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[实用新型]一种用于市政建筑的淤泥清理机-CN202220096919.5有效
发明人：熊喻涛;杨任花;郭洪辉;万辉 -专利权人：世昌建设集团有限公司
申请日： 2022-01-14 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： E02F5/28 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于市政建筑的淤泥清理机，包括有船体，所述船体上铰接有吊架和油缸，所述油缸动力端铰接在吊架上，所述吊架上设置有电动葫芦，所述电动葫芦上连接有贝壳抓斗，包括有设置在船体上的过滤机构和沉淀箱，所述沉淀箱底部设置有闸阀，所述闸阀上连接有导料管；本实用新型的一种用于市政建筑的淤泥清理机，其结构简单、方便实用通过过滤袋条将淤泥导入船体中，在过滤袋条输送淤泥时会将部分淤泥中含有的水过滤出来，达到降低淤泥中水的含量。
一种用于市政建筑淤泥清理

[实用新型]一种用于建筑工业化混凝土薄板结构-CN202120662560.9有效
发明人：熊喻涛;杨任花;刘军;黄利生;郭洪辉 -专利权人：世昌建设集团有限公司
申请日： 2021-04-01 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： E04F13/072 文献下载
摘要：本实用新型涉及建筑领域，尤其涉及一种用于建筑工业化混凝土薄板结构。包括拼接块、固定限位块，所述拼接块主体呈方形，其上、下、左、右四面均为与相邻的拼接块贴合拼接的拼接面，其靠近墙体一侧为贴附固定面；上、下、左、右相邻的四块所述拼接块之间贴附有固定限位块，所述固定限位块靠近墙体一侧中心水平设置有固定装置，所述固定装置穿过上、下、左、右相邻的四块所述拼接块与墙体连接从而固定拼接块。原理简明，安装简单，拆卸方便，外形美观。
一种用于建筑工业化混凝土薄板结构

[实用新型]一种快速拼接建筑模板-CN201920788716.0有效
发明人：熊喻涛;杨雅兰;杨齐雄;杨任花 -专利权人：世昌建设集团有限公司
申请日： 2019-05-29 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： E04G17/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种快速拼接建筑模板，包括板体和固定杆，所述板体的左侧和右侧中部分别开设有和安装有连接槽和连接块，所述连接块贯穿连接槽，所述连接槽顶端和底端内壁的左侧中部分别竖直开设有第一固定孔和第二固定孔，所述连接块的上表面左侧中部竖直开设有第三固定孔，所述第二固定孔的内壁开设有内螺纹，所述固定杆分别贯穿第一固定孔、第二固定孔和第三固定孔。本实用新型通过连接块贯穿连接槽，定位块贯穿定位槽，能够对两组板体进行定位，通过固定杆分别贯穿第一固定孔、第二固定孔和第三固定孔，内螺纹与外螺纹螺旋连接，能够把两组板体固定连接起来，一方面结构简单，方便安装，另一方面两组板体连接面平整。
一种快速拼接建筑模板

[发明专利]一种平移非易失性存储器NVM的数据的方法及装置-CN201510376718.5有效
发明人： 杨任花;赵俊峰;杨伟;肖世海;林殷茵;韦祎 -专利权人：华为技术有限公司;复旦大学
申请日： 2015-06-30 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种平移非易失性存储器NVM的数据的方法，包括：将动态随机存取存储器DRAM中存储的第一数据映射到非易失性存储器NVM的第一行地址，所述第一数据包括静态数据，所述静态数据为擦写频率小于预设频率的数据；记录映射后的NVM被擦写的次数；若所述映射后的NVM被擦写的次数大于或等于预设次数，则按照预设规则平移所述第一行地址中存储的所述第一数据。本发明还公开了一种平移非易失性存储器NVM的数据的装置。采用本发明，可减少NVM中存储数据的行地址的擦写次数，提高NVM的寿命。
一种平移非易失性存储器 nvm 数据方法装置

