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[发明专利]陶瓷材料及其制备方法和用途-CN202210187279.3有效
发明人：李大勇;金益;王艳军;张太铭;林启荣 -专利权人：东风汽车有限公司东风日产乘用车公司
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明属于材料技术领域，具体涉及一种陶瓷材料及其制备方法和用途。本发明提供的陶瓷材料包括如下按照质量百分数计的组分：碳化硅68～70％、氧化铝18～20％、氧化镁4.5～5％、金属硅4～5％、二氧化铪1.8～2％、氧化钇0.8～1％和二氧化钛0.15～0.2％。本发明陶瓷材料耐温性能优异、硬度较高，用于生产电弧隔离陶瓷片时还不易发生损坏或崩角，具有较长的使用寿命和良好的效益性，可显著提高生产效率，节约生产成本。
陶瓷材料及其制备方法用途

[发明专利]非易失性存储装置的交接点布局-CN201810014566.8有效
发明人：蔡新树;林启荣;郭克文 -专利权人：新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
申请日： 2018-01-08 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明涉及非易失性存储装置的交接点布局，揭露一种装置及形成该装置的方法。该方法包括提供制备有存储单元区域的衬底以及形成存储单元对于该单元区域中。该存储单元对包括第一分离栅极存储单元以及第二分离栅极存储单元。各存储单元包括作为存取栅极的第一栅极，相邻于该第一栅极的第二栅极，该第二栅极作为存储栅极，第一S/D区域邻接该第一栅极以及第二S/D区域邻接该第二栅极。该方法还包括形成硅化物接触件于拾取点区域中的栅极导电体以及第一S/D区域以及暴露的掩埋共同的源线上的衬底上，以增加至一延伸位移距离DE的字元线以及源线区域中的位移距离，而避免该第一偏移存取栅极导电体以及存储单元对的行的相邻存取栅极导电体之间的短路。
非易失性存储装置交接点布局

[发明专利]晶体管器件和形成晶体管器件的方法-CN202111157038.6在审
发明人： J·李;J·杰里约瑟夫;林启荣;L·彭;L·S·苏赛 -专利权人：格芯新加坡私人有限公司
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开涉及一种晶体管器件和形成晶体管器件的方法。可以提供一种晶体管器件，其包括：衬底；布置在衬底之上的缓冲层；布置在缓冲层之上的源极端子、漏极端子和栅极端子；布置在缓冲层之上的阻挡层；以及布置在阻挡层之上的钝化层。栅极端子可以横向布置在源极端子和漏极端子之间，阻挡层可以包括横向位于栅极端子和漏极端子之间的凹部，栅极端子的一部分可以布置在钝化层之上，以及钝化层可以延伸到阻挡层的凹部中。
晶体管器件形成方法

[发明专利]二极管装置及形成二极管装置的方法-CN202111073955.6在审
发明人： 林启荣;郭克文;S·罗伊 -专利权人：新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
申请日： 2021-09-14 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明涉及二极管装置及形成二极管装置的方法，可提供一种二极管装置，包括半导体衬底，该半导体衬底包括设置在其中的阱区，设置在阱区内的第一掺杂区和第二掺杂区，设置在第一掺杂区内的第一接触区，以及设置在第一掺杂区内的隔离结构，其中氧化层可内衬于隔离结构的表面。第一掺杂区和第一接触区可具有第一导电类型，并且阱区和第二掺杂区可具有和第一导电类型不同的第二导电类型。第一接触区的掺杂浓度可高于第一掺杂区的掺杂浓度，并且第一掺杂区的一部分可设置在第一接触区及阱区之间。
二极管装置形成方法

[发明专利]一种檀香精油球形微胶囊的制备方法-CN201710573419.X有效
发明人：马琳;林启荣;雷丹丹;刘珊 -专利权人：宝鸡文理学院
申请日： 2017-07-14 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： C11B9/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种檀香精油微胶囊的制备方法，该方法包括：配制檀香精油醇溶液和β‑环糊精溶液，然后将檀香精油醇溶液加入到β‑环糊精溶液中，在加入过程中保持54～57℃水浴加热和搅拌，滴加完成后，停止加热，继续搅拌3‑4h后于3～5℃静置过夜，得混合液，过滤回收得沉淀，于真空干燥箱干燥，即得檀香精油微胶囊。本发明通过适当的方法将檀香精油微胶囊化，不仅可以让檀香精油在运输和贮藏过程中保存时间较长，避免因遇光、遇氧造成氧化损失，又可以将液态精油转化为固态精油，便于携带和使用，并提高了檀香香气成分的缓释性能。
一种檀香精油球形微胶囊制备方法

