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[发明专利]处理电路、控制系统及控制方法-CN202211608149.9在审
发明人： 林宗民 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2022-12-14 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G06F21/76 文献下载
摘要：本申请公开一种处理电路、控制系统及控制方法；其中，所述处理电路包括一属性设定电路、一控制电路以及一组合电路。属性设定电路根据一第一周边设定，设定第一周边电路的安全层级，根据一第二周边设定，设定第二周边电路的安全层级，并产生一第三访问属性。控制电路根据一输出，决定输入输出端口的安全层级。当输入输出端口的操作模式为通用输入输出模式时，组合电路根据第三访问属性产生输出。当输入输出端口的操作模式并非通用输入输出模式时，组合电路根据第一访问属性或第二访问属性产生输出。本发明可以提高周边电路的安全性。
处理电路控制系统控制方法

[发明专利]具有解锁除错功能的电子装置-CN201911298687.0有效
发明人： 林宗民 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2019-12-17 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： G06F11/07 文献下载
摘要：一种具有解锁除错功能的电子装置，包括除错模块与控制模块。除错模块产生解锁信号，其中解锁信号以波型形式或封包形式产生。控制模块包括比对单元与除错单元。比对单元耦接除错模块，接收解锁信号，并将解锁信号与预设参数进行比对，产生解锁控制信号。除错单元耦接比对单元与除错模块，接收解锁控制信号，以对除错单元解锁，使除错单元与除错模块通信，以便对控制模块进行除错操作。
具有解锁除错功能电子装置

[发明专利]一种LED芯片及其制造方法、半导体发光器件及显示装置-CN202110676607.1有效
发明人：黄苡叡;林宗民;张中英;邓有财 -专利权人：泉州三安半导体科技有限公司
申请日： 2021-06-18 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明提供一种LED芯片及其制造方法、半导体发光器件及显示装置，LED芯片包括半导体外延层，半导体外延层的上方及侧壁上形成有反射结构，例如DBR结构。通过选择DBR结构中第一材料层和第二材料层，并合理设计第一材料层和第二材料层的光学厚度以及层数，使得该DBR结构对隐切激光的反射率30％，最优地，小于5％，接近0％，即几乎能够对隐切激光进行全吸收，或者使隐切激光在光波导结构内反复传输最后自光波导结构出射出去。通过上述反射结构的设计，隐切过程中散射的激光吸收或者自光波导结构出射，不会有激光进入衬底正面的半导体外延层中，从而避免半导体外延层被灼烧或者损伤，保护LED芯片不会出现漏电风险，增强器件的可靠性。
一种 led 芯片及其制造方法半导体发光器件显示装置

[发明专利]电子装置与其操作方法-CN202111549827.4在审
发明人： 林宗民 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：一种电子装置与其操作方法，该电子装置包括第一存储器控制器、第二存储器控制器与存储器存取控制器。第一存储器控制器储存既定存储器的设定信息，其中既定存储器定义为只执行存储器。第二存储器控制器依据既定存储器的设定信息，提供并设定使能暂存器，且产生使能信号。存储器存取控制器依据使能信号与既定存储器的设定信息，存取第一存储器控制器与第二存储器控制器，将既定存储器的数据搬移至对应使能暂存器的既定存储器空间。
电子装置与其操作方法

[发明专利]半导体装置及其操作方法-CN202111039036.7在审
发明人： 林宗民 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2021-09-06 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： G06F11/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体装置及其操作方法，其中，半导体装置包括调试端口、第一存取端口、第二存取端口、第一处理单元、第二处理单元与嵌入式仿真器单元。第一存取端口耦接调试端口。第一存取端口耦接调试端口。第一处理单元耦接第一存取端口。第二处理单元耦接第二存取端口。嵌入式仿真器单元耦接调试端口、第一处理单元与第二处理单元。第一处理单元产生调试指令以对嵌入式仿真器单元进行存取，使嵌入式仿真器单元产生调试信号，且调试信号通过调试端口与第二存取端口输出至第二处理单元，以对第二处理单元进行调试操作。本发明可以有效地增加调试操作及使用上的便利性。
半导体装置及其操作方法

