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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种三维3D存储器件以及用于操作三维3D存储器件上的数据处理单元的系统及方法-CN202011109666.2有效
发明人： 杨盛玮;夏仲仪;韩坤 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： G11C5/02 文献下载
摘要：本公开提供一种三维(3D)存储器件。示例性3D存储器件包括3D NAND存储阵列和在同一芯片上耦合到3D NAND存储阵列的管芯上数据处理电路。该管芯上数据处理电路从输入/输出(I/O)接口接收用于对存储在3D NAND存储阵列中的数据执行操作的控制指令。该管芯上数据处理电路还基于该控制指令提取来自3D NAND存储阵列的数据，并对提取的数据执行操作。此外，该管芯上数据处理电路将该操作结果返回到I/O接口。
一种三维存储器件以及用于操作数据处理单元系统方法

[发明专利]一种三维存储器及其制作方法-CN202010237166.0有效
发明人： 杨盛玮;韩坤 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-03-30 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H10B41/35 文献下载
摘要：本申请提供一种三维存储器及其制作方法，所述制作方法包括：提供阵列晶圆和CMOS晶圆，在阵列晶圆和CMOS晶圆键合之前，所述阵列晶圆上已经制作完成贯穿接触部，从而减少了3D NAND制作过程中，给CMOS晶圆上的CMOS器件引入等离子导致损坏(PID)，使得制作贯穿接触部时使用的等离子体刻蚀工艺对CMOS晶圆上的CMOS器件不造成影响。
一种三维存储器及其制作方法

[发明专利]存储器的读取方法、阈值电压偏移量计算方法和存储系统-CN202210666965.9在审
发明人：樊云杰;黄淑颖;王志强;杨盛玮 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-06-13 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种存储器的读取方法、阈值电压偏移量计算方法和存储系统，其中，存储器包括目标存储单元，目标存储单元具有默认读取电压和固定电压偏移量，存储器的读取方法包括：获取目标存储单元的目标阈值电压偏移量，然后，将默认读取电压结合目标阈值电压偏移量和固定电压偏移量，以对目标存储单元进行读取操作，本发明所提供的读取方法通过使用两种大小不同的电压偏移量对目标存储单元进行重复读取操作，不仅可以提高读取操作的速度，同时，也保证了该读取操作的精确性。
存储器读取方法阈值电压偏移计算方法存储系统

[发明专利]电迁移测试结构及测试方法-CN202210511290.0在审
发明人：杨素慧;杨盛玮 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-05-11 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明提供一种电迁移测试结构和测试方法。该测试结构包括：目标结构、第一连接结构、第二连接结构和第三连接结构，其中，目标结构包括第一端和第二端，第二端与第一端相对设置；第一连接结构从目标结构的第一侧与第一端连接；第二连接结构从目标结构的第二侧与第一端连接，第二侧与第一侧相对设置；第三连接结构从目标结构的第二侧与第二端连接。本发明的电迁移测试结构通过在目标结构的至少一端同时电连接两个连接结构，使测试电流通过该两个连接结构进入目标结构，在降低了单个连接结构中的电流密度的同时可以向目标结构中施加相对较大的电流，避免了改变目标结构的失效模式，节约测试时间。
迁移测试结构方法

[发明专利]半导体器件的测试结构及其制作方法以及存储器-CN202110686531.0有效
发明人：张泽华;杨盛玮 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-06-21 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本公开实施例公开了一种半导体器件的测试结构及其制作方法以及存储器。所述测试结构包括：第一半导体结构，包括：控制电路；第二半导体结构，位于所述第一半导体结构之上，包括：位于衬底和所述第一半导体结构之间的导电结构；其中，所述导电结构与所述衬底电连接；焊盘，位于所述第二半导体结构之上，通过所述导电结构与所述衬底电连接，且与所述控制电路电连接。
半导体器件测试结构及其制作方法以及存储器

