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[发明专利]一种高压集成功率半导体器件及其制造方法-CN202210447055.1有效
发明人：章文通;唐宁;张科;刘雨婷;乔明;何乃龙;张森;李肇基;张波 -专利权人：电子科技大学;无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2022-04-26 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种高压集成横向半导体器件及其制造方法，包括：第一导电类型半导体衬底、第一导电类型阱区、第一导电类型半导体接触区、第二导电类型漂移区、第二导电类型阱区、第二导电类型半导体接触区、第二导电类型埋层、第一介质层、第二介质氧化层、第三介质氧化层、多晶硅栅电极，第二导电类型埋层位于衬底内，通过刻槽注入后扩散推结形成，所刻槽采用介质填充；所述第二导电类型埋层在关态时在器件体内引入电场峰，增加器件的纵向耐压。
一种高压集成功率半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种高压集成功率器件的终端耐压结构-CN202310944398.3在审
发明人：章文通;赵泉钰;吴奇益;刘腾;乔明;李肇基;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-07-28 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种高压集成功率器件的终端耐压结构，包括元胞区、漏中心终端结构和源中心终端结构。其中终端区结构包括漏极N+接触区、Nwell区、N型漂移区、P型衬底区、栅极多晶硅、栅氧化层、Pwell区、源极P+接触区，源极N+接触区、场氧化层、多晶硅电极和槽介质组成的纵向场板阵列。本发明针对漂移区中周期排列的纵向场板MIS结构的高浓度器件，我们提出了一种新型的终端耐压结构，通过在终端去掉一部分高浓度的漂移区，通过改变衬底长度保证耐压距离，依靠衬底和单边突变结承担耐压，使得终端区耐压相对独立于漂移区浓度，在保证终端足够耐压的情况下，也增大了终端的曲率结半径，避免器件的提前击穿。
一种高压集成功率器件终端耐压结构

[发明专利]一种全隔离衬底耐压功率半导体器件及其制造方法-CN202210447123.4有效
发明人：章文通;张科;唐宁;田丰润;乔明;何乃龙;张森;李肇基;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-04-26 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明提供一种全隔离衬底耐压功率半导体器件及其制造方法，包括第一导电类型衬底，第一导电类型阱区，第一导电类型重掺杂区，第二导电类型漂移区，第二导电类型阱区，第二导电类型源端重掺杂发射区，第二导电类型漏端重掺杂集电区，第二导电类型掺杂岛，纵向介质氧化层和纵向多晶硅电极构成纵向浮空场板分布在整个第二导电类型漂移区中，纵向多晶硅电极穿通埋氧层深入第二导电类型掺杂岛内，还包括介质氧化层形成场氧化层和栅氧化层，介质氧化层形成埋氧层，第二导电类型多晶硅栅电极，纵向场板金属，源端金属，漏端金属。本发明在关态时，通过纵向电极深入第二导电类型掺杂岛，将横向高压引入衬底反向PN结，使衬底参与耐压，提高器件耐压。
一种隔离衬底耐压功率半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种基于主变联络单元的供电能力分析方法-CN202310793765.4在审
发明人：冯郁竹;方红伟;赵长伟;王哲;李肇基;宗烨琛;韩国清;翟国钧;张高磊;孙广志;王玉辉;高寒;史钧杰;杨得博;刘伟;骈睿珺;王治博;李广敏;张晓航;刘志超;刘扬;沈佳星;刘春玲;赵风松;张燕宏;韩斌;黄旭;高强伟;杨国朝 -专利权人：国网天津市电力公司;国家电网有限公司;国网天津市电力公司城东供电分公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H02J3/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于主变联络单元的供电能力分析方法，通过采集配电系统数据，简化配电系统的网络拓扑，分析简化后网络拓扑的主变互联关系，形成主变联络关系矩阵Llink，使用N–1分析主变互联关系中联络单元，并计算联络单元主变最大平均负载率矩阵Tlink，根据联络单元主变最大平均负载率矩阵Tlink，计算主变最大允许负载率，形成主变最大允许负载率向量TN–1；最终根据主变最大允许负载率向量TN–1和配电系统的主变容量，计算配电系统的最大供电容量。本发明通过对主变运行方式、接线模式、供电模块规模、最优供电转移能力的分析提炼影响系统供电能力水平的关键因素，从而为现状配电网优化改造和未来配电网规划工作提供有效的建议。
一种基于联络单元供电能力分析方法

