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[发明专利]低蚀刻率自对准磁穿隧接面装置结构-CN201880047456.X有效
发明人： 杰斯明·哈克;锺汤姆;滕忠健 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-05-30 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：公开了用于形成自对准于旗下的底部电极BE(35,36)的一种磁穿隧接面(MTJ)单元(47)的制程流程。底部电极包括具有第一宽度(wl)的下底部电极层(35)及具有第二宽度(w2)的上(第二)底部电极层(36)，其中w2大于w1。底部电极优选具有T形。磁穿隧接面堆叠层包括最上层硬遮罩(46)，其沉积于底部电极上并因为自对准沉积制程而具有宽度w2。虚置磁穿隧接面堆叠(49)也形成在第一底部电极层的周围。使用离子对基板的入射角度小于90°的离子束蚀刻，以移除侧壁上的多余材料。其后，沉积封装层(80)，将磁穿隧接面单元绝缘，并填充第一底部电极层与虚置磁穿隧接面堆叠之间的间隙。
蚀刻对准磁穿隧接面装置结构

[发明专利]具有更强健读/写效能的自旋力矩转移磁性随机存取存储器散热器及磁性屏蔽结构设计-CN201880084802.1有效
发明人：锺汤姆;杰斯明·哈克;邓忠建 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：封装整合多个MTJ接面的STT‑MRAM装置以其能消散由重复读/写程序产生的热量且同时屏蔽邻近装置的外部磁场。另外，可建构封装层以降低已证明会影响DR/R及Hc的顶部引线应力。我们提供一种可同时解决所有此些问题的装置设计及其制备方法。
具有强健效能自旋力矩转移磁性随机存取存储器散热器屏蔽结构设计

[发明专利]控制装置形状以改善磁性穿隧接面装置效能-CN201880072891.8在审
发明人： 杰斯明·哈克;汤姆·锺;邓忠建;荣·林;杨毅 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-11-08 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：可依序形成连续层状物于对称的弧形电极上，以客制化层状薄膜装置如MTJ(磁性穿隧接面)装置的形状。一开始成形电极，使其具有凹面表面或凸面表面。依序形成的层状物可与上述形状共形，使其具有应变并造成多种结晶缺陷迁移远离对称轴，而保留于对称轴周围的区域为相对无缺陷。接着可图案化堆叠，只保留相对无缺陷的区域。
控制装置形状改善磁性穿隧接面效能

[发明专利]图案化多层硬掩模以制造20纳米及更小磁性随机存取存储器装置-CN201880060745.3在审
发明人：杨毅;王郁仁;杰斯明·哈克;锺汤姆 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-10-18 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：描述一种蚀刻磁性穿隧介面结构的方法。提供磁性穿隧介面膜层堆叠在晶片的底电极上。提供金属掩模层在磁性穿隧介面堆叠上。多层介电硬掩模膜层形成在金属硬掩模上，其中各后继介电硬掩模相对于其下层及上层具有蚀刻选择性。介电硬掩模层相对于其下层及上层被依序选择性地蚀刻，其中各后继图案的尺寸小于前一个图案的尺寸。相对于最底介电质组合及金属硬掩模图案，选择性地蚀刻磁性穿隧介面堆叠，以形成磁性穿隧介面装置，其具有小于最底图案的尺寸的磁性穿隧介面图案的尺寸。
图案多层硬掩模制造 20 纳米磁性随机存取存储器装置

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201910882267.0在审
发明人： 杰斯明·哈克;锺汤姆;滕忠健 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-09-18 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种半导体装置的制造方法，通过使用两个交替相移掩膜和一个曝光后烘烤，将光阻膜图案化成具有改善的临界尺寸均匀性且没有相位边缘的岛状物阵列。使用具有线宽/间距(L/S)图案的第一交替相移掩膜将光阻层曝光，其中穿过不透明线的每一侧上的交替透光区的光是180°相移的。此后，以具有线宽/间距图案的第二交替相移掩膜进行第二曝光，第二曝光中的不透明线与第一曝光中的不透明线的纵向尺寸正交对齐，并且具有交替的0°和180°透光区。然后，使用曝光后烘烤和随后的显影工艺来形成岛状物阵列。双重曝光方法能够实现比传统光刻更小的岛状物，并且使用相对简单的交替相移掩膜设计，此设计在制造中比其他光学增强技术更容易实现。
半导体装置制造方法

[发明专利]移除磁性穿隧接面蚀刻后侧壁损伤的方法-CN201880020074.8在审
发明人：滕忠健;锺汤姆;杰斯明·哈克 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-03-05 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：图案化磁穿隧接面(MTJ)结构的方法包括：于磁穿隧接面层堆叠(16)上提供图案化遮罩(18)，磁穿隧接面层堆叠形成于晶圆(10)上的底电极(12)之上；蚀刻堆叠，以形成磁穿隧接面装置；以及利用物理方法移除磁穿隧接面装置上的侧壁损伤(22)，较佳为在化学机械研磨中或超音波清洗工具中使用研浆(27,47)，以物理侵蚀并移除侧壁损伤。
磁性穿隧接面蚀刻侧壁损伤方法

[发明专利]磁性隧穿接合元件制程/前图案化的晶种层的整合方法-CN201880023888.7在审
发明人： 杰斯明·哈克;锺汤姆;滕忠健;沈冬娜 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-03-07 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：描述一种蚀刻磁性隧穿接合(MTJ)结构的方法。在基底(10)上提供底电极层(12)。在底电极层上沉积晶种层(16)。图案化晶种层和底电极层。于图案化的晶种层和底电极层上方沉积介电层，并将其平坦化，其中露出晶种层。其后，在图案化的晶种层上沉积磁性隧穿接合层的堆叠(30)，包括扎钉层(18)、隧穿阻障层(20)、和自由层(22)。接着，图案化磁性隧穿接合堆叠，以形成磁性隧穿接合元件。因为在磁性隧穿接合图案化的步骤之前，图案化晶种层，元件暴露于蚀刻等离子体气体的时间缩短，而因此最小化蚀刻的损害。
晶种层图案化隧穿底电极层蚀刻接合堆叠沉积等离子体气体沉积介电层接合元件时间缩短接合层平坦化扎钉层自由层阻障层最小化基底暴露损害