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[发明专利]一种VCSEL芯片及其制备方法-CN202010155258.4在审
发明人：李峰柱;田宇;杜石磊;罗桂兰 -专利权人：厦门乾照半导体科技有限公司
申请日： 2020-03-09 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明提供了一种VCSEL芯片及其制备方法，通过在所述衬底表面依次堆叠的N型DBR层、N型波导限制层、量子阱、P型波导限制层、P型氧化界面截止层及P型DBR层；在所述N型DBR层、N型波导限制层、P型波导限制层及P型DBR层的至少一层中设有电流扩展夹层，以提供更好的电流扩展效果和更好地限制光在限制层中传播的电场强度，从而减小VCSEL激光的发散角。通过设置使DBR的反射率大小与所述电流扩展夹层的折射率无关，因此，在不影响DBR的反射率大小的同时，还能更好地实现电流扩展效果及限制光在限制层中传播的电场强度。
一种 vcsel 芯片及其制备方法

[发明专利]具有多重限制隔离的VCSEL及VCSEL制作方法-CN202010173318.5在审
发明人：田宇;杜石磊;韩效亚;马祥柱 -专利权人：厦门乾照半导体科技有限公司
申请日： 2020-03-13 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明提供一种具有多重限制隔离的VCSEL及VCSEL制作方法，通过设置第一氧化层、第二氧化层、第三氧化层和离子注入层，并且第一氧化层的氧化深度、第二氧化层的氧化深度、第三氧化层的氧化深度和离子注入层的离子扩散深度依次减小，以及对各氧化层的氧化形状进行特殊设置，形成特殊的限制图形来实现多重限制隔离，从而形成特定的限制孔径，对载流子的扩散路径进行有效控制，将载流子集中化注入到有源区。
具有多重限制隔离 vcsel 制作方法

[发明专利]一种具有高功率的VCSEL芯片及其制备方法-CN201910495765.X有效
发明人：田宇;韩效亚;吴真龙;杜石磊 -专利权人：厦门乾照半导体科技有限公司
申请日： 2019-06-10 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明提供一种具有高功率的VCSEL芯片及其制备方法，芯片包括：沿生长方向依次生长的衬底、N型DBR层、有源层和P型DBR层，所述有源层包括沿生长方向依次生长的第一InGaAs阱层、第一(InxAlyGaz)0.5(AsmPn)0.5垒层、第二InGaAs阱层、第二(InxAlyGaz)0.5(AsmPn)0.5垒层、第三InGaAs阱层和第三(InxAlyGaz)0.5(AsmPn)0.5垒层，三个(InxAlyGaz)0.5(AsmPn)0.5垒层中的Al组分依次增加、In组分依次减少。能够有效平衡应变，降低工艺难度。
一种具有功率 vcsel 芯片及其制备方法

[发明专利]一种VCSEL芯片制备方法-CN201910482070.8有效
发明人：田宇;韩效亚;吴真龙;杜石磊 -专利权人：厦门乾照半导体科技有限公司
申请日： 2019-06-04 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明提供一种VCSEL芯片制备方法，针对N型DBR层，通过先关Al源和Ga源，仅通AsH3生长60‑300秒，对表面进行处理，留下晶体质量较好的外延层，使得界面更清晰；并通过先通入3‑180秒的SiH4，在外延层表面形成一定的聚合物，形成高浓度Si掺，改变原有位错方向；再通入Al源和Ga源，形成高浓度Si掺，降低势垒结；先关Al源和Ga源，3‑180秒后再关SiH4，在表面形成一定的聚合物，形成高浓度Si掺，再次改变位错方向；然后关Al源和Ga源，仅通AsH3再次对表面进行处理。对于每一个势垒结，都通过上述方式改善界面，降低势垒结，进而降低电阻。并且通过Si和C互抢位置以降低C本底杂质。
一种 vcsel 芯片制备方法

[发明专利]一种具有非对称限制层的VCSEL及其制作方法-CN201911187963.6在审
发明人：田宇;杜石磊;韩效亚;李峰柱;吴真龙 -专利权人：厦门乾照半导体科技有限公司
申请日： 2019-11-28 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明提供一种具有非对称限制层的VCSEL及其制作方法，VCSEL包括衬底，以及自下而上依次层叠于所述衬底上的N型DBR层、N型限制层、有源区、P型限制层、氧化层和P型DBR层；所述N型限制层包括多层自下而上依次设置的第一AlGaAs层，所述P型限制层包括多层自下而上依次设置的第二AlGaAs层；多层所述第一AlGaAs层的Al组分随厚度升高呈波动的阶梯分布，多层所述第二AlGaAs层的Al组分随厚度升高呈波动的阶梯分布，所述N型限制层与所述P型限制层互为非对称结构。电子和空穴被有效限制在有源区，辐射复合高；并且能够改变光场分布，降低光吸收和光散射，提高增益。
一种具有对称限制 vcsel 及其制作方法