[发明专利]能降低功耗的电子装置及降低电子装置功耗的方法-CN201510460607.2有效
发明人： 杨任花;赵俊峰;杨伟;肖世海;林殷茵;韦祎 -专利权人：华为技术有限公司;复旦大学
申请日： 2015-07-30 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： G06F1/3287 文献下载
摘要：一种能降低功耗的电子装置及降低电子装置功耗的方法，所述电子装置包括处理器、易失性内存、及非易失性内存，所述非易失性内存存储第一操作系统，所述电子装置在第一工作模式和第二工作模式下工作；当所述电子装置处于所述第一工作模式时，第二操作系统在所述易失性内存中运行，在所述处理器侦测到所述电子装置达到预设的进入所述第二工作模式的条件时，开启所述非易失性内存，移动所述易失性内存中的非系统数据至所述非易失性内存中，所述非系统数据不包括所述第二操作系统，在所述非系统数据移动完成后，关闭所述易失性内存，在所述非易失性内存中运行所述第一操作系统，使所述电子装置进入所述第二工作模式。从而降低电子装置的功耗。
降低功耗电子装置方法

[发明专利]访问内存的方法、存储级内存及计算机系统-CN201410856607.X有效
发明人： 杨任花;赵俊峰;杨伟;王元钢;林殷茵 -专利权人：华为技术有限公司;复旦大学
申请日： 2014-12-31 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： G06F12/10 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种访问内存的方法、存储级内存及计算机系统。所述计算机系统包括内存控制器和混合内存，所述混合内存包括动态随机存取存储器DRAM和存储级内存SCM。所述内存控制器用于向所述DRAM和所述SCM发送第一访问指令。所述SCM在确定接收的所述第一访问指令中的第一地址指向的所述DRAM的第一存储单元集合中包括保持时间比所述DRAM的刷新周期短的存储单元时，可以获得与所述第一地址具有映射关系的第二地址。进一步的，所述SCM根据所述第二地址将所述第一访问指令转换为访问SCM的第二访问指令，以实现对SCM的访问。本发明实施例提供的计算机系统能够在降低DRAM刷新功耗的基础上保证数据的正确性。
访问内存方法存储计算机系统

[发明专利]一种内存访问方法与计算机系统-CN201510232662.6有效
发明人： 杨任花;王元钢;杨伟;赵俊峰;韦祎;林殷茵 -专利权人：华为技术有限公司;复旦大学
申请日： 2015-05-08 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种内存访问方法，用于降低计算机系统的功耗。本发明实施例方法包括：在SCM处于关闭状态且DRAM处于开启状态时，确定计算机系统的负载状态；若计算机系统处于低负载状态，则开启SCM，并将DRAM中的数据写入SCM；当将DRAM中的数据写入SCM后，关闭DRAM。本发明实施例提供的方法在计算机系统处于高负载状态时，使用DRAM作为内存，能够满足高负载计算机系统对容量和速度的需求；在计算机系统处于低负载状态时，使用SCM作为内存，能够减少内存刷新造成的功耗。本发明实施例还提供了相关的计算机系统。
一种内存访问方法计算机系统

[实用新型]一种混泥土构件生产系统中用的底模清扫装置-CN201920788654.3有效
发明人：喻大安;杨任花;谌楚楚;喻代平 -专利权人：世昌建设集团有限公司
申请日： 2019-05-29 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： B28B7/38 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种混泥土构件生产系统中用的底模清扫装置，包括固定架，所述固定架顶端内壁的后侧中部设置有第一气缸，所述第一气缸与第一推杆活动连接，所述第一推杆与推板的上表面中部固定连接，所述推板的下表面中部设置有驱动电机，所述驱动电机的电机轴连接有转动杆，所述转动杆的底端固定连接有毛刷。本实用新型在底膜的上表面残留有土块时，推动固定架使喷头置于底膜的上方，控制电磁阀打开，水箱内的水经喷头喷洒至底模的上表面，推动固定架使毛刷置于底模的上方，控制第二气缸工作，第二推杆推动夹板夹紧底模，控制第一气缸工作，第一推杆能够推动毛刷位于底模的上表面，控制驱动电机工作，转动杆带动毛刷转动，对底模进行清理。
一种泥土构件生产系统中用清扫装置