[发明专利]自动开机到安装有指定操作系统类型的硬盘的方法-CN201610308997.6有效
发明人： 林启荣 -专利权人：佛山市顺德区顺达电脑厂有限公司;神云科技股份有限公司
申请日： 2016-05-10 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： G06F9/4401 文献下载
摘要：一种自动开机到安装有指定操作系统类型的硬盘的方法，其适用于一服务器，包括步骤:a.建立目前服务器所能支持的操作系统类型的选单；b.在开机自检时，针对该服务器所支持的操作系统去注册一组处理程序；c当开机到一当前硬盘时，载入该当前硬盘内的当前操作系统；d.取得该当前操作系统下的操作系统字串，找出该操作系统字串对应的操作系统类型；e．该当前操作系统的该相关指令被触发执行，发送当前操作系统对应的数值；f.将获得的当前操作系统类型的数值与该用户选择的操作系统类型的一预设的数值进行比对，一致的话，执行步骤g，如果否，执行步骤h；g.显示已找到包含所选操作系统类型的硬盘；及h.关机并重新开机，切换到下一个硬盘，返回步骤b。
自动开机装有指定操作系统类型硬盘方法

[发明专利]可提供硬件运作信息的服务器系统及其处理方法-CN201611007247.1有效
发明人：罗维毅;林启荣 -专利权人：佛山市顺德区顺达电脑厂有限公司;神云科技股份有限公司
申请日： 2016-11-16 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： G06F11/22 文献下载
摘要：本发明提供一种可提供硬件运作信息的服务器系统及其处理方法，包含一服务器装置，及一处理装置。该服务器装置包括一具有一串行埠及一基板管理控制器之基板管理控制单元、一处理单元、一储存器单元，及一基本输入输出单元。该处理方法包含一于步骤（A）中，该串行埠被一端口套设后且该服务器装置被开启、一于步骤（B）中，该处理单元执行该基本输入输出单元之一侦测指令至该基板管理控制器，及一于步骤（D）中，若判断该串行埠被该端口套设且电连结正常，则该处理单元执行该基本输入输出单元之一侦错模式而取出该储存器单元之运作信息，简化进入该侦错模式的繁复动作，且减少重开机次数而节省时间。
提供硬件运作信息服务器系统及其处理方法

[发明专利]具有NVM结构的集成电路及其制造方法-CN201710443168.3有效
发明人：蔡明苍;林启荣;郭克文 -专利权人：新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
申请日： 2017-06-13 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本发明涉及具有NVM结构的集成电路及其制造方法，提供的是集成电路、非易失性存储器(NVM)结构、以及具有NVM结构的集成电路的制造方法。例示性集成电路包括衬底及上覆于此衬底的双位NVM结构。双位NVM结构包括衬底上方平行横向延展的主要、第一相邻与第二相邻鳍形结构。主要鳍形结构包括源极、沟道与漏极区。各相邻鳍形结构包括编程/擦除栅极。双位NVM结构更包括定位于主要鳍形结构的沟道区与第一相邻鳍形结构之间的第一浮动栅极、以及定位于主要鳍形结构的沟道区与第二相邻鳍形结构之间的第二浮动栅极。此外，双位NVM结构包括相邻主要鳍形结构的控制栅极。
具有 nvm 结构集成电路及其制造方法

[发明专利]资料传输方法及服务器-CN201610257238.1有效
发明人： 林启荣;管纪豪;黄翔瑞 -专利权人：佛山市顺德区顺达电脑厂有限公司;神云科技股份有限公司
申请日： 2016-04-21 - 公布日： 2020-07-21 - 主分类号： G06F13/16 文献下载
摘要：一种资料传输方法，由一服务器执行，该服务器包括一基本输入输出单元、一南桥，及一电连接一存储器并包括一周边装置芯片及一基板管理控制器的芯片组，该资料传输方法包含：该基本输入输出单元取得一存储器位址信息，该存储器位址信息相关于该存储器中分配给该周边装置芯片存放资料并能供该基板管理控制器存取的一存储器区块；该基本输入输出单元发送一通知命令经由该南桥至该基板管理控制器，指示一待传送资料的一资料大小；该基本输入输出单元根据该存储器位址信息复制该待传送资料于该存储器区块中；该基本输入输出单元发送一资料已准备命令经由该南桥至该基板管理控制器，指示该待传送资料已载入该存储器区块中。
资料传输方法服务器

[发明专利]延伸漏极MOSFET（EDMOS）-CN201910418152.6在审
发明人：杨嘉晶;林启荣;郭克文;D·R·迪斯尼 -专利权人：格芯新加坡私人有限公司
申请日： 2019-05-20 - 公布日： 2019-12-27 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明涉及延伸漏极MOSFET(EDMOS)。本公开涉及半导体结构，更特别地，涉及具有双氧化物厚度的延伸漏极MOSFET结构和制造方法。该结构包括延伸漏极金属氧化物半导体晶体管(EDMOS)，该延伸漏极金属氧化物半导体晶体管(EDMOS)包括具有双氧化物方案的栅极结构。
氧化物半导体晶体管延伸漏极金属双氧化物漏极半导体结构栅极结构制造

