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[发明专利]基板处理装置-CN202011011955.9有效
发明人：孙侐主;朴永秀;柳守烈;崔宇镇;金学杜;许东根;吴俊昊 -专利权人：系统科技公司
申请日： 2020-09-22 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供能够防止因进行基板处理的平台上的基板的翘曲现象而引起的工序不良的基板处理装置。用于实现此目的的本发明的基板处理装置包括：多个腔室，为了处理基板而沿圆周方向以预定间隔布置；转盘(600)，配备为为了在多个腔室之间移送基板而能够旋转，其中，多个腔室中的至少一个腔室配备有：平台(110)，安置基板；夹持环(120)，以与基板的边缘位置部以预定宽度重叠的方式位于基板的上部并配备为可进行升降，以防止装载于平台(110)上的基板的变形；弹性部件(150)，配备为对夹持环(120)作用有朝向平台(110)的方向的弹性力；夹持销(160)，配备为以与作用于所述夹持环(120)的所述弹性力对向的方式使力作用于所述夹持环(120)。
处理装置

[发明专利]基板温度测量装置及基板温度测量方法-CN201910734046.9有效
发明人：朴永秀;孙侐主;朴商弼;柳守烈;金永镐;金学杜 -专利权人：系统科技公司
申请日： 2019-08-09 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： G01K1/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种基板温度测量装置及基板温度测量方法，更为详细地，其目的在于提供一种可以实时测量基板处理工序中的基板的温度的基板温度测量装置及基板温度测量方法。用于实现上述目的的本发明的基板温度测量装置包括探头，所述探头配备为将支撑基板而进行基板处理工序的基板支撑部上下贯通，且上端从所述基板支撑部的上表面突出，其中，所述探头的上端构成为相接于所述基板的下侧面，从而测量所述基板的温度。
温度测量装置测量方法

[发明专利]用于改善更年期疾病的包含红色三叶草提取物和蛇麻草提取物组合的组合物-CN201980077295.3在审
发明人：李映澈;柳守烈;刘寿显;金贤珍;全洗英;李保树;金美灿;李延濬 -专利权人：自然科技有限公司
申请日： 2019-11-21 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： A61K36/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于改善女性更年期(绝经期)失调的组合物，其包含红三叶草提取物和蛇麻草提取物的组合作为有效成分，更具体地，涉及一种用于改善女性更年期疾病的食品组合物或用于预防或治疗女性更年期疾病的药物组合物，以及制备用于改善女性更年期疾病的所述组合物的方法，其中该组合物包含红三叶草提取物和蛇麻草提取物的组合作为活性成分。
用于改善更年期疾病包含红色三叶草提取物蛇麻组合

[发明专利]基板处理装置-CN202011201480.X在审
发明人：吴俊昊;朴永秀;柳守烈;金学杜;孙侐主;朴商弼;许成壹 -专利权人：系统科技公司
申请日： 2020-11-02 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种在多个腔室之间能够稳定地移送基板的基板处理装置。用于实现此的本发明的基板处理装置，包括：多个腔室，为了处理基板而沿圆周方向以预定间隔布置；转盘，配备为为了在所述多个腔室之间移送所述基板而旋转，其中，所述多个腔室中的至少一个腔室配备有安置所述基板的平台和提供用于沿上下方向升降所述平台的驱动力的平台驱动部，所述转盘包括：转盘主体，借由转盘驱动部而升降以及旋转；环形的转盘环，配备为在安置于所述转盘主体的状态下能够从所述转盘主体分离。
处理装置

[发明专利]基板处理装置-CN202011034094.6在审
发明人：崔宇镇;朴永秀;柳守烈;孙侐主;朴商弼;吴俊昊;李民荣 -专利权人：系统科技公司
申请日： 2020-09-27 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种基板处理装置，该基板处理装置由于能够在一个装置内处理大小不同的基板而不需要部件更换时间及装置启动准备时间，从而能够提升工序效率的基板处理装置。用于实现此的本发明的基板处理装置用于处理基板，包括：基板支撑销，支撑所述基板的底面，并且形成有至少两个基板安置部，以用于安置彼此不同的大小的基板。
处理装置

[发明专利]热处理装置及热处理方法-CN201610329548.X有效
发明人：安贤焕;田银秀;柳守烈 -专利权人：系统科技公司
申请日： 2016-05-18 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明涉及一种热处理装置及热处理方法，尤其涉及一种旨在实现热处理对象基板的热变形最小化、与此同时可在同一腔室内迅速执行基板的加热处理和冷却处理的热处理装置及热处理方法。为此，本发明的热处理装置包括：腔室，内部形成有基板的热处理空间；加热部，配备于所述腔室的上部而用于加热基板；基板支撑部，可升降地配备于所述腔室的内部，用于安置固定所述基板；冷却部，配备于所述腔室的下部，用于冷却借助于所述加热部而得到热处理的基板和基板支撑部；升降驱动部，用于使所述基板和基板支撑部在加热位置与冷却位置之间升降，所述加热位置靠近所述加热部，所述冷却位置靠近所述冷却部或者接触于所述冷却部。
热处理装置方法

