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[发明专利]脱水化学品及用于使半导体结构脱水的方法-CN201911192940.4有效
发明人：李中杰;杨棋铭;陈其贤 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-11-28 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明实施例涉及用于使用脱水化学品形成半导体结构的方法及用于形成半导体结构的方法。本发明实施例提供一种用于在环境温度下使半导体衬底脱水的脱水化学品，其包含：第一化学品，其具有低于所述环境温度的熔点；及第二化学品，其具有高于所述第一化学品的所述熔点的熔点，其中所述脱水化学品具有比所述环境温度低预定ΔT0度的熔点，且所述第一化学品及所述第二化学品中的至少一者在1atm下具有高于预定压力Psv的饱和蒸汽压。
脱水化学品用于半导体结构方法

[发明专利]半导体结构-CN202210342964.9在审
发明人：郑柏贤;杨棋铭;李资良 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本公开提出一种半导体结构。位于金属界面(例如，位于MEOL内连线与栅极接触件或源极或漏极区接触件之间、位于MEOL接触插塞与BEOL金属化层之间及/或位于BEOL导电结构之间)的碳(例如，石墨或石墨烯)的膜层用于降低位于金属界面的接触电阻，其提高了电气装置的电气性能。此外，在一些实施方式中，上述碳的膜层可以在第二金属沉积于第一金属上时帮助防止从第二金属到第一金属的热传递。这导致了第二金属的更对称的沉积，其降低了在金属界面的表面粗糙度及接触电阻。作为替代，在一些实施方式中，在第二金属的沉积之前蚀刻碳的膜层以降低位于金属界面的接触电阻。
半导体结构

[发明专利]产生电磁辐射的设备及方法-CN201910973178.7有效
发明人：徐子正;杨棋铭;陈其贤;彭瑞君;刘恒信;林进祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-10-14 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明实施例涉及产生电磁辐射的设备及方法。根据本发明的一些实施例，一种电磁辐射产生设备包含收集器、气体供应器及气体管道。收集器具有经配置以反射电磁辐射的反射表面。收集器包含底部部分、外围部分及介于底部部分与周边部分之间的中间部分。收集器的中间部分包含多个开口。气体供应器经配置以提供缓冲气体。气体管道与气体供应器及收集器连通，且经配置以使缓冲气体吹扫穿过中间部分的开口，以在收集器的反射表面附近形成气体保护层。中间部分的开口包含：多个孔，所述孔布置成包含多个孔行的阵列；或多个同心间隙。
产生电磁辐射设备方法

[发明专利]用于含金属的抗蚀剂层的原位沉积和致密化处理-CN202110659598.5在审
发明人：郭怡辰;刘之诚;陈彦儒;李志鸿;杨棋铭;李资良 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-06-15 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本申请涉及用于含金属的抗蚀剂层的原位沉积和致密化处理。本文公开了可以改进光刻分辨率的含金属的抗蚀剂层(例如，金属氧化物抗蚀剂层)、用于形成含金属的抗蚀剂层的方法以及使用含金属的抗蚀剂层的光刻方法。示例性方法包括：通过执行沉积工艺在工件之上形成金属氧化物抗蚀剂层，以在工件之上形成金属氧化物抗蚀剂层的金属氧化物抗蚀剂子层；以及对至少一个金属氧化物抗蚀剂子层执行致密化工艺。每个沉积工艺形成金属氧化物抗蚀剂子层中的相应一个。致密化工艺使至少一个金属氧化物抗蚀剂子层的密度增加。可以调整沉积工艺的参数和/或致密化工艺的参数，以实现不同的密度分布、不同的密度特性、和/或不同的吸收特性，从而优化对金属氧化物抗蚀剂层的图案化。
用于金属抗蚀剂层原位沉积致密处理

[发明专利]用于半导体制造的光致抗蚀剂-CN202110506652.2在审
发明人：刘之诚;郭怡辰;陈彥儒;李志鸿;杨棋铭;李资良 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-05-10 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： C07F5/00 文献下载
摘要：本申请涉及用于半导体制造的光致抗蚀剂。提供了用于极紫外(EUV)光刻的有机金属前体。有机金属前体包含芳族二齿配体、与所述芳族二齿配体配位的过渡金属和与所述过渡金属配位的极紫外(EUV)可裂解配体。所述芳族二齿配体包含多个吡嗪分子。
用于半导体制造光致抗蚀剂