[发明专利]显示光盘安装类型的方法-CN201510376971.0有效
发明人： 林启荣 -专利权人：昆达电脑科技(昆山)有限公司;神云科技股份有限公司
申请日： 2015-07-01 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： G06F8/61 文献下载
摘要：本发明提供一种显示光盘安装类型的方法，用于在一计算机上从光驱安装一操作系统，该方法包括：在开机状态下，BIOS扫描该计算机的周边装置，确认该计算机上设有一光驱；判断该光驱中是否存在一光盘，若存在，则BIOS对该光盘进行数据读取；获取描述该光盘的类别字符串；将该类别字符串显示至BIOS设置菜单中，根据该类别字符串确认该光盘的安装类型，便于用户确认和选择，以免安装错误的操作系统，节省用户的时间。
光驱光盘操作系统计算机字符串显示光盘安装开机状态类别字符数据读取用户确认周边装置字符串扫描

[发明专利]自动侦测硬盘操作系统类型的方法-CN201410522183.3有效
发明人： 林启荣 -专利权人：昆达电脑科技（昆山）有限公司;神达电脑股份有限公司
申请日： 2014-10-07 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： G06F11/22 文献下载
摘要：本发明提供一种自动侦测硬盘操作系统类型的方法，其适用于一设有若干个硬盘的服务器或电脑，包括以下步骤：a.检测系统中目前硬盘的格式是否为Legacy格式，如果是则执行步骤b，如果否则执行步骤e；b.获取该硬盘的主引导区记录的分隔区类型；c.根据所获取的硬盘的分隔区类型识别该硬盘的操作系统类型；d.根据所识别出的该硬盘的操作系统类型，产生代表该硬盘的操作系统的字符串并于BIOS设置菜单中显示该字符串；e.判断该硬盘的格式是否为EFI，如果是则执行步骤f，如果否则结束；f.检测该硬盘的档案路径并获得该硬盘的档案路径的名称；以及g.根据所检测到的该硬盘的档案路径的名称，获取代表该硬盘的操作系统的字符串并于BIOS设置菜单中显示该字符串。
自动侦测硬盘操作系统类型方法

[发明专利]计算机硬件的监控方法-CN201610132718.5在审
发明人： 林启荣;苏谦怀 -专利权人：佛山市顺德区顺达电脑厂有限公司;神云科技股份有限公司
申请日： 2016-03-09 - 公布日： 2017-09-19 - 主分类号： G06F11/30 文献下载
摘要：一种计算机硬件的监控方法，适用于一个包括一个基本输入输出系统、一个基板管理控制器、及多个硬件元件的计算机系统，并包含(a)通过该基本输入输出系统获得该等硬件元件的数量及所设置的位置；(b)通过该基本输入输出系统判断每一个硬件元件是否操作在一个存在且有效的正常状态，并将该等硬件元件之其中操作在该正常状态者的数量及所设置的位置传送至该基板管理控制器；(c)通过该基板管理控制器监控操作在该正常状态的该等硬件元件的运作状况。该监控方法不但提升使用者的方便性，也确保信息的正确性。
计算机硬件监控方法

[发明专利]背栅极式非易失性内存单元-CN201410097860.1有效
发明人： 林启荣;陈健民;郭克文 -专利权人：新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
申请日： 2014-03-17 - 公布日： 2017-06-06 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明涉及背栅极式非易失性内存单元，提出内存装置及其制作方法。内存装置包括衬底及形成于衬底之上的内存单元。内存单元包括单晶体管。单晶体管包括位于衬底之上作用为控制栅极的第一栅极，以及内嵌于衬底中作用为选择栅极的第二栅极。
栅极式非易失性内存单元

[发明专利]DIMM故障及时告知系统及其方法-CN201510501059.3在审
发明人： 林启荣 -专利权人：昆达电脑科技（昆山）有限公司;神云科技股份有限公司
申请日： 2015-08-15 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： G06F11/32 文献下载
摘要：本发明提供DIMM故障及时告知系统及其方法，所述方法包括以下步骤a.所述基本输入输出系统模块在开机时执行内存参考代码指令，依照预设的顺序逐一检查与所述若干个处理器连接的双列直插式存储模块通道上的双列直插式存储模块是否故障，如果是则执行步骤b，如果否则结束；b.所述基本输入输出系统模块检查故障的双列直插式存储模块所位于的位置且同时根据预先设定的各处理器以及各自的双列直插式存储模块对应的16进制值对应关系生成所述故障的双列直插式存储模块所位于的处理器所对应的16进制值以及其位于对应的处理器上的位置所对应的16进制值；以及c.所述提示模块根据故障的双列直插式存储模块所位于的位置对应的16进制值发出提醒信号告知用户。
dimm 故障及时告知系统及其方法

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