[发明专利]混合存储设备、计算机、控制设备、及降低功耗的方法-CN201510460606.8有效
发明人： 杨任花;赵俊峰;杨伟;林殷茵 -专利权人：华为技术有限公司;复旦大学
申请日： 2015-07-30 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： G06F1/3287 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种混合存储设备混合存储设备、计算机、控制设备、及降低功耗的方法。所述混合存储设备包括控制器、易失性存储单元及非易失性存储单元。所述混合存储设备在第一工作模式下时，所述易失性存储单元为开启态，所述非易失性存储单元为关闭态，在第二工作模式下，所述非易失性存储单元为开启态，所述易失性存储单元为关闭态；在所述混合存储设备运行在所述第一工作模式时，当所述控制器侦测到所述计算机的运行指标满足第一切换条件时，开启所述非易失性存储单元，拷贝所述易失性存储单元中的数据至所述非易失性存储单元中，并将所述混合存储设备切换到第二工作模式。使用本发明可以有效减少所述易失性存储单元产生的背景功耗。
混合存储设备计算机控制降低功耗方法

[发明专利]一种抗参数漂移反相器-CN201611101887.9在审
发明人：吕秋叶;解磊;彭勇;杨任花;钟乐;刘鑫;毛光 -专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
申请日： 2016-12-05 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： H03K19/003 文献下载
摘要：本发明为一种抗参数漂移反相器，在保证功能正确的前提下，有效得解决外界因素所引起的反相器的参数漂移问题，包括：低噪声容限减小、输出高电平降低和传输特性左移；该反相器结构具有：一个主反相器，一个补偿NMOS管，一条补偿支路，其中补偿支路包括：一个控制NMOS管和一个电流镜结构；主反相器实现正常的反相功能，补偿NMOS管和补偿支路用于补偿外界因素所引起的反相器的参数漂移，此外，控制管还用于控制补偿支路的工作与否，从而有效的将功耗降到最低。
反相器漂移补偿支路外界因素电流镜结构反相器结构传输特性控制补偿支路低噪声高电平控制管反相功耗减小容限左移输出保证

[实用新型]具有三段式埋氧层的半导体场效应晶体管-CN201721215981.7有效
发明人：毛光;解磊;代刚;钟乐;彭勇;吕秋叶;杨任花;刘鑫 -专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
申请日： 2017-09-21 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型公开了具有三段式埋氧层的半导体场效应晶体管，该晶体管的埋氧层为三段式结构，body下面的BOX与源漏两端处BOX相分离，同时这三段BOX又将有源区和衬底相隔离；与传统SOI工艺相比，本实用新型body处的BOX离衬底底部更近；同时在源、漏两端底部加入P+层，从而使源、漏两端与BOX层隔离。基于上述结构，即使BOX中累积的正电荷达到一定程度，由于源、漏两端被隔离，漏电通道也形成不了，从而有效杜绝了背栅漏电；源、漏两端的P+作为体引出，不仅有效抑制了部分耗尽型SOI器件的浮体效应，而且也降低了器件的体接触电阻。
埋氧层半导体场效应晶体管本实用新型三段式隔离衬底三段式结构漏电浮体效应漏电通道有效抑制耗尽型体接触相分离正电荷晶体管背栅电阻三段源漏源区

