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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种SiC JBS元胞结构及制备方法-CN202111277167.9有效
发明人：侯斌;杨晓文;杨鹏翮;鲁红玲;李照;黄山圃;胡长青 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种SiC JBS元胞结构，包括第一元胞和第二元胞；第二元胞的周边排列有若干个第一元胞；第一元胞的填充区域的横截面由内向外依次为第三图形，第二图形，第一图形；区域类型依次对应为SBD区、P+区、SBD区或依次为P+区、SBD区、P+区；第二元胞的填充区域的横截面为第四图形，区域类型为P型掺杂区；第一图形为正六边形，第二图形为正六边形，第三图形为圆形或正六边形，第四图形为正六边形。本发明的通过控制元胞结构的图形的几何尺寸以及各元胞间的相对距离以控制SiC‑JBS痛电流的大小，通过合理分布P+区，达到提高浪涌电流的目的。
一种 sic jbs 结构制备方法

[发明专利]一种深槽填充的工艺方法-CN202211337759.X在审
发明人：杨晓文;侯斌;李照;杨鹏翮;尚春林;张文鹏 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制作工艺技术领域，公开了一种深槽填充的工艺方法，通过采用厚度可调的多层复合介质，来实现电学绝缘和应力匹配的兼得，该工艺方法理论简单易于理解，不同的工艺技术人员可以根据不同的设备及工艺条件进行调整，遵循此方法均可以得到满足工艺要求的结果，适用范围广泛。
一种填充工艺方法

[发明专利]一种低成本高精度的锑杂质掺杂晶圆及其制备方法-CN202210699483.3在审
发明人： 杨鹏翮;卢泽宇;赵帆;臧继超;侯斌 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2022-06-20 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L21/22 文献下载
摘要：本发明提供一种低成本高精度的锑杂质掺杂晶圆及其制备方法，本申请采用双温区法分别控制源区的温度场和晶圆区的扩散温度，通过对源区温度的精确控制可以保证氧化锑的挥发蒸汽浓度，通过对晶圆区温度的精确控制，可以在保证晶圆表面质量的同时保证杂质扩散的纵向深度；相对于现有技术中的工艺方法，本申请可以显著提高晶圆表面的杂质掺杂浓度及扩散结深，对NPN晶体管的收集极的串联电阻降低有明显效果；同时，本申请通过一步工艺步骤即可实现锑杂质的高精度掺杂，同时每炉可加工200片晶圆，大幅提高了生产效率，降低了生产加工的成本。
一种低成本高精度杂质掺杂及其制备方法

[发明专利]一种碳化硅沟槽刻蚀方法-CN202110663179.9在审
发明人：张飞;杨鹏翮;孟晨 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2021-06-15 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅沟槽刻蚀方法，通过在碳化硅衬底材料上进行CVD形成氧化层，在氧化层上涂布光阻后按照设计版图进行光刻；在光刻区域采用干法刻蚀的方法去除氧化层；采用SF6和C4F8的混合气体对去除氧化层的碳化硅衬底进行刻蚀，能够发生化学反应生成聚合物，所生成的聚合物附着在图形的底部和侧壁上，能够对底部和侧壁，特别是图形沟槽产生保护作用，从而减弱反应离子对图形拐角处的刻蚀，有效地防止了微沟槽在图形拐角处形成，本发明工艺流程简单，形成的碳化硅沟槽侧壁光滑、沟槽底部没有微沟槽效应；其方法理论简单易于理解，有效提高碳化硅衬底材料的沟槽的刻蚀效率。
一种碳化硅沟槽刻蚀方法

[发明专利]一种倒梯型槽刻蚀工艺方法-CN202011034226.5在审
发明人：张飞;雷应毅;鲁红玲;杨鹏翮;侯斌 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2020-09-27 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明公开了一种倒梯型槽刻蚀工艺方法，属于微电子制作工艺领域。一种倒梯型槽刻蚀工艺方法，包括：1)对硅衬底材料进行氧化，形成氧化层，在氧化层上涂布光阻按照设计版图进行光刻；2)在光刻区域采用RIE刻蚀的方法去除氧化层，直至暴露出硅衬底；3)采用感应耦合等离子刻蚀机，对硅衬底进行分步骤刻蚀，采用C4F8和SF6交替刻蚀，刻蚀完成得到具有预设深度的硅槽；之后采用SF6和O2刻蚀的方法对硅槽进行刻蚀，刻蚀完成得到倒梯型硅槽；4)刻蚀完成之后，采用湿法去除光阻和氧化层，得到硅器件。本发明的工艺方法，可以得到不同硅槽深度的倒梯型槽，满足不同的工艺需求。
一种倒梯型槽刻蚀工艺方法

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