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[实用新型]装拆紧固件的装置-CN202222184501.2有效
发明人：陈然 -专利权人： 杭州富芯半导体有限公司
申请日： 2022-08-18 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： B25B27/14 文献下载
摘要：本申请提供了一种装拆紧固件的装置，包括：壳体、主动轴、若干组支持结构、若干组传动机构和若干个刀头。主动轴穿设于壳体。每组支持结构包括：第一支持结构和第二支持结构。第一支持结构与壳体连接。第二支持结构和第一支持结构连接，第二支持结构可相对于第一支持结构转动。每组传动机构包括接合部，各个接合部对应于各个第二支持结构设置，若干组传动机构和若干组支持结构对应连接，若干组传动机构和主动轴连接，各个接合部可跟随对应的第二支持结构相对于对应的第一支持结构转动。若干个刀头和若干个接合部对应连接。本申请解决了现有的拧螺钉装置存在无法根据螺钉的布置来调整螺丝刀头的位置的问题。
紧固装置

[实用新型]汞灯灯箱-CN202222172102.4有效
发明人：杨长有 -专利权人： 杭州富芯半导体有限公司
申请日： 2022-08-16 - 公布日： 2023-02-10 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本申请提供了一种汞灯灯箱，其应用于半导体加工设备，包括：灯箱本体、杯状反射镜、汞灯、电线、固定装置和遮挡部件。杯状反射镜包括开口，杯状反射镜设置于灯箱本体内。汞灯位于杯状反射镜内，汞灯的一端和灯箱本体连接，汞灯可经由开口进行更换。电线的一端和汞灯的另一端连接。固定装置用于将电线的另一端固定于灯箱本体。遮挡部件可盖设在开口上，遮挡部件和杯状反射镜形成容纳腔体，固定装置设置于容纳腔体外。本申请解决了现有技术存在在更换汞灯时反射镜的镜面容易被掉落的螺丝、螺丝刀或螺丝刀头等部件砸坏及反射镜的镜面容易因为暴露在外部环境中而被大的颗粒物污染损坏的问题。
灯箱

[实用新型]晶圆刻蚀设备气泡过滤系统-CN202222225304.0有效
发明人：袁林涛;陈焰斌;刘慧超 -专利权人： 杭州富芯半导体有限公司
申请日： 2022-08-23 - 公布日： 2023-02-10 - 主分类号： B01D19/00 文献下载
摘要：本申请提供了一种晶圆刻蚀设备气泡过滤系统，包括：供液通道、气泡过滤器、出液通道和流量计。供液通道用于提供含气泡的药液。气泡过滤器包括密封箱体和过滤层，过滤层设置于密封箱体内，密封箱体设置有药液进口、药液出口和排气出口，药液进口连接于供液通道，过滤层将药液出口和排气出口隔离开，以让药液从药液出口流出，并让气泡从排气出口排出。出液通道的一端连接药液出口。流量计设置于出液通道，流量计用于测量流过出液通道的药液流量。本申请解决了晶圆刻蚀设备中出现气泡导致流量计监测报警的问题。
刻蚀设备气泡过滤系统

[实用新型]湿法清洗设备-CN202222420364.8有效
发明人：袁林涛 -专利权人： 杭州富芯半导体有限公司
申请日： 2022-09-13 - 公布日： 2023-02-10 - 主分类号： B08B3/10 文献下载
摘要：本申请提供一种湿法清洗设备，包括清洗槽、作业药液槽、备用药液槽、回收槽和清洗管路；清洗管路与清洗槽相连通；作业药液槽上设置有第一供液管路、第一再生管路和第一浓度补偿管路，备用药液槽上设置有第二供液管路、第二再生管路和第二浓度补偿管路，第一供液管路和第二供液管路与清洗管路相连通；回收槽的进液口与清洗槽的排液口相连通，回收槽的出液口与第一再生管路和第二再生管路相连通。本申请可以有效节约机台换药液时间，降低设备故障风险，提高设备产出率，且可以有效减少废液排放，降低清洗成本和环境污染，且有助于确保不同成分的溶液均匀充分混合，以最大程度发挥清洗药液的清洗效力，有助于提高清洗品质。
湿法清洗设备

[实用新型]晶圆检测设备真空管-CN202222184303.6有效
发明人：丁大胜 -专利权人： 杭州富芯半导体有限公司
申请日： 2022-08-18 - 公布日： 2023-02-07 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请提供了一种晶圆检测设备真空管，包括：第一连接管段、第二连接管段和弯折替换件。第一连接管段具有第一连接端和第二连接端，第一连接端连接于真空阀。第二连接管段具有第三连接端和第四连接端，第三连接端连接于晶圆载台。弯折替换件包括第一端和第二端，第一端活动连接于第二连接端，第二端活动连接第四连接端，弯折替换件用于承受晶圆检测设备真空管在运动过程中产生的弯矩。本申请解决了现有真空管更换成本过高的问题。
检测设备真空管

