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[发明专利]蚀刻组合物和使用其制造半导体器件的方法-CN201910825559.0有效
发明人：金用泰;林廷训;金秀珍;吴政玟;田昇敏;全夏英 -专利权人：三星电子株式会社;秀博瑞殷株式会社
申请日： 2019-09-03 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：提供了一种蚀刻组合物和一种使用该蚀刻组合物制造半导体器件的方法。根据实施例，所述蚀刻组合物可以包括：大约15重量％至大约75重量％的过乙酸；氟化合物；胺化合物；以及有机溶剂。
蚀刻组合使用制造半导体器件方法

[发明专利]蚀刻组合物和通过使用其制造半导体器件的方法-CN201711203216.8有效
发明人：李孝善;金澔永;裵相元;金珉久;林廷训;崔容在 -专利权人：三星电子株式会社;秀博瑞殷株式公社
申请日： 2017-11-27 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：公开蚀刻组合物和使用其制造半导体器件的方法。所述蚀刻组合物从包括氮化钛(TiN)膜和氮化钽(TaN)膜的堆叠的导电膜结构选择性地除去氮化钛膜。配置用于蚀刻氮化钛(TiN)的所述蚀刻组合物包括相对于所述蚀刻组合物的总重量的5重量％‑30重量％的过氧化氢、15重量％‑50重量％的酸化合物、和0.001重量％‑5重量％的腐蚀抑制剂，其中所述酸化合物包括如下的至少一种：磷酸(H3PO4)、硝酸(HNO3)、盐酸(HCl)、氢碘酸(HI)、氢溴酸(HBr)、高氯酸(HClO4)、硅酸(H2SiO3)、硼酸(H3BO3)、乙酸(CH3COOH)、丙酸(C2H5COOH)、乳酸(CH3CH(OH)COOH)、和乙醇酸(HOCH2COOH)。
蚀刻组合通过使用制造半导体器件方法

[发明专利]蚀刻用组合物-CN201811622060.1有效
发明人：朴宰完;林廷训;李珍旭 -专利权人：秀博瑞殷株式公社
申请日： 2015-07-15 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种蚀刻用组合物、一种该组合物的制备方法、以及一种使用该组合物制备半导体器件的方法。所述组合物可以包含第一无机酸、至少一种通过第二无机酸和硅烷化合物之间的反应生成的硅烷无机酸盐以及溶剂。所述第二无机酸可以为选自硫酸、发烟硫酸、硝酸、磷酸以及它们的组合中的至少一种。
蚀刻组合

[发明专利]蚀刻剂组合物以及使用其制造集成电路器件的方法-CN201711188427.9有效
发明人：李轸雨;金建伶;韩勋;林廷训;李珍旭;朴宰完 -专利权人：三星电子株式会社;秀博瑞殷株式公社
申请日： 2017-11-24 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： C09K13/04 文献下载
摘要：本发明涉及蚀刻剂组合物以及使用其制造集成电路器件的方法。蚀刻剂组合物包括无机酸、硅氧烷化合物、铵化合物和溶剂，其中所述硅氧烷化合物由通式(I)表示。制造集成电路器件的方法包括：在基底上形成结构体，所述结构体具有氧化物膜和氮化物膜暴露于其上的表面；和通过使所述蚀刻剂组合物与所述结构体接触而从所述氧化物膜和所述氮化物膜选择性地除去所述氮化物膜。
蚀刻组合以及使用制造集成电路器件方法

[发明专利]蚀刻用组合物以及利用该组合物半导体器件的制造方法-CN201680071078.X有效
发明人： 林廷训;李珍旭;朴宰完 -专利权人：秀博瑞殷株式公社
申请日： 2016-10-28 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： C09K3/00 文献下载
摘要：本发明涉及蚀刻用组合物以及包括利用该蚀刻用组合物的蚀刻工艺的半导体器件的制造方法，所述蚀刻用组合物包含：第一无机酸；第一添加剂，其为选自亚磷酸(phosphorous acid)、有机亚磷酸酯(organic phosphite)、次磷酸盐(hypophosphite)及它们的混合物中的任意一种；以及溶剂。所述蚀刻用组合物能够最大限度地降低氧化膜的蚀刻率，并且能够选择性地去除氮化膜，不会产生对器件特性造成恶劣影响的颗粒，具有高选择比。
蚀刻组合以及利用半导体器件制造方法