[发明专利]用于半导体制造的光致抗蚀剂-CN202110629605.7在审
发明人：刘之诚;郭怡辰;陈彦儒;李志鸿;杨棋铭;李资良 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-06-07 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本申请涉及用于半导体制造的光致抗蚀剂。提供了用于极紫外(EUV)光刻的有机金属前体。所述有机金属前体包括MaXbLc的化学式，其中M是金属，X是包括吡咯样氮和吡啶样氮的多齿芳族配体，L是极紫外(EUV)可裂解的配体，a在1和2之间，b等于或大于1，c等于或大于1。
用于半导体制造光致抗蚀剂

[发明专利]制造半导体器件的方法和图案形成方法-CN202110752941.0在审
发明人：刘之诚;翁明晖;李志鸿;郑雅如;杨棋铭;李资良;张庆裕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-07-02 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本申请涉及制造半导体器件的方法和图案形成方法。在图案形成方法中，通过将汽态的第一前体和第二前体合并以形成光致抗蚀剂材料，在基板上方形成光致抗蚀剂层。所述第一前体是具有式MaRbXc的有机金属，其中M是选自由以下项组成的组的一者或多者：Sn、Bi、Sb、In和Te，R是被不同的EDG和/或EWG取代的烷基基团，X是卤基或磺酸根基团，并且1≤a≤2，b≥1，c≥1，并且b+c≤4。所述第二前体是水、胺、硼烷、和/或膦。使所述光致抗蚀剂层沉积在所述基板上方并选择性地曝光于光化辐射以形成潜在图案，并且通过将显影剂施加至经选择性曝光的光致抗蚀剂层以使所述潜在图案显影，来形成图案。
制造半导体器件方法图案形成

[发明专利]图案化第一半导体晶圆的光刻方法和图案化的半导体晶圆-CN202110560337.8在审
发明人：吴小真;杨棋铭;刘旭水 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-05-21 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：公开了用于图案化第一半导体晶圆的光刻方法。将光学掩模定位在第一半导体晶圆上方。通过将来自光源的光引导穿过光掩模的透明区域来图案化第一半导体晶圆的第一区域。通过将来自能量源的能量引导至第二区域来图案化第一半导体晶圆的第二区域，其中第二区域的图案化包括直射束写入。本发明的实施例还涉及通过工艺生产的图案化的半导体晶圆和在半导体晶圆上写入光刻伪图案的方法。
图案第一半导体光刻方法

[发明专利]光致抗蚀剂层表面处理、盖层和形成光致抗蚀剂图案的方法-CN202110337729.8在审
发明人：郭怡辰;刘之诚;翁明晖;魏嘉林;陈彦儒;李志鸿;郑雅如;杨棋铭;李资良;张庆裕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本申请涉及光致抗蚀剂层表面处理、盖层和形成光致抗蚀剂图案的方法。具体地，一种在光致抗蚀剂层中形成图案的方法包括在基板上方形成光致抗蚀剂层，以及降低所述光致抗蚀剂层的湿气或氧气吸收特性。使所述光致抗蚀剂层选择性地暴露于光化辐射以形成潜在图案，并且通过将显影剂施加至所述经选择性暴露的光致抗蚀剂层使所述潜在图案显影以形成图案。
光致抗蚀剂层表面处理盖层形成光致抗蚀剂图案方法

[发明专利]晶片研磨头、晶片研磨系统及其使用方法-CN202110046824.2在审
发明人：黄正吉;彭禾辉;吴健立;杨棋铭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-14 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： B24B37/11 文献下载
摘要：本发明实施例涉及晶片研磨头、晶片研磨系统及其使用方法。提供一种晶片研磨头。所述晶片研磨头包含载具头、安置于所述载具头上的多个压电致动器及安置于所述多个压电致动器上的隔膜。所述多个压电致动器经配置以在所述隔膜上提供机械力且在通过所述隔膜接收所述机械力的反作用力时产生电荷。本发明一些实施例还揭露一种晶片研磨系统及一种用于使用所述晶片研磨系统研磨衬底的方法。
晶片研磨系统及其使用方法