[发明专利]传送晶圆过程中矫正晶圆偏移的装置及其矫正方法-CN202211447975.X在审
发明人：陈泳 -专利权人： 杭州富芯半导体有限公司
申请日： 2022-11-18 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本申请提供一种传送晶圆过程中矫正晶圆偏移的装置及其矫正方法，该装置包括：晶圆角度定位器；光感应元件，包括信号光发射端及信号光接收端，置于晶圆角度定位器的一侧，且信号光发射端发出的光信号与晶圆角度定位器之间的距离为晶圆半径值±预设误差值；数据采集模块；数据处理模块；机械手臂。可自动识别晶圆的偏移并自动矫正晶圆的偏移位置，消除了晶圆在晶圆盒中初始位置偏移，机械手臂拖片、抓片偏移等需要人工处理的宕机问题，有效提高了生产效率，减少晶圆传送因位置偏移而产生的刮伤，碰撞风险；同时采用自动矫正晶圆的偏移，提高偏移精度。
传送过程矫正偏移装置及其方法

[发明专利]晶圆良率损失确定、晶圆良率合格判断的方法及装置-CN202211378517.5在审
发明人：颜元青 -专利权人： 杭州富芯半导体有限公司
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本申请提供一种晶圆良率损失确定、基于抽检的晶圆良率合格判断的方法及装置，晶圆良率损失的确定方法至少包括以下步骤：构建杀伤力数据库，所述杀伤力数据库为测试晶圆经过各道工序站点时各种缺陷类型在各个区域的总杀伤力数据；获取晶圆经过某道工序站点的缺陷分布图，并根据所述缺陷分布图确定至少一种缺陷类型的缺陷密度，根据所述缺陷密度和所述杀伤力数据库中对应的各个区域的总杀伤力数据得到晶圆良率损失率。本申请能够更加准确的确定晶圆良率损失率，从而实现对晶圆产品合格的判断更加准确。
晶圆良率损失确定合格判断方法装置

[发明专利]半导体结构的制备方法-CN202211251990.7在审
发明人：张宏敏 -专利权人： 杭州富芯半导体有限公司
申请日： 2022-10-13 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体结构的制备方法，包括步骤：提供基底；于基底表面依次形成第一刻蚀阻挡层、第一介质层、第二刻蚀阻挡层及第二介质层；形成第一光刻胶层，定义出通孔图形；形成通孔；于通孔内填充底部抗反射层；进行回刻，以使底部抗反射层的高度低于通孔深度；形成第二光刻胶层，于第二光刻胶层中形成沟槽图形，沟槽图形位于通孔正上方，且沟槽图形尺寸大于通孔尺寸；形成沟槽，沟槽位于通孔的上部，且停止于第二刻蚀阻挡层处；去除通孔内剩余的底部抗反射层、第一刻蚀阻挡层和第二刻蚀阻挡层，形成通孔上部形成有沟槽的漏斗结构；于漏斗结构内填充互连金属层。本申请有助于改善互连金属的填充，提高器件性能。
半导体结构制备方法

[发明专利]接触孔的形成方法及接触孔结构-CN202211327486.0在审
发明人：张宏敏 -专利权人： 杭州富芯半导体有限公司
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请提供一种接触孔的形成方法，包括：设置沟槽于衬底，沟槽填充有绝缘层；形成介质层于衬底上；形成具有开口的光阻层于介质层上；部份刻蚀对应沟槽的位置的介质层，及部份刻蚀沟槽的绝缘层，形成聚合物，并使开口贯穿介质层及部份绝缘层并延伸至沟槽的第一位置；执行聚合物清洗工序，以清除聚合物；部份刻蚀经过聚合物清洗工序的绝缘层，使开口贯穿部份绝缘层并延伸至沟槽的第二位置而形成接触孔；去除光阻层。透过聚合物清洗工序清除堆积在沟槽底部的聚合物，可改善接触孔的刻蚀速率。
接触形成方法结构

[发明专利]晶圆冷却器、晶圆冷却方法及晶圆冷却装置-CN202211225445.0在审
发明人：鄢林升 -专利权人： 杭州富芯半导体有限公司
申请日： 2022-10-09 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请提供了一种晶圆冷却器、晶圆冷却方法及晶圆冷却装置，其用于冷却晶圆，包括：腔体、抽气装置和冷却媒介输入装置。腔体用于存放晶圆。抽气装置和腔体连通，其中，腔体包括封闭状态，抽气装置用于将处于封闭状态的腔体抽成真空腔。冷却媒介输入装置和腔体连通，冷却媒介输入装置用于输入冷却媒介到真空腔中以冷却晶圆。本申请解决了在冷却晶圆及清除晶圆上的腐蚀性气体时，现有晶圆冷却器存在微尘容易进入造成晶圆缺陷的问题。
冷却器冷却方法装置