[发明专利]蚀刻剂组合物和制作半导体器件的方法-CN202010013430.2在审
发明人：金贞儿;金荣灿;李晓山;韩勋;李珍旭;林廷训;金益熙 -专利权人：三星电子株式会社;秀博瑞殷株式会社
申请日： 2020-01-07 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： C09K13/04 文献下载
摘要：本申请公开了蚀刻剂组合物和制作半导体器件的方法，所述组合物包含：无机酸；约0.01重量份至约0.5重量份的胶状二氧化硅；约0.01重量份至约30重量份的铵系添加剂；和约20重量份至约50重量份的溶剂，所有重量份都是基于100重量份的所述无机酸。
蚀刻组合制作半导体器件方法

[发明专利]蚀刻金属阻挡层和金属层的方法和制造半导体器件的方法-CN201910879827.7在审
发明人：金贞儿;朴美贤;李轸雨;金建伶;李晓山;韩勋;李珍旭;林廷训 -专利权人：三星电子株式会社;秀博瑞殷株式会社
申请日： 2019-09-18 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：公开了蚀刻金属阻挡层和金属层的方法以及制造半导体器件的方法。所述方法包括：在衬底上形成金属阻挡层和金属层；以及使用蚀刻组合物蚀刻金属阻挡层和金属层。蚀刻组合物可以包括：氧化剂，选自于硝酸、溴酸、碘酸、高氯酸、过溴酸、高碘酸、硫酸、甲磺酸、对甲苯磺酸、苯磺酸或它们的组合；金属蚀刻抑制剂，包括由如在说明书中所示的化学式1表示的化合物；以及金属氧化物增溶剂，选自于磷酸、磷酸盐、具有3个至20个碳原子的羧酸或它们的组合。
蚀刻金属阻挡方法制造半导体器件

[发明专利]蚀刻组合物、蚀刻氮化硅层的方法和半导体器件制造方法-CN201811319973.6在审
发明人：韩勋;裴相元;洪荣泽;朴宰完;李珍旭;林廷训 -专利权人：三星电子株式会社;秀博瑞殷株式会社
申请日： 2018-11-07 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：提供了蚀刻组合物、蚀刻氮化硅层的方法和半导体器件制造方法。用于蚀刻的组合物可以包括磷酸、铵类化合物、盐酸和多磷酸盐类化合物二者中的至少一种以及含硅化合物。
半导体器件制造蚀刻氮化硅层蚀刻组合物蚀刻多磷酸盐类含硅化合物磷酸铵类盐酸

[发明专利]蚀刻用组合物-CN201510415950.5有效
发明人：朴宰完;林廷训;李珍旭 -专利权人：秀博瑞殷株式公社
申请日： 2015-07-15 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种蚀刻用组合物、一种该组合物的制备方法、以及一种使用该组合物制备半导体器件的方法。所述组合物可以包含第一无机酸、至少一种通过第二无机酸和硅烷化合物之间的反应生成的硅烷无机酸盐以及溶剂。所述第二无机酸可以为选自硫酸、发烟硫酸、硝酸、磷酸以及它们的组合中的至少一种。
蚀刻组合

[发明专利]蚀刻用组合物和使用该蚀刻用组合物制造半导体器件的方法-CN201780055665.4在审
发明人：朴宰完;林廷训;李珍旭 -专利权人：秀博瑞殷株式公社
申请日： 2017-12-26 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种蚀刻用组合物，以及包括使用所述蚀刻用组合物的蚀刻工艺的制造半导体器件的方法，所述蚀刻用组合物包含第一无机酸、第一添加剂和溶剂。所述蚀刻用组合物可以使氧化物膜的蚀刻速率最小化同时选择性地去除氮化物膜，并且没有不利地影响器件特性的诸如产生粒子的问题，并且是高选择性的。
蚀刻半导体器件第一添加剂组合物制造氮化物膜高选择性蚀刻工艺氧化物膜影响器件无机酸最小化溶剂去除粒子制造

