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[发明专利]恒压电路-CN200810212655.X无效
发明人：和田博文;井上敦雄;松野则昭 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2008-08-27 - 公布日： 2009-05-13 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种恒压电路。温度相反特性产生电路使输出电压(V_out)降低电压(V_GS)的值，再作为电压(VA)向温度特性产生电路提供该降低后的电压。温度特性产生电路包括以电阻(R₂₂)、(R₂₃)相互之间的端子电压(V_AP)及双极晶体管(T₂₁)的发射极电压(V_AM)作为输入、并输出控制信号(VC)的差动放大电路。当端子电压(V_AP)、(V_AM)相等时，电路工作稳定。工作稳定时的电压(VA)的温度特性和电压(V_GS)的温度特性相反，因而两种特性互相抵消，因此没有温度依赖性的恒压(V_out)输出来。因此，能抑制着电路规模的增大，用能容易地进行低功耗设计的电路实现产生没有温度依赖性的恒压的恒压电路。
压电

[发明专利]屏蔽布线的布线构造-CN200810166690.2有效
发明人： 松野则昭;角田真人;和田博文 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2004-08-27 - 公布日： 2009-02-25 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：一种屏蔽布线的布线构造，在路径端部折回并连接起来，多条屏蔽布线的每一条，与多条屏蔽布线中的自身路径不同的路径的屏蔽布线相邻。
屏蔽布线构造

[发明专利]半导体器件的保护电路及包括该保护电路的半导体器件-CN200810134167.1有效
发明人： 松野则昭 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2004-08-27 - 公布日： 2008-12-24 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：一种保护电路，包括：至少一个屏蔽线对，布置所述屏蔽线对来覆盖半导体器件上应该保护的区域，所述屏蔽线对中的一条屏蔽线和另一条屏蔽线具有相同的形状、相等的长度，且分别仅具有一条从起点到终点的路线；信号产生器，将某一电位提供给所述屏蔽线对中的一条屏蔽线和另一条屏蔽线的起点；以及检测器，用以将所述屏蔽线对中的一条屏蔽线的终点和另一条屏蔽线的终点之间的电位差和基准值进行比较，根据比较结果输出欺骗检测信号。防止对半导体器件的欺骗解析、窜改信息。
半导体器件保护电路包括

[发明专利]基准电流电路-CN200810084546.4无效
发明人：井上敦雄;松野则昭 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2008-03-25 - 公布日： 2008-10-01 - 主分类号： G05F3/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种基准电流电路，即使在使用具有非常低温度依存性的电阻的电阻器的情形下也能够降低基准电流的温度依存性。该基准电流电路包括：接收温度补偿的基准电压V_BG并且在输出点处产生电压V_out1的非反相放大器电路110；电流源电路120，由通过电阻器连接到输出点的晶体管Q1和接收等于在Q1的端子间产生的电压V_BE1的电压并且产生相应的电流的晶体管Q2。电路110(i)包括第三晶体管Q3，在它的端子间产生的电压V_BE3具有与V_BE1相同的温度特性，以及(ii)被构造为使得V_out1是(a)基于基准电压V_BG的温度补偿电压成分和(b)等于电压V_BE3的电压成分之和。
基准电流电路

[发明专利]强电介质存储装置及其控制方法-CN200710152706.X无效
发明人： 松野则昭;井上敦雄 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2007-09-14 - 公布日： 2008-03-19 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：一种强电介质存储装置，用强电介质存储元件(1)来记忆数据，包括：温度传感器(2)，检测该强电介质存储装置的温度；控制部(4)，输出控制信号，该控制信号指定电压，该电压随着由温度传感器(2)检测的温度的降低而增加；以及电压发生部(3)，发生由来自控制部(4)的控制信号指定的电压，并向强电介质存储元件(1)提供发生后的电压。据此，可以提供一种强电介质存储装置，通过采用较简单的结构，从而可以对出货后受到的热应力的影响进行恢复，即，为了保持所述数据对极化量的降低或压印恶化进行恢复。
电介质存储装置及其控制方法