[发明专利]一种用于晶圆刻蚀的反应气体处理方法和晶圆刻蚀系统-CN202211197508.6在审
发明人：姚澄澄;陈泳 -专利权人： 杭州富芯半导体有限公司
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本申请提供一种用于晶圆刻蚀的反应气体处理方法，包括：提供多组晶圆组，其中多组晶圆组的每一组包括在进入刻蚀腔体时彼此相邻的第一晶圆和第二晶圆；对多组晶圆组的每一组执行反应气体处理步骤，反应气体处理步骤包括：于刻蚀腔体内，以刻蚀气体对第一晶圆进行刻蚀；放置刻蚀后第一晶圆于处理腔体的第一插槽；于刻蚀腔体内，以刻蚀气体对第二晶圆进行刻蚀；移动位于第一插槽中第一晶圆至处理腔体的第二插槽，其中第一插槽位于第二插槽的上方；放置刻蚀后第二晶圆于处理腔体的第一插槽；对第二晶圆及第一晶圆执行清洁工序。透过本申请的用于晶圆刻蚀的反应气体处理方法，可避免HBr·2H2O结晶产生在刻蚀后晶圆晶圆的表面上，而不污染晶圆。
一种用于刻蚀反应气体处理方法系统

[实用新型]一种用于晶圆测试的探针清洁系统-CN202222338646.3有效
发明人：徐明 -专利权人： 杭州富芯半导体有限公司
申请日： 2022-09-02 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： B08B1/00 文献下载
摘要：本申请提供一种用于晶圆测试的探针清洁系统，包括：浸泡单元、刷洗单元、磨针单元底座和驱动装置；浸泡单元包括槽体和控制器，槽体呈开口状，槽体内容纳有用于浸泡软化所述探针上粘附颗粒的浸泡液，控制器安装于槽体上，控制器与探针通讯连接，用于计量探针在浸泡液中的浸泡时间；刷洗单元用于对探针进行刷洗处理；磨针单元用于对探针进行打磨处理；底座用于承载浸泡单元、刷洗单元和磨针单元；驱动装置设置于底座的下方，驱动底座相对于探针移动。本申请中的探针清洁系统自动化完成探针上粘附颗粒的清洁过程，不仅大大减少了人工成本，减少人力操作并提高探针寿命，而且大大减少了人工换探针所损耗的机台产能。
一种用于测试探针清洁系统

[发明专利]一种太鼓晶圆研磨工艺-CN202211174977.6在审
发明人：韩树喜;佘桃慈 -专利权人： 杭州富芯半导体有限公司
申请日： 2022-09-26 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种太鼓晶圆研磨工艺，包括：对晶圆定义第一区域，其中所述第一区域的面积小于所述晶圆；对所述晶圆定义第二区域，其中所述第二区域为所述晶圆的表面区域减去所述第一区域；以研磨单元对所述第二区域进行研磨，以去除所述第二区域的表面上的杂质；以及完成对所述第二区域的研磨后，以所述研磨单元对所述第一区域进行研磨。通过先研磨晶圆中央再研磨太鼓环的程序，本发明确保在进行研磨表面膜层结构时没有太鼓环对其形成阻挡层，解决了现有技术中太鼓研磨工艺中因无法排除碎屑而降低效率和衍生的副作用。
一种太鼓晶圆研磨工艺

[发明专利]低温泵-CN202211150200.6在审
发明人：苏文华;李振雨;马闯 -专利权人： 杭州富芯半导体有限公司
申请日： 2022-09-21 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： F04B37/08 文献下载
摘要：本申请提供一种低温泵，包括第一低温吸附组件、驱动模组、第二低温吸附组件。第一低温吸附组件包括多个第一吸附孔以用于吸附气体。第二低温吸附组件包括多个第二吸附孔以用于吸附所述气体，多个第二吸附孔和多个第一吸附孔构成气体的吸附路径，第二低温吸附组件受驱动模组驱动而相对于第一低温吸附组件移动。其中当第一低温吸附组件和第二低温吸附组件开始吸附气体时，第二低温吸附组件受驱动模组驱动而远离第一低温吸附组件，第一低温吸附组件和第二低温吸附组件处于分离状态。
低温泵

[发明专利]半导体结构的制备方法-CN202211312848.9在审
发明人：陶余超 -专利权人： 杭州富芯半导体有限公司
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本申请为一种半导体结构的制备方法，其包括：形成第一沟槽、第二沟槽及第三沟槽于衬底，第一沟槽、第二沟槽及第三沟槽的尺寸彼此不同，第一沟槽及第二沟槽为由氧化层所填充的屏蔽栅结构，第三沟槽为由氧化层所填充的控制栅结构；形成层间介质层于衬底上；部份刻蚀层间介质层及衬底，形成第一接触孔及第二接触孔，第一接触孔位于第一沟槽的一侧并贯穿层间介质层和部份衬底，第二接触孔贯穿第二沟槽上的层间介质层及部份第二沟槽以暴露第二沟槽的栅极导体，第二接触孔的深度大于第一接触孔的深度；部份刻蚀第三沟槽上的层间介质层，形成第三接触孔，第三接触孔贯穿部份第三沟槽以暴露第三沟槽的栅极导体，第三接触孔的深度大于第二接触孔的深度。
半导体结构制备方法