[发明专利]蚀刻组合物及通过使用其制造半导体器件的方法-CN201711223730.8在审
发明人：金秀珍;李孝善;裵珍惠;林廷训;崔容在 -专利权人：三星电子株式会社;秀博瑞殷株式公社
申请日： 2017-11-29 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明涉及蚀刻组合物及通过使用其制造半导体器件的方法。蚀刻组合物可包括过乙酸混合物、氟化合物、有机溶剂(例如乙酸酯系有机溶剂)和水。蚀刻组合物可用于选择性地蚀刻硅‑锗(SiGe)。
蚀刻组合物半导体器件有机溶剂蚀刻氟化合物混合物过乙酸乙酸酯可用制造

[发明专利]蚀刻液组合物以及利用它的薄膜晶体管显示板的制造方法-CN201610796482.5在审
发明人：金荣濬;安守民;郑在祐;朴弘植;孙桢翊;吴晞诚;林廷训 -专利权人：三星显示有限公司;秀博瑞殷株式公社
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2017-03-15 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：本发明公开一种蚀刻液组合物以及利用它的薄膜晶体管显示板的制造方法。根据本发明的一实施例的蚀刻液组合物可以包含5重量％以上且20重量％以下的硝酸、1重量％以上且15重量％以下的醋酸、0.1重量％以上且5重量％以下的醋酸盐、0.1重量％以上且4重量％以下的含卤化合物及使全部组合物的总重量成为100重量％的水。
蚀刻组合以及利用薄膜晶体管显示制造方法

[发明专利]蚀刻溶液组合物和使用该蚀刻溶液组合物的湿蚀刻方法-CN201280065547.9有效
发明人：金铉卓;林廷训;李昌一;宋忠植;李珍旭 -专利权人：韩国首尔步瑞株式会社
申请日： 2012-12-27 - 公布日： 2014-09-10 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种蚀刻溶液组合物。并且根据本发明的一个实施方案的蚀刻溶液组合物包括3～20重量百分比的氢氟酸，5～40重量百分比的硝酸，10～60重量百分比的醋酸，和2～20重量百分比的催化剂，其余为水。催化剂可以包括选自铵基化合物和磺酸基化合物中的至少一种的混合物。
蚀刻溶液组合使用方法

[发明专利]刻蚀组合物以及利用其制造半导体器件的方法-CN201210546406.0有效
发明人：曺成爀;洪权;朴滢淳;金奎显;韩智惠;林廷训;李珍旭;朴宰完;郑灿槿 -专利权人：爱思开海力士有限公司;韩国首尔步瑞株式会社
申请日： 2012-12-14 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：本发明提供一种包括甲硅烷基磷酸酯化合物、磷酸以及去离子水的刻蚀组合物，以及一种包括利用所述刻蚀组合物的刻蚀工艺的制造半导体器件的方法。本发明的刻蚀组合物显示了氮化物膜相对于氧化物膜的高刻蚀选择性。因此，在利用本发明的刻蚀组合物来去除氮化物膜时，可以通过控制氧化物膜的刻蚀速率来容易地控制有效场氧化物高度（EFH）。另外，可以防止因氧化物膜的损坏或氧化物膜的刻蚀所造成的电气特性的恶化，并且可以防止产生颗粒物，由此确保刻蚀工艺的稳定性和可靠性。
刻蚀组合以及利用制造半导体器件方法

[发明专利]用于湿法蚀刻二氧化硅的组合物-CN201010298055.7有效
发明人： 林廷训;金大玹;宇昌震;朴成焕 -专利权人：韩国泰科诺赛美材料株式会社
申请日： 2010-09-30 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：本发明提供用于以高蚀刻速率选择性地去除二氧化硅的蚀刻组合物，更具体而言，该用于湿法蚀刻二氧化硅的组合物包含1至40重量％的氟化氢(HF)、5至40重量％的氟化氢铵(NH4HF2)以及水，并进一步包含表面活性剂以提高二氧化硅和氮化硅膜的选择性。因为该用于湿法蚀刻二氧化硅的组合物具有高的二氧化硅相对于氮化硅膜的蚀刻选择性，所以其可用于选择性去除二氧化硅。
用于湿法蚀刻二氧化硅组合

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