[发明专利]基板的连续处理装置以及方法-CN201710516268.4在审
发明人：朴永秀;田银秀;柳守烈;崔宇镇;孙侐主;许成壹 -专利权人：系统科技公司
申请日： 2017-06-29 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种如下的基板的连续处理装置以及方法，其利用等离子去除存在于基板的氧化膜，因此无需使用甲酸。为了实现上述目的，本发明的基板的连续处理装置包括：等离子腔室(200)，用于利用等离子去除存在于基板的氧化膜；加热腔室(400、500)，以预设的温度对在所述等离子腔室(200)经等离子处理的基板进行加热；冷却腔室(600)，对从所述加热腔室(400、500)移送的基板进行冷却，使所述冷却的基板被移送到装载及卸载腔室(100)；移送部(800)，使所述基板在所述腔室之间被移送。
基板连续处理装置等离子腔室加热腔室等离子氧化膜去除冷却等离子处理冷却腔室卸载腔室甲酸腔室预设加热装载

[发明专利]基板支撑装置-CN201610619714.X在审
发明人：朴永秀;柳守烈;孙侐主;金永镐 -专利权人：系统科技公司
申请日： 2016-07-29 - 公布日： 2017-11-10 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明公开一种基板支撑装置，其目的在于，在执行用于利用环氧树脂模塑料(EMC)材质的基板而制作单芯片系统(SoC)的回流焊工序时，最小化基板和支撑基板的支撑板之间的热传递引起的热损失，从而防止由基板的翘曲现象引起的工艺不良。为了实现上述目的，本发明的基板支撑装置在进行用于制造单芯片系统(SoC)的回流焊工艺时固定支撑环氧树脂模塑料材质的基板，其中包括支撑板，可升降地配备于对所述基板进行热处理的腔室的内部，并用于支撑所述基板；多个基板支撑部件，在所述支撑板上相隔预定间距而配备，并由隔热材料形成，以用于使所述基板被放置而得到支撑的同时阻断被热处理的基板和所述支撑板之间的热传递。
支撑装置

[发明专利]半导体晶圆的连续处理装置及方法-CN201480004276.5在审
发明人：李元求;徐现模;安贤焕;柳守烈;崔宇鎭 -专利权人：系统科技公司
申请日： 2014-01-07 - 公布日： 2015-09-16 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明涉及半导体晶圆的连续处理装置及方法，本发明的半导体晶圆的连续处理装置包括通过多个工序处理晶圆的多个腔室，所述多个腔室中一个以上的腔室包括：基座，为工序过程中支撑晶圆而固定设置；下部机壳，固定设置在所述基座的外侧，在所述晶圆的下部形成隔离的工序空间；上部机壳，为形成所述晶圆的上部隔离的工序空间而上下移动；转盘，在所述上部机壳与下部机壳之间形成，并形成露出所述基座上部的孔，因所述多个腔室之间移送所述晶圆而旋转，在所述基座的上部使所述晶圆上下移动；安放环，插入所述孔的上方并能脱离，安放所述晶圆。因此，能够简单化装置的结构，具有减少电力消耗的效果。
半导体连续处理装置方法

[发明专利]半导体晶圆的连续处理方法-CN201480004275.0在审
发明人：李元求;徐现模;安贤焕;柳守烈;崔宇鎭 -专利权人：系统科技公司
申请日： 2014-01-07 - 公布日： 2015-09-09 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体晶圆的连续处理方法，根据具备多个腔室，并具备围绕所述腔室外部的外部机体的装置，处理晶圆的半导体晶圆连续处理方法，包括：第1阶段，所述多个腔室由第1至第5腔室构成，在所述第1腔室装载晶圆后，注入惰性气体进行净化；第2阶段，移送完成所述第1阶段的所述晶圆至第2腔室，在所述第2腔室内部注入工序气体后，加热晶圆；第3阶段，移送完成所述第2阶段的所述晶圆至第3腔室，在所述第3腔室内部注入工序气体后，加热晶圆；第4阶段，移送完成所述第3阶段的所述晶圆至第4腔室，所述第4腔室的内部在大气压以下的压力状态，加热所述晶圆；第5阶段，移送完成所述第4阶段的所述晶圆至第5腔室，在所述第5腔室的内部注入工序气体后，加热晶圆；第6阶段，移送完成所述第5阶段的所述晶圆至第1腔室，冷却所述晶圆后卸载至外部，使其他晶圆装载至在所述第1腔室。本发明为了使半导体连续处理装置的回流装置的工作站个数减少，将工序阶段单纯化，进而具有缩减工序时间提高生产，并且缩减回流装置的大小且节减费用的效果。
半导体连续处理方法

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