[实用新型]一种VCSEL激光器-CN201921119037.0有效
发明人：林志伟;陈凯轩;蔡建九;彭钰仁;杜石磊 -专利权人：厦门乾照半导体科技有限公司
申请日： 2019-07-17 - 公布日： 2019-12-27 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本实用新型提供一种VCSEL激光器，通过设置绝缘介质层、第一氧化层和第二氧化层对电流进行限制，被绝缘介质层环绕的透明导电层和第一欧姆接触层构成第一导电通道，第一氧化层具有第二导电通道，第二氧化层具有第三导电通道，且出光孔、第三导电通道、第二导电通道和第一导电通道在水平方向的尺寸依次减小，从而能够有效地将电流导向由第一导电通道、第二导电通道和第三导电通道限定的区域，提高激光效率。
导电通道氧化层绝缘介质层本实用新型欧姆接触层透明导电层电流导向激光效率依次减小出光孔有效地环绕

[发明专利]一种VCSEL激光器及其制作方法-CN201910644334.5在审
发明人：林志伟;陈凯轩;蔡建九;彭钰仁;杜石磊 -专利权人：厦门乾照半导体科技有限公司
申请日： 2019-07-17 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明提供一种VCSEL激光器及其制作方法，通过设置绝缘介质层、第一氧化层和第二氧化层对电流进行限制，被绝缘介质层环绕的透明导电层和第一欧姆接触层构成第一导电通道，第一氧化层具有第二导电通道，第二氧化层具有第三导电通道，且出光孔、第三导电通道、第二导电通道和第一导电通道在水平方向的尺寸依次减小，从而能够有效地将电流导向由第一导电通道、第二导电通道和第三导电通道限定的区域，提高激光效率。
导电通道氧化层绝缘介质层欧姆接触层透明导电层电流导向激光效率依次减小出光孔有效地制作环绕

[发明专利]一种黄绿光发光二极管及制作方法-CN201711144430.0有效
发明人：伏兵;杜石磊;韩效亚;张双翔 -专利权人：扬州乾照光电有限公司
申请日： 2017-11-17 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种黄绿光发光二极管及制作方法，该制作方法包括：提供一预设晶向的衬底；在衬底的一侧生长缓冲层；在缓冲层背离衬底的一侧生长分布式布拉格反射层；在分布式布拉格反射层背离缓冲层的一侧生长第一型限制层；在第一型限制层背离分布式布拉格反射层的一侧生长非掺杂超晶格有源层；在非掺杂超晶格有源层背离第一型限制层的一侧生长第二型限制层；在第二型限制层背离非掺杂超晶格有源层的一侧生长过渡层；在过渡层背离第二型限制层的一侧生长窗口层；在窗口层背离过渡层的一侧生长第一型电极；在衬底背离缓冲层的一侧生长第二型电极。该黄绿光发光二极管法向光强更高，具有很高的芯片亮度。
一种黄绿发光二极管制作方法

[发明专利]一种AlGaInP发光二极管及其制作方法-CN201711227890.X有效
发明人： 杜石磊;李俊承;韩效亚;伏兵;张双翔 -专利权人：扬州乾照光电有限公司
申请日： 2017-11-29 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本申请提供一种AlGaInP发光二极管及其制作方法，所述制作方法为：分别提供第一LED外延结构、第二LED外延结构和第三衬底，其中，第一LED外延结构包括第一型AlInP限制层、AlGaInP多量子阱层、第二型AlInP限制层，第二LED外延结构包括GaP电流扩展层，然后采用键合工艺将第二LED外延结构先与第三衬底键合，再将第一LED外延结构与第二LED外延结构键合，形成完整的发光二极管结构。通过两次键合工艺，避免了在生长较高晶体质量的GaP电流扩展层时，需要高于AlGaInP材料的温度，且耗时较长，造成的第一型掺杂杂质与第二型掺杂杂质向多量子阱层扩散，影响多量子阱的内量子效率。
一种 algainp 发光二极管及其制作方法

[发明专利]基于AlN衬底的LED外延结构及生长方法和LED-CN201810577204.X在审
发明人：田宇;颜慧;韩效亚;杜石磊 -专利权人：扬州乾照光电有限公司
申请日： 2018-05-31 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于AlN衬底的LED外延结构及生长方法和LED，所述AlN衬底包括基底和位于所述基底上的AlN层，所述LED外延结构包括位于所述AlN层上、且依次生长的N型GaN层、有源区和P型GaN层，所述LED外延结构还包括：位于所述AlN层与所述N型GaN层之间的缓冲层，所述缓冲层包括生长于所述AlN层背离所述基底一侧表面上、且厚度小于所述AlN层的AlN过渡层。由上述内容可知，本发明提供的技术方案，在AlN衬底的AlN层表面上形成一较薄的AlN过渡层，有效的释放LED外延结构与AlN衬底之间的应力，减少生长LED外延结构过程中出现碎裂情况的几率。
衬底生长基底过渡层缓冲层碎裂源区背离释放

