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[发明专利]半导体存储器以及半导体存储器的制造方法-CN201710859188.9有效
发明人： 村田伸一 -专利权人：拉碧斯半导体株式会社
申请日： 2017-09-21 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H10B41/00 文献下载
摘要：本发明提供不容易产生浓度比较高的p型区域与n型区域重叠的区域的半导体存储器及其制造方法。存储单元(10)具有第一电容器(20)、第二电容器(30)以及晶体管(40)。第一电容器(20)具有设置在n阱(21)的表面的第一导电层(27)、设置在n阱(21)的表层部的n型扩散层(22a、22b)以及在n阱(21)的表层部与第一导电层(27)邻接且与n型扩散层(22a、22b)分离地设置的p型扩散层(24)。第二电容器(30)具有设置在n阱(31)的表面的第二导电层(37)、设置在n阱(31)的表层部的n型扩散层(32a、32b)以及在n阱(31)的表层部与第二导电层(37)邻接且与n型扩散层(32a、32b)分离地设置的p型扩散层(34)。
半导体存储器以及制造方法

[发明专利]半导体存储器以及数据写入方法-CN201610314547.8有效
发明人： 村田伸一 -专利权人：拉碧斯半导体株式会社
申请日： 2016-05-13 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明涉及半导体存储器以及数据写入方法。目的在于提供能够在不招致访问时间的增大的情况下进行利用ECC的可靠性高的数据访问的半导体存储器以及数据的写入方法。基于示出写入数据片各自的块内的写入位位置的数据地址来检测示出写入写入数据片的每一个的块内的页面的写入页面地址。向在与k个页面各自对应的k个页面数据片之中由写入页面地址示出的页面数据片的每一个内插入至少1个写入数据片，将插入有写入数据片的页面数据片作为写入页面数据片，对写入页面数据片的每一个实施错误订正编码处理来得到编码写入数据片。然后，对属于由写入页面地址示出的页面的存储器单元的每一个施加基于编码写入数据片的写入电压。
半导体存储器以及数据写入方法

[发明专利]电荷泵电路和升压电路-CN201711326588.X有效
发明人： 村田伸一 -专利权人：拉碧斯半导体株式会社
申请日： 2017-12-13 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：本发明提供能够不使用高耐压晶体管构成，并且实现低消耗电力的电荷泵电路。包含：第一电容器以及第二电容器，它们输入脉冲信号；第一晶体管，其源极和漏极的一方与电压输入端子连接，源极和漏极的另一方与第一电容器连接，且栅极与第二电容器连接；第二晶体管，其源极和漏极的一方与电压输入端子连接，源极和漏极的另一方与第二电容器连接，且栅极与第一电容器连接；以及电位固定电路，其设置在第一晶体管与第一电容器的连接节点亦即第一节点和第二晶体管与上述第二电容器的连接节点亦即第二节点之间，并将第一节点的电位固定为与第二节点的电位对应的电位。
电荷电路升压

[发明专利]多数决处理装置、半导体存储装置和信息数据的多数决方法-CN201910418101.3在审
发明人： 村田伸一 -专利权人：拉碧斯半导体株式会社
申请日： 2019-05-20 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： G06F11/18 文献下载
摘要：本发明涉及多数决处理装置、半导体存储装置和信息数据的多数决方法。目的在于提供能够抑制装置规模的增大并且对信息数据片施行多数决处理的多数决处理装置、半导体存储装置和信息数据的多数决方法。本发明具有：存储器，包括多个组的、由与r（r为2以上的整数）位的各位分别对应的担负存储的r个存储元件构成的存储元件组来作为地址的单位；存储器接入部，按由r位构成的信息数据片的各位的每一个将该1位分别写入到与1个地址对应的存储元件组内的k（k为3以上的奇数）个存储元件，同时读出被写入到与1个地址对应的k个存储元件的、k个位；以及多数决部，取得通过该存储器接入部而从存储器读出的k个位的多数决。
存储元件信息数据半导体存储装置存储器接入存储器处理装置地址对应个位读出写入抑制装置存储

[实用新型]摄像设备-CN201220382147.8有效
发明人：高桥昌己;村田伸一 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2012-08-03 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： G03B17/12 文献下载
摘要：本实用新型涉及摄像设备。一种摄像设备，包括：图像拾取装置；镜头，其被配置用以将来自物体的光汇聚到图像拾取装置；同轴圆形形状的镜头罩，其中布置有镜头；多个红外光源，它们被布置成在镜头罩中围绕镜头；以及遮光构件，其布置在镜头和红外光源之间并且具有开口。该开口在对应于图像拾取装置的景角的对角角落的角落光路部处被向外延伸。
摄像设备

[发明专利]半导体非易失性存储器-CN200710105006.5有效
发明人：谷川博之;原田晃宏;村田伸一 -专利权人：冲电气工业株式会社
申请日： 2007-05-18 - 公布日： 2008-02-20 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：EPROM等半导体非易失性存储器包括：存储器阵列部(2)；多个存储区域(3A、3B)；时序电路(5)；写入读出部(4B、7、16、17、18)；锁存电路(8A、8B)；和选择驱动部(9、10、11、14、15)。当接通电源时，利用时序电路(5)自动地产生控制信号、存储单元地址、以及提供给锁存电路(8A、8B)的锁存选择信号，而不论外部的控制信号为何；并进行对预先存储在存储区域(3A、3B)的存储单元(2a)中的修正、冗余信息的读出动作。将所读出的信息锁存于锁存电路(8A、8B)中，并利用该信息进行对存储器阵列部(2)的修正、冗余处理。根据本发明，使封装组装后的修正、冗余信息的改写成为可能。
半导体非易失性存储器

[发明专利]存储器阵列电路-CN200610006832.X有效
发明人： 村田伸一 -专利权人：冲电气工业株式会社
申请日： 2006-02-05 - 公布日： 2006-11-01 - 主分类号： G11C11/408 文献下载
摘要：本发明提供一种与用1个存储单元存储2比特数据的非易失性存储元件相对应、并且可进行高速的读出工作的存储器阵列电路。副位线SBL的一端经由漏极选择器DS连接到共用电源CDV上，另一端经由源极选择器SS连接到主位线MBL上。切换对漏极选择器DS的漏极选择线DSA等和对源极选择器SS的源极选择线SSE等的选择信号，将副位线SBL切换为对存储单元MC的漏极线或源极线使用。由此，2比特容量的存储单元MC的读写成为可能。此外，选择2个存储单元MC，用这些存储单元包夹从存储单元到主位线MBL的副位线SBL。由此，可减少布线路径的寄生电容，进行高速的读出工作。
存储器阵列电路