[发明专利]通孔界面失效的测试结构、测试方法、装置和半导体结构-CN202210240939.X在审
发明人： 杨盛玮 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-03-10 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本申请提供了一种通孔界面失效的测试结构、测试方法、装置和半导体结构，该测试结构包括：半导体结构层，为单晶硅结构层和/或多晶硅结构层；多个金属部，包括第一金属部和第二金属部，第一金属部通过第一金属导电柱与半导体结构层电连接，第二金属部通过第二金属导电柱与半导体结构层电连接。该测试结构解决了现有技术中难以评估多晶硅‑通孔界面或者单晶硅‑通孔界面的可靠性的问题。
界面失效测试结构方法装置半导体

[发明专利]一种应力迁移的可靠性评估方法、装置及系统-CN202110469024.1有效
发明人：欧阳艳;杨素慧;王志强;杨盛玮 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-04-28 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种应力迁移的可靠性评估方法、装置及系统，应用于半导体样品中的金属连线，其中，所述应力迁移可靠性评估方法包括：获取所述半导体样品在实际使用温度下的第一可靠性时间；根据所述第一可靠性时间，确定所述半导体样品在测试温度下的第二可靠性时间；对所述半导体样品进行应力迁移测试，以确定出所述半导体样品在所述测试温度和所述第二可靠性时间下的失效结果；通过所述失效结果，评估所述金属连线的应力迁移的可靠性。
一种应力迁移可靠性评估方法装置系统

[发明专利]电迁移测试结构及形成方法、电迁移测试方法、存储器-CN202210096353.0在审
发明人：杨素慧;杨盛玮 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种电迁移测试结构及其形成方法、电迁移测试方法、存储器。所述电迁移测试结构包括存储区域和位于所述存储区域外部的外围区域；所述电迁移测试结构还包括：测试层，连续分布于所述存储区域和所述外围区域；互连结构，位于所述存储区域，包括互连层和半导体层，所述互连层的一端连接所述测试层、另一端连接所述半导体层；监控结构，位于所述外围区域，连接所述测试层且分布于所述互连层的相对两外侧，用于监控所述测试层的电阻变化。本发明避免了所述互连结构内部的电阻对所述测试层电阻监测的影响，提高了电迁移测试结果的准确度和可靠性。
迁移测试结构形成方法存储器

[发明专利]三维存储器及其制作方法-CN202110275389.0有效
发明人： 杨盛玮 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L27/11548 文献下载
摘要：本公开实施例公开了一种三维存储器及其制作方法，所述三维存储器包括：第一衬底，包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面用于承载存储阵列；第一介质层，覆盖所述第一衬底的第一表面；焊盘结构，贯穿所述第一衬底的第一表面和第二表面、以及所述第一介质层；其中，所述焊盘结构与所述三维存储器的控制电路电连接；至少两个隔离结构，贯穿所述第一衬底的第一表面和第二表面、以及所述第一介质层；其中，沿平行于所述第一衬底的第一方向，所述焊盘结构位于第一个所述隔离结构和第二个所述隔离结构之间。
三维存储器及其制作方法

[发明专利]三维存储器器件及其制造方法-CN202110313890.1有效
发明人： 杨盛玮 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-03-24 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L27/11548 文献下载
摘要：本发明提供了一种三维存储器器件及其制造方法。其中，三维存储器器件包括：存储阵列层；外围器件层；设置在所述外围器件层与所述存储阵列层之间的缓冲层；所述缓冲层能够使得所述存储阵列层中存在的第一元素的量大于第一阈值，且所述外围器件层中存在的所述第一元素的量小于第二阈值；所述第一阈值大于所述第二阈值。
三维存储器器件及其制造方法