[发明专利]一种发光二极管及其制备方法-CN201810126562.9在审
发明人： 杜石磊;李洪雨;韩效亚;伏兵 -专利权人：扬州乾照光电有限公司
申请日： 2018-02-08 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种发光二极管及其制备方法，其中，所述发光二极管的制备方法在制备发光二极管的过程中，在外延结构的欧姆接触层和第一型粗化层之间制备了DBR层，并且在第二型扩展欧姆层背离第一衬底一侧还形成了ODR层，使得所述发光二极管中由于第一电极层遮挡而无法出射的光可以经由DBR层和ODR层的多次反射，达到改变出光角度及位置的目的，从而提升了发光二极管的发光效率。并且，在第一电极层两侧的第一型粗化层表面还形成有粗化表面，可以避免对出射光线形成全反射的概率，进一步提升了所述发光二极管的发光效率。
发光二极管制备第一电极发光效率粗化层欧姆接触层出射光线粗化表面多次反射外延结构欧姆层全反射衬底出射遮挡背离概率申请

[发明专利]基于液相色谱仪外标法检测尼莫克汀含量的方法-CN201510957725.4在审
发明人： 杜石磊 -专利权人：河北圣雪大成制药有限责任公司
申请日： 2015-12-18 - 公布日： 2017-06-27 - 主分类号： G01N30/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于液相色谱仪检测尼莫克汀含量的方法，具体的涉及一种尼莫克汀含量的检测。本发明包括步骤如下精密称取相同质量的尼莫克汀供试品、尼莫克汀对照品置于两个容量瓶中，分别加95％乙醇溶解并定容至同一刻度，均混合均匀制备为供试品溶液和对照品溶液；同体积定量精密称取步骤a中的供试品溶液与对照品溶液进行高效液相色谱测定，色谱条件为色谱柱选用十八烷基硅烷键合硅胶柱；柱温25-35℃；流动相85％甲醇；流速1.0～1.5mL/min；检测波长240nm；进样量20μL。本发明能准确地检测出尼莫克汀含量，准确度高，重复性好，线性关系数可达0.999，精密度RSD≤2.0％，灵敏度高，结果满意。
基于色谱仪外标法检测尼莫克汀含量方法

[发明专利]柱前衍生‑高效液相色谱检测发酵液中缬氨酸含量的方法-CN201610732912.7在审
发明人：杜精精;杜石磊;马盼盼;闫自娟;曹建全 -专利权人：河北圣雪大成制药有限责任公司
申请日： 2016-08-27 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： G01N30/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种柱前衍生‑高效液相色谱检测发酵液中缬氨酸含量的方法，包括以下步骤制备缬氨酸标准品溶液和样品溶液、制备衍生溶液、采用高效液相色谱法进行检测、记录峰面积，采用外标法计算样品中缬氨酸的含量。本方法样品预处理步骤简单，衍生试剂浓度低，仅以正己烷除去干扰因素，反应液直接稀释过滤后进样，简化了衍生步骤，既节约时间，又降低费用；检测设备为通用型高效液相色谱仪和色谱柱，外标法定量，不需购买内标物和专用仪器，成本低，易推广。
衍生高效色谱检测发酵缬氨酸含量方法

[发明专利]一种基于液相色谱仪检测莫西克汀含量的方法-CN201310349254.X有效
发明人：周利彩;张慧;杜石磊;张红艳;苏晓娜 -专利权人：河北圣雪大成制药有限责任公司
申请日： 2013-08-13 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： G01N30/88 文献下载
摘要：一种基于液相色谱仪检测莫西克汀含量的方法，本发明所涉及色谱方法的优化与改进如下：(a)洗脱方式由原来的等度改为梯度洗脱，可明显缩短运行时间，达到快速检测目的，尤其对低纯度杂质较多莫西克汀含量检测意义更为重大；(b)流速比原来降低1-1.5mL/min，明显降低柱压，减少对色谱仪及色谱柱的损耗，同时节省流动相，节约试剂，减少开支；(c)柱温比原来降低5-10℃，减少对色谱柱的损伤，延长液相色谱柱的使用寿命。
一种基于色谱仪检测莫西克汀含量方法

[实用新型]低线宽的980nm F-P腔应变量子阱激光器的外延片-CN201220367669.0有效
发明人：张帆;韩效亚;杜石磊;林晓珊;叶培飞;占荣;耿松涛;张双翔 -专利权人：扬州乾照光电有限公司
申请日： 2012-07-27 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：低线宽的980nm F-P腔应变量子阱激光器的外延片，涉及半导体激光器领域，本实用新型通过在GaAs衬底层上顺序生长缓冲层、过渡层、n型下限制层、下波导层、下势垒层、有源层、上势垒层、上波导层、p型上限制层和欧姆接触层，以此加工成低线宽的980nm F-P腔应变量子阱激光器，可应用于光学测量、固体激光器泵浦、激光光谱学、医疗研究等领域。
低线宽 980 nm 应变量子激光器外延