缘图案，其覆盖第一凹陷区的内侧壁；以及第二绝缘图案，其覆盖第二凹陷区的内侧壁。第一绝缘图案和第二绝缘图案包括相同的绝缘材料，并且第一绝缘图案相对于第一凹陷区的容积的体积分数小于第二绝缘图案相对于第二凹陷区的容积的体积分数。
绝缘图案凹陷区源图案半导体装置体积分数内侧壁绝缘材料衬底覆盖申请制造

[发明专利]半导体器件-CN201610916290.3在审
发明人：闵宣基;朴起宽;姜尚求;金成洙;金柱然;柳庚玟;李在训;河泰元 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-10-20 - 公布日： 2017-08-11 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件。一种半导体器件可以包括形成在衬底上并且具有上表面的宽度与下表面的宽度的第一比值的第一栅电极；形成在衬底上并且具有上表面的宽度与下表面的宽度的第二比值的第二栅电极，其中第二比值小于第一比值；形成在第一栅电极的侧壁上的第一栅间隔物；形成在第二栅电极的侧壁上的第二栅间隔物；以及覆盖第一栅间隔物和第二栅间隔物的层间绝缘膜。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN201610585329.8在审
发明人：金成洙;金松伊;柳庚玟;闵宣基 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-07-22 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括限定有源区的深沟槽和在有源区内突出的鳍型图案。鳍型图案具有下部、比下部宽度窄的上部以及形成在上部和下部之间的边界处的第一台阶部。所述半导体器件还包括围绕下部的第一场绝缘膜和形成在第一场绝缘膜上且部分地围绕上部的第二场绝缘膜。
半导体器件

1
共 11 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top