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN202110334311.1在审
发明人：魏嘉林;翁明晖;刘之诚;郭怡辰;陈彥儒;郑雅如;李志鸿;张庆裕;李资良;杨棋铭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本申请涉及制造半导体器件的方法，包括在基板上方形成包括含金属的光致抗蚀剂的多层光致抗蚀剂结构。多层光致抗蚀剂结构包括两个或更多个具有不同物理参数的含金属的光致抗蚀剂层。含金属的光致抗蚀剂是第一前体和第二前体的反应产物，并且使用不同的光致抗蚀剂层形成参数形成多层光致抗蚀剂结构的每一层。不同的光致抗蚀剂层形成参数是选自由以下组成的组中的一个或多个：第一前体、第一前体的量、第二前体、第二前体的量、每个光致抗蚀剂层形成操作的时间长度以及光致抗蚀剂层的加热条件。使多层光致抗蚀剂结构选择性地暴露于光化辐射以形成潜在图案，并且通过将显影剂施加到选择性暴露的多层光致抗蚀剂结构以形成图案来使潜在图案显影。
制造半导体器件方法

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN202110336906.0在审
发明人：刘之诚;郭怡辰;魏嘉林;翁明晖;陈彥儒;李志鸿;郑雅如;杨棋铭;李资良;张庆裕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本申请涉及制造半导体器件的方法，包括在基板上方形成光致抗蚀剂层。形成光致抗蚀剂层包括将第一前体和第二前体以蒸气态结合以形成光致抗蚀剂材料，其中第一前体是具有式MaRbXc的有机金属，其中M是Sn、Bi、Sb、In、Te、Ti、Zr、Hf、V、Co、Mo、W、Al、Ga、Si、Ge、P、As、Y、La、Ce或Lu中的至少一种；R为取代或未取代的烷基、烯基或羧酸酯基团；X是卤素或磺酸酯基团；并且1≤a≤2，b≥1，c≥1，并且b+c≤5。第二前体是胺、硼烷或膦中的至少一种。形成光致抗蚀剂层包括在基板上沉积光致抗蚀剂。将光致抗蚀剂层选择性地暴露于光化辐射以形成潜在图案，并通过将显影剂施加到选择性暴露的光致抗蚀剂层上以形成图案来使潜在图案显影。
制造半导体器件方法

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN202110047011.5在审
发明人：翁明晖;刘朕与;刘之诚;郭怡辰;魏嘉林;陈彥儒;李志鸿;郑雅如;杨棋铭;李资良;张庆裕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-14 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： G03F1/56 文献下载
摘要：本公开涉及制造半导体器件的方法。一种制造半导体器件的方法包括：在衬底之上形成光致抗蚀剂层，包括：在蒸汽状态下将第一前体和第二前体组合以形成光致抗蚀剂材料，以及在衬底之上沉积光致抗蚀剂材料。在光致抗蚀剂层之上形成保护层。通过保护层将光致抗蚀剂层选择性地暴露于光化辐射，以在光致抗蚀剂层中形成潜在图案。去除保护层，以及通过将显影剂施加到经选择性地暴露的光致抗蚀剂层来显影潜在图案以形成图案。
制造半导体器件方法

[发明专利]用于EUV光刻的有机金属簇光致抗蚀剂-CN201911299540.3在审
发明人：张旭凯;杨棋铭;刘瑞雄;傅睿纮;吴新怡 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-12-17 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： C07F7/22 文献下载
摘要：本公开涉及用于EUV光刻的有机金属簇光致抗蚀剂。本公开涉及具有式(I)的有机锡簇化合物及其在极紫外光刻工艺中作为光致抗蚀剂的用途。
用于 euv 光刻有机金属簇光致抗蚀剂

[发明专利]半导体衬底的原位背面清洗-CN201710233807.3有效
发明人：叶明熙;庄国胜;张简瑛雪;杨棋铭;林进祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-08-28 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种清洗半导体晶圆的方法和装置。在该方法的实施例中，提供了单晶圆清洗装置并且将晶圆设置在该装置中。将第一化学喷剂分布到晶圆的正面上。在分布第一化学喷剂的同时清洗晶圆的背面。清洗背面可以包括刷子和清洗液喷剂。还描述了一种用于清洗单个半导体晶圆的正面和背面的装置。本发明还提供了一种半导体衬底的原位背面清洗。
半导体衬底原位背面清洗

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