[发明专利]用于验证与调试的芯片与方法-CN202111552725.8在审
发明人： 林宗民 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： G06F21/31 文献下载
摘要：本发明提供一种用于验证与调试的芯片及方法，其运行安全启动固件执行安全启动流程以验证是否可以执行自外部保存设备的已签章程序中的调试功能固件程序，以及在成功验证已签章程序后，通过运行调试功能固件程序来执行已签章程序中的调试使用者认证算法，借此启动调试使用者认证流程。在验证与芯片连接的外部的调试工具的调试使用者为合法的调试使用者，则允许调试工具可以依据其权限使用芯片中的调试功能。本发明可以避免未被认证与授权的外部的调试工具随意地访问芯片与获得芯片上具有价值的资产。
用于验证调试芯片方法

[发明专利]事件触发主控端、控制芯片及控制方法-CN202111549803.9在审
发明人： 林宗民 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： G06F9/54 文献下载
摘要：一种事件触发主控端、控制芯片及控制方法，其中该事件触发主控端包括：一事件接收接口、一存储器件、一状态机以及一主控接口。事件接收接口用以接收一事件请求。存储器件具有一指令队列，用以储存至少一设定指令。当事件请求被触发时，状态机执行设定指令，用以存取一第一周边装置或是一第二周边装置。主控接口耦接于状态机与周边装置之间。状态机通过主控接口，存取第一或是第二周边装置。
事件触发主控控制芯片方法

[发明专利]基于隔离执行环境的保护外部存储器数据的方法及系统-CN202111491916.8在审
发明人： 林宗民 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2021-12-08 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： G06F21/78 文献下载
摘要：本申请提出一种基于隔离执行环境的保护外部存储器数据的方法及系统，用于位于一芯片系统的一隔离执行环境中的一处理器中，包括：存取上述芯片系统内一主系统的一主系统处理器的一输出命令；根据上述输出命令从上述主系统处理器中的一共享存储器读入一第一数据；使用一私人密钥对上述第一数据进行加密，并产生一已加密第一数据；以及输出上述已加密第一数据至一外部存储器。
基于隔离执行环境保护外部存储器数据方法系统

[发明专利]一种LED芯粒的包装方法及LED芯粒包装结构-CN202210058173.3在审
发明人：卢栋梁;林宗民;陈明湖;林维扬;林桂绮;曾合加;蔡吉明 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2020-10-23 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种LED芯粒的包装方法及LED芯粒包装结构，该包括方法盒包装结构通过在胶膜与离型纸中间增加了一支撑物，使得离型纸不直接接触芯粒位置的胶膜，不产生压迫力导致外圈芯粒发生倾斜，以解决现有外圈芯粒因亮暗不均而无法被固晶机的自动图像识别视觉系统识别的问题。
一种 led 包装方法结构

[发明专利]一种LED芯粒的包装方法及LED芯粒包装结构-CN202011143157.1有效
发明人：卢栋梁;林宗民;陈明湖;林维扬;林桂绮;曾合加;蔡吉明 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2020-10-23 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种LED芯粒的包装方法及LED芯粒包装结构，该包括方法盒包装结构通过在胶膜与离型纸中间增加了一支撑物，使得离型纸不直接接触芯粒位置的胶膜，不产生压迫力导致外圈芯粒发生倾斜，以解决现有外圈芯粒因亮暗不均而无法被固晶机的自动图像识别视觉系统识别的问题。
一种 led 包装方法结构

[发明专利]一种晶圆裂片方法以及用于晶圆裂片的裂片膜-CN202010766230.4在审
发明人：张中英;林宗民;黄苡叡;邓有财 -专利权人：泉州三安半导体科技有限公司
申请日： 2020-08-03 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆裂片方法以及用于晶圆裂片的裂片膜，本发明的方法包括以下步骤：提供具有相对的第一表面和第二表面的晶圆；对晶圆的第一表面进行划片，以形成多条相交的切割线；提供包括导震部和吸震部的裂片膜；在所述晶圆的第一表面贴附裂片膜；经裂片膜向所述晶圆传播振动波，在振动波的作用下裂开晶圆。本发明的上述裂片膜通过导震部实现对晶圆的精确快速的裂片，通过吸震部吸收晶圆切割线之外的区域的振动，由此在对晶圆进行精确裂片的同时有效解决晶圆裂片过程中的崩边崩角等问题，且不易造成双晶现象，可以快速的获取单颗芯粒，提高了芯粒的良率。
一种裂片方法以及用于

