“柳太熙”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果10个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]衬底处理方法-CN201810841057.2有效
发明人：金永勋;崔钟完;禹正俊;柳太熙 -专利权人： ASM知识产权私人控股有限公司
申请日： 2018-07-26 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本公开提供一种衬底处理方法，当在具有阶梯结构的VNAND装置上选择性地形成阻挡层时，所述衬底处理方法能够防止由蚀刻溶液导致的对阶梯结构的一部分的过度蚀刻。衬底处理方法包含：交替地堆叠第一绝缘层以及第二绝缘层；通过蚀刻堆叠的第一绝缘层以及第二绝缘层来形成阶梯式结构，所述阶梯式结构具有上表面、下表面以及使上表面连接到下表面的侧表面；使阶梯式结构致密；在致密化的第二绝缘层上形成阻挡层；以及对包含第二绝缘层以及阻挡层的牺牲字线结构的至少一部分执行各向同性蚀刻。在于各向同性蚀刻步骤处蚀刻阻挡层期间，第二绝缘层并不经蚀刻或经略微蚀刻到可忽略的程度。
衬底处理方法

[发明专利]衬底处理方法和使用其制造的半导体装置-CN201810379780.3有效
发明人： 柳太熙;闵允基;刘龙珉 -专利权人： ASM知识产权私人控股有限公司
申请日： 2018-04-25 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供一种衬底处理方法和使用其制造的半导体装置。所述衬底处理方法包含将各自包含绝缘层和牺牲层的多个堆叠结构堆叠在彼此上。方法还包含通过蚀刻堆叠结构来产生阶梯结构以及在阶梯结构的侧表面上产生分离层。方法进一步包含去除牺牲层且在去除牺牲层的空间中产生导电字线结构。分离层提供在导电字线结构之间。本发明的衬底处理方法可通过在台阶式结构的选择性区域上沉积薄膜来防止或最小化可在工艺期间出现的某些风险。
衬底处理方法使用制造半导体装置

[发明专利]衬底处理方法-CN202210862247.9在审
发明人： 柳太熙;郑世雄;朴柱赫 -专利权人： ASM IP私人控股有限公司
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：一种无空隙或接缝地填充凹陷的衬底处理方法，包括：在包括沟槽的衬底上用第一材料至少部分地填充沟槽；以及供应包含在第一材料中的至少一种构成元素，并施加等离子体以诱导第一材料的流化。
衬底处理方法

[发明专利]衬底处理方法及通过所述衬底处理方法制造的半导体器件-CN201810335908.6有效
发明人： 柳太熙;闵允基;刘龙珉 -专利权人： ASM知识产权私人控股有限公司
申请日： 2018-04-13 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L27/11556 文献下载
摘要：本发明提供一种衬底处理方法及通过所述衬底处理方法制造的半导体器件，所述衬底处理方法可防止在具有台阶式结构的垂直与非器件中选择性地沉积接地焊盘的工艺中沉积在每一台阶上的接地焊盘的厚度不均匀，其包括：将包括绝缘层与牺牲层的堆叠结构堆叠多次；及对所述堆叠结构进行蚀刻以形成台阶式结构，所述台阶式结构具有上表面、下表面及连接所述上表面与下表面的侧表面。所述方法亦包括在所述台阶式结构上形成阻挡层；在所述阻挡层上形成掩模层；通过利用第一蚀刻溶液对所述掩模层的至少一部分进行蚀刻来暴露出所述阻挡层的至少一部分；及利用第二蚀刻溶液对被暴露出的所述阻挡层进行蚀刻；所述方法还包括利用第三蚀刻溶液对所述掩模层进行蚀刻。
衬底处理方法通过制造半导体器件