[发明专利]存储寿命的计算方法以及闪存存储器-CN202111270704.7在审
发明人：黄淑颖;樊云杰;王志强;杨盛玮 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： G11C29/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种存储寿命的计算方法以及闪存存储器，计算方法包括：分别获取被置于多个测试环境中的多个相同的待测器件的数据保存性能参数在操作时间上的分布曲线，其中，每个测试环境的操作温度不同，待测器件具有预设数据保存性能标准线，之后，根据多条分布曲线与预设数据保存性能标准线，得到每个待测器件在对应的操作温度下的存储寿命，并将每个操作温度与对应的存储寿命作为一个目标数组，最后，根据多个目标数组拟合出存储寿命随操作温度变化的线性函数，并计算得到待测器件的存储寿命与操作温度的经验关系式，利用该经验关系式可以精确地计算出待测器件在任意操作温度下的存储寿命。
存储寿命计算方法以及闪存存储器

[发明专利]存储芯片、存储芯片的读写方法、读写装置和单片机-CN202111139073.5在审
发明人： 杨盛玮 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-09-27 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本申请提供了一种存储芯片、存储芯片的读写方法、读写装置和单片机，该存储芯片包括主存储器和辅存储器，辅存储器包括缓冲器，主存储器包括：存储阵列，包括多个存储单元；多个间隔的位线，存储单元列通过位线与缓冲器一一对应地通信连接，一个存储单元列包括一条位线连接的所有存储单元。该主存储器RAM的位线的一端与辅存储器的缓冲器一一对应通信连接，使得主存储器RAM和辅存储器实现并行通信，相比于现有技术中主存储器RAM和辅存储器之间进行串行通信，大大提升了数据传输速度，提高了主存储器RAM的读写操作效率，解决了现有技术中RAM的读写操作效率低的问题。
存储芯片读写方法装置单片机

[发明专利]存储器及其操作方法、装置、存储介质-CN202110341303.X有效
发明人： 杨盛玮 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种存储器及其操作方法、装置、存储介质。其中，存储器包括：存储单元阵列、电容控制电路及页缓冲器，其中：所述存储单元阵列，包括多个存储单元；所述电容控制电路，用于实现对感测电容的电容值的调制；所述页缓冲器包括所述感测电容，所述感测电容用于利用调制的电容值将待读取存储单元产生的沟道电流转化为单位时间内的电压变化；所述页缓冲器，用于根据所述感测电容上的电压变化，确定是否读取所述待读取存储单元实际存储的数据。
存储器及其操作方法装置存储介质

[发明专利]一种测试结构、测试系统和测试方法-CN202110723120.4在审
发明人：张泽华;张敏;孔令枫;杨盛玮 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本申请提供一种测试结构、测试系统和测试方法，包括：金属互连线、待测试半导体器件和测试焊盘；金属互连线包括测试金属结构，测试金属结构用于金属层间介质层测试的金属结构中的部分结构；待测试半导体器件和测试焊盘通过金属互联线连接；测试焊盘用于提供测试电压；待测试半导体器件的电学性能用于体现金属互联线对待测试半导体器件产生的等离子体诱生损伤影响。本申请实施例中的测试结构包括可以用于进行金属层间介质层测试的金属结构中的部分结构，即只需要利用现有的金属层间介质层金属结构中的一部分进行等离子体诱生损伤测试，由于利用相同的测试焊盘连接测试结构，能节约测试焊盘的数量。
一种测试结构系统方法

[发明专利]时间相关电介质击穿测试结构及其测试方法-CN202010714686.6有效
发明人： 杨盛玮;韩坤 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-11-06 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： G01R31/12 文献下载
摘要：一种时间相关电介质击穿测试结构包括在恒定电压和地之间并联连接的多个测试单元。所述多个测试单元中的每一个包括连接至所述恒定电压的电介质测试样本；以及连接于所述电介质测试样本和地之间的电流限制单元，所述电流限制单元用于在所述恒定电压击穿所述电介质测试样本之后限制击穿电流在所述电介质测试样本上流动。
时间相关电介质击穿测试结构及其方法

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