[发明专利]数据载体系统及其数据的保存恢复方法-CN200610146743.5无效
发明人： 松野则昭;井上敦雄 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2006-11-22 - 公布日： 2007-05-30 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：本发明提供一种数据载体系统及其数据的保存恢复方法。其中，数据载体系统包括：作为铁电体存储器的第1存储器；第2存储器；极化消除电路，按照所给出的命令进行第1存储器的极化消除；以及控制电路，进行对第1存储器和第2存储器的数据存取和对极化消除电路的动作控制。这里，控制电路，在接收到第1命令时，将存储在第1存储器的数据保存到第2存储器中，然后向极化消除电路发出极化消除命令；另一方面，在接收到第2命令时，将保存在第2存储器中的数据写回第1存储器。
数据载体系统及其保存恢复方法

[发明专利]基本单元、端部单元、布线形状、布线方法以及屏蔽布线构造-CN200480024220.2有效
发明人： 松野则昭;角田真人;和田博文 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2004-08-27 - 公布日： 2006-09-27 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明所涉及的基本单元，布线路径以90度构成的多条布线的一端配置在两条对边中的一条对边上，所述多条布线的另一端配置在所述两条对边中的另一条对边上；所述多条布线的一端各自位于与所述多条布线的另一端的任意一端相对外框的中央是点对称的位置；将所述多条布线的路径布置成相互不交叉的样子。
基本单元布线形状方法以及屏蔽构造

[发明专利]半导体器件的保护电路及包括该保护电路的半导体器件-CN200480024221.7有效
发明人： 松野则昭 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2004-08-27 - 公布日： 2006-09-27 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：工厂检查时，利用信号产生器(1)对被布线成是最上层的金属层、以单笔画的布局结构完全覆盖除PAD以外的整个半导体器件的屏蔽线(2)提供0到1的信号跃变和1到0的信号跃变，直到通过屏蔽线(2)到达计数器(3)为止，用计数器(3)计数时钟脉冲(CLK)，并将其作为参考信息存储到非易失性存储器(5)中。出厂后，在半导体器件启动时及动作的待机状态时，再利用信号产生器(1)对屏蔽线(2)供应0到1的信号跃变和1到0的信号跃变，到通过屏蔽线(2)到达计数器(3)为止，用计数器(3)计数半导体器件内的适当的时钟脉冲数，并利用比较器(4)将它和事先存储到非易失性存储器(5)中的参考信息进行比较，若不一致，则输出欺骗检测信号(S1)。根据检测到屏蔽线(2)被窜改，保护电路输出的欺骗检测信号(S1)，进行模式切换而切换到防止对半导体器件的欺骗解析、窜改信息的动作模式。
半导体器件保护电路包括

[发明专利]具有抗篡改性的半导体器件-CN200610008260.9无效
发明人： 松野则昭 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2006-02-16 - 公布日： 2006-08-23 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件，对利用从背面进行的FIB加工等实施的不正当解析手段具有极高的抗篡改性。该半导体器件具有多层布线结构，使用上层的布线层配置即使被解析也不会造成麻烦的信号布线，使得其遮盖下层的布线层，重要的布线配置在下层的布线层。另外，遮盖扩散分离层地在最下层的金属布线层，以制造上允许的微细布线节距进行布线，为了通过从背面进行的FIB加工到达要解析的目标布线，就必须切断防御布线。还包括使某种信号、或者电压或电流流过防御布线，监视防御布线的电特性，在捕捉到由于对防御布线的剥离、切断、篡改而造成电特性和物理特性的变化时，清除半导体器件内的机密信息、或者将半导体器件转换为固定模式的装置。
具有篡改半导体器件

[发明专利]半导体集成电路装置-CN03825520.0有效
发明人：伊藤理惠;松野则昭;角田真人 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2003-07-14 - 公布日： 2005-11-30 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：半导体集成电路装置(10)，由LSI功能部(11)和在其上形成的屏蔽布线层(22)构成。LSI功能部(11)，由半导体基板(12)和第1绝缘膜(13)构成，在半导体基板(12)上，例如形成包含MOS晶体管(14)的多个电路元件。屏蔽布线层(22)，由在第2绝缘膜(17)上依次形成的下部屏蔽布线(23)、第3绝缘膜(24)、上部屏蔽布线(25)及第4绝缘膜(26)构成。下部屏蔽布线(23)和上部屏蔽布线(25)各自被配置的配置方向，互相正交。
半导体集成电路装置

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