[发明专利]衬底处理方法-CN202210245157.5在审
发明人： 柳太熙;郑世雄 -专利权人： ASM IP私人控股有限公司
申请日： 2022-03-14 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种能够抑制空隙形成的衬底处理方法，包括：在图案结构上供应硅前体，以形成具有第一开口的硅源层；以及在硅源层上供应等离子体，以挥发硅源层中包含的除硅之外的成分，从而扩大第一开口。
衬底处理方法

[发明专利]薄膜沉积方法-CN201910857144.1有效
发明人：严基喆;韩政勋;金头汉;韩镕圭;柳太熙;林完奎;高东铉 -专利权人： ASM IP私人控股有限公司
申请日： 2019-09-11 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：一种相对于包含图案结构的基板的薄膜沉积方法包括：通过经设置在基板下方的组件供应RF功率；在基板的暴露于反应空间的暴露表面上形成电位；使用所述电位，在反应空间中将活性物质移动到暴露表面；以及在基板的暴露表面上形成包含活性物质成分的薄膜。
薄膜沉积方法

[发明专利]基板支撑单元-CN202210197770.4在审
发明人：严基喆;韩政勋;金头汉;韩镕圭;柳太熙;林完奎;高东铉 -专利权人： ASM IP私人控股有限公司
申请日： 2019-09-11 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：一种基板支撑单元，在该基板支撑单元中，基板安置在上部上，该基板支撑单元包括：加热器；射频电极；连接到加热器的第一杆；连接到射频电极的第二杆；射频屏蔽，该射频屏蔽与第二杆间隔开，以在所述射频屏蔽和所述第二杆之间具有空间，所述射频屏蔽设置为围绕第二杆，并沿第二杆的延伸方向延伸；以及第一绝缘构件，所述第一绝缘构件设置在所述空间内，所述第一绝缘构件被构造成固定所述第二杆和所述射频屏蔽之间的相对位置关系，其中，所述射频屏蔽包括连接到地的金属材料，且其中，所述金属材料被构造成防止通过所述第二杆流到所述第一杆的RF电流的串扰效果。
支撑单元

[发明专利]形成薄膜的方法-CN202110339032.4在审
发明人：姜成圭;崔钟完;金英勋;金熙哲;李庚垠;柳太熙 -专利权人： ASMIP私人控股有限公司
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： C23C16/505 文献下载
摘要：本发明提供一种用于填充间隙而无缝隙或空隙的衬底处理方法，所述方法包含：在反应室中提供具有间隙的衬底，对所述反应室进行抽气到5托或以下的压力，以及通过交替且依次供应前体、反应物和包含相对高射频分量和相对低射频分量的射频电磁辐射来用膜填充所述间隙。
形成薄膜方法

[发明专利]使用氟去除形成结构的方法-CN202010704335.7在审
发明人： 柳太熙;金永勋;郑世雄 -专利权人： ASMIP私人控股有限公司
申请日： 2020-07-21 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：公开了形成结构的方法，其包括处理层以去除残余蚀刻剂化合物如氟的步骤。可使用示例性的方法来在器件制造过程期间填充基板表面上的特征。
使用去除形成结构方法

[发明专利]沉积薄膜的方法及制造半导体装置的方法-CN201810379112.0有效
发明人：金永勋;韩镕圭;金大渊;柳太熙;林完奎;刘陈根 -专利权人： ASM知识产权私人控股有限公司
申请日： 2018-04-25 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供一种在半导体衬底的图案结构上沉积薄膜的方法及制造半导体装置的方法，所述方法包含(a)供应源气体；(b)供应反应气体；以及(c)供应等离子体，其中步骤(a)、步骤(b)以及步骤(c)在反应空间内的半导体衬底上依序重复，直到获得所要厚度为止，且等离子体的频率为60兆赫兹或更高的高频。本发明也提供制造半导体装置的方法。本发明的方法在后续湿式蚀刻工艺中增强湿式蚀刻速率(WER)的保形性，并且还防止下部图案结构的损坏且因此增强临界尺寸(CD)均匀性。
沉积薄膜方法制造半导体装置

1
共 10 条