[实用新型]一种金属氧化物半导体场效应晶体管-CN201721216768.8有效
发明人：毛光;解磊;代刚;钟乐;彭勇;吕秋叶;杨任花;刘鑫 -专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
申请日： 2017-09-21 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种金属氧化物半导体场效应晶体管，该晶体管包括硅底层、埋氧层和硅顶层，通过光刻在埋氧层上并在硅顶层侧面，进行离子注入等形成P+层，然后P+层上生长形成有氧化层，氧化层上分别生长硅层，用于形成漏极和源极；本实用新型在源、漏两端加入氧化层和P+层，从而使源、漏两端与BOX层隔离；那么即使BOX中累积的正电荷达到一定程度，由于源、漏两端被隔离，漏电通道也形成不了，从而有效杜绝了背栅漏电；源、漏两端的P+作为体引出，不仅有效抑制了部分耗尽型SOI器件的浮体效应，而且也降低了器件的体接触电阻；这种对称性结构给电路设计带来了很大的方便；同时，没有引入新的寄生晶体管，性能大大提高。
氧化层金属氧化物半导体场效应晶体管本实用新型埋氧层顶层隔离对称性结构寄生晶体管漏电电路设计浮体效应漏电通道生长硅层有效抑制耗尽型体接触正电荷晶体管背栅电阻光刻漏极源极离子侧面生长引入

[发明专利]具有三段式埋氧层的半导体场效应晶体管及其制造方法-CN201710861809.7在审
发明人：毛光;解磊;代刚;钟乐;彭勇;吕秋叶;杨任花;刘鑫 -专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
申请日： 2017-09-21 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了具有三段式埋氧层的半导体场效应晶体管及其制造方法，该晶体管的埋氧层为三段式结构，body下面的BOX与源漏两端处BOX相分离，同时这三段BOX又将有源区和衬底相隔离；与传统SOI工艺相比，本发明body处的BOX离衬底底部更近；同时在源、漏两端底部加入P+层，从而使源、漏两端与BOX层隔离。基于上述结构，即使BOX中累积的正电荷达到一定程度，由于源、漏两端被隔离，漏电通道也形成不了，从而有效杜绝了背栅漏电；源、漏两端的P+作为体引出，不仅有效抑制了部分耗尽型SOI器件的浮体效应，而且也降低了器件的体接触电阻。
具有三段式埋氧层半导体场效应晶体管及其制造方法

[发明专利]一种金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法-CN201710861010.8在审
发明人：毛光;解磊;代刚;钟乐;彭勇;吕秋叶;杨任花;刘鑫 -专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
申请日： 2017-09-21 - 公布日： 2017-12-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法，该晶体管包括硅底层、埋氧层和硅顶层，通过光刻在埋氧层上并在硅顶层侧面，进行离子注入等形成P+层，然后P+层上生长形成有氧化层，氧化层上分别生长硅层，用于形成漏极和源极；本发明在源、漏两端加入氧化层和P+层，从而使源、漏两端与BOX层隔离；那么即使BOX中累积的正电荷达到一定程度，由于源、漏两端被隔离，漏电通道也形成不了，从而有效杜绝了背栅漏电；源、漏两端的P+作为体引出，不仅有效抑制了部分耗尽型SOI器件的浮体效应，而且也降低了器件的体接触电阻；这种对称性结构给电路设计带来了很大的方便；同时，本发明没有引入新的寄生晶体管，性能大大提高。
一种金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法

[实用新型]一种具有隔热效果的建筑墙体-CN201720066113.0有效
发明人：喻大安;杨任花;黄利生;聂小根 -专利权人：世昌建设集团有限公司
申请日： 2017-01-19 - 公布日： 2017-09-19 - 主分类号： E04B2/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有隔热效果的建筑墙体，包括第一外墙体、第二外墙体以及设置于第一外墙体和第二外墙体之间的填充墙体，所述第一外墙体左侧设有幕墙本体，所述幕墙本体通过安装架固定安装有第一外墙体，所述第一外墙体右侧设有第一泡沫板结构层，所述第一泡沫板结构层右侧设有第一岩棉结构层，所述第二泡沫板结构层位于第二外墙体的左侧，所述第一泡沫板结构层和第二泡沫板结构层关于中间墙体结构层对称设置，所述第一岩棉结构层和第二岩棉结构层也关于中间墙体结构层对称设置，所述第一外墙体、第二外墙体和中间墙体结构层均为钢筋混凝土结构。本实用新型一种具有隔热效果的建筑墙体，结构新颖，达到很好的隔热效果。
一种具有隔热效果建筑墙体

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