[发明专利]发光二极管及其制作方法-CN202180003025.5在审
发明人： 林宗民;张中英;黄苡叡;邓有财 -专利权人：泉州三安半导体科技有限公司
申请日： 2021-06-02 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种发光二极管及其制作方法，其中所述方法包括步骤：一、提供一个LED晶圆，该LED晶圆包含基板及位于该基板上表面之上的发光外延叠层，该发光外延叠层自基板一侧起包含第一类型半导体层、有源层和第二类型半导体层；二、在所述LED晶圆的上表面定义切割道；三、采用激光沿所述基板的切割道进行切割：将激光聚焦于在所述基板的下表面形成表面孔洞，将激光聚焦于所述基板的内部形成内部孔洞，所述表面孔洞的直径大于所述内部孔洞的直径；四、将该LED晶圆沿着所述切割道分离为若干个LED芯片。在上述发光二极管的制作方法中，在基板的表面形成的表面孔洞的直径大于所述内部孔洞的直径，能够更好控制LED劈裂的崩边崩角，获得方正的LED芯片。
发光二极管及其制作方法

[发明专利]一种发光二极管芯片、发光装置、显示装置-CN202111076835.1在审
发明人：张中英;黄苡叡;林宗民;谢昆达;吴霁圃;邓有财 -专利权人：泉州三安半导体科技有限公司
申请日： 2021-09-14 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种发光二极管芯片、发光装置、显示装置。所述发光二极管芯片，衬底，具有相对的上表面和下表面；外延结构，位于所述衬底的上表面之上，包括依次层叠的第一半导体层、发光层以及第二半导体层，所述外延结构在所述衬底上投影的边缘到所述衬底的边缘具有一定距离；绝缘反射层，至少覆盖部分所述外延结构，并沿所述外延结构外缘露出的区域延伸覆盖至部分所述衬底的上表面；所述绝缘反射层覆盖于所述衬底的上表面的边缘具有一倾斜侧壁，所述倾斜侧壁相对于衬底的上表面的倾斜角θ大于等于60°；所述衬底的上表面的至少一部分区域具有不平坦结构。
一种发光二极管芯片发光装置显示装置

[发明专利]发光二极管及其制作方法-CN202180003024.0在审
发明人：黄苡叡;林宗民;邓有财;张中英 -专利权人：泉州三安半导体科技有限公司
申请日： 2021-06-02 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管及其制作方法，其中制作方法包括步骤：一、提供一个LED晶圆，该LED晶圆包含基板及位于该基板上表面之上的发光外延叠层，该发光外延叠层自基板一侧起包含第一类型半导体层、有源层和第二类型半导体层；二、在所述LED晶圆的上表面定义切割道，该切割道包括相互垂直的第一切割方向和第二切割方向；三、提供激光光束聚焦于所述基板内部，沿第一方向在所述基板内部的同一截面上形成X条切割线，沿第二方向在所述基板内部的同一截面上形成Y条切割线，其中yx0，且y≥3；四、将该LED晶圆沿着所述切割道分离为若干个LED芯片。
发光二极管及其制作方法

[实用新型]一种发光二极管芯片及发光装置-CN202121352903.8有效
发明人：杨人龙;张平;张丽明;邓有财;张中英;林宗民 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2021-06-17 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种发光二极管芯片及发光装置，发光二极管芯片包括外延结构层和形成于外延结构层上的第一电极、第二电极，外延结构层包括局部缺陷区域，局部缺陷区域的底部为第一导电型半导体层，局部缺陷区域的侧壁为第一导电类型半导体层、有源层和第二导电型半导体层的侧壁；所述第一电极形成于第二导电型半导体层表面上方的第一部分以及延伸至局部缺陷区域的侧壁以及底部的第二部分，第一电极接触局部缺陷区域的侧壁的第一导电型半导体层以及底部的第一导电型半导体层；第二电极与第二导电型半导体层电性连接，以解决现有发光二极管芯片存在局部强电场和发光面积小的问题。
一种发光二极管芯片发光装置

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