[发明专利]一种横向高压功率器件的槽型终端结构-CN202310760768.8在审
发明人：章文通;赵泉钰;刘雨婷;郭新凯;孙燕;乔明;李肇基;张波 -专利权人：电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院
申请日： 2023-06-26 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种横向高压功率器件的槽型终端结构，包括直线结终端结构和曲率结终端结构；包括漏极N+接触区、Nwell区、N型漂移区、P型衬底、栅极多晶硅、栅氧化层、Pwell区、源极P+接触区、源极N+接触区、介质槽、P型槽底注入区；通过刻槽来引入P型槽底杂质注入，由于电荷平衡，原来由N型漂移区内指向pwell区的电场线，终结到槽底部的P型槽底注入区，从来增大了终端结构指头区域的曲率结，缓解了因曲率半径小而导致的提前击穿情况，而且介质槽使得该连接处不再有电荷的运动，也能够避免电场线的集中造成的器件提前击穿，并且该结构可以将指头的面积变小，有利于减小芯片面积。
一种横向高压功率器件终端结构

[发明专利]SOI横向匀场高压功率半导体器件及制造方法和应用-CN202110952823.4有效
发明人：章文通;吴旸;张科;何乃龙;乔明;李肇基;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-08-19 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种SOI横向匀场高压功率半导体器件及其制造方法和应用，包括第一导电类型衬底，第二导电类型漂移区，第一导电类型电场钳位层，第一和第二导电类型阱区，第一介质氧化层形成场氧化层，第二介质氧化层形成栅氧化层，第二导电类型埋层，第二导电类型源端重掺杂区，第二导电类型漏端重掺杂区，第一介质氧化层和浮空场板多晶硅电极构成纵向浮空场板，分布在整个第二导电类型漂移区中，形成纵向浮空等势场板阵列；本发明在器件开态时，纵向浮空场板表面能够形成积累层，提高了器件的饱和电流。同时电极深入介质层，电极自适应在氧化层内部产生电荷，增加介质电场，实现ENDIF效果，提高器件的击穿电压。
soi 横向高压功率半导体器件制造方法应用

[发明专利]体内异性掺杂的功率半导体器件及其制造方法-CN202110955840.3有效
发明人：章文通;吴旸;唐宁;乔明;李肇基;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-08-19 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种体内异性掺杂的功率半导体器件及其制造方法，包括第一介质氧化层和浮空场板多晶硅电极构成纵向浮空场板，分布在整个第二导电类型漂移区中，形成纵向浮空等势场板阵列，槽壁周围附有第一导电类型杂质；由于硅的介电系数是二氧化硅的三倍，在相同漂移区长度下，介质层能够取得更大的电场，提高击穿电压。槽壁用第一导电类型杂质包围住，由于MIS结构带来的辅助耗尽作用，大大提高了第二导电类型漂移区的浓度，降低比导通电阻。
体内异性掺杂功率半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种基于改进K-means聚类算法的供电区块划分方法-CN202310348392.X在审
发明人：冯郁竹;赵长伟;王哲;方红伟;宗烨琛;李肇基;韩国清;翟国钧;张高磊;孙广志;王玉辉;高寒;王飞;杨得博;刘伟;骈睿珺;王治博;李广敏;张晓航;刘志超;刘扬;沈佳星;刘春玲 -专利权人：国网天津市电力公司城东供电分公司;国网天津市电力公司;国家电网有限公司
申请日： 2023-04-04 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G06Q10/0631 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于改进K‑means聚类算法的供电区块划分方法，将影响供电区域划分的多种因素考虑在内，将各种因素的影响量化，探索数学约束条件，构建了综合考虑电网实际情况的供电区块划分方法，能够有效处理供电范围较大供电区域的区块划分，考虑影响供电区域划分的多种因素，通过将各种因素量化，得到一种综合考虑电网实际情况的供电区块划分方法。进一步提高配电网优化规划的效率和精细化成都，避免对不存在联络关系的变电站进行无谓的搜索计算。同时本发明从变电站界间距测度考虑，使供电分块内变电站间界间距极小化而供电分块间界间距最大化的划分是最优划分。并通过供电块划分均衡性指标确定供电块最佳划分数。
一种基于改进 means 算法供电区块划分方法

[发明专利]一种重离子注入型集成超结器件及制造方法-CN202211736214.6在审
发明人：章文通;刘雨婷;吴凌颖;郭新凯;孙燕;乔明;李肇基;张波 -专利权人：电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种重离子注入型集成超结器件及制造方法，包括：第一导电类型半导体衬底、第二导电类型漂移区、第一导电类型阱区、第一导电类型埋层和第二导电类型埋层，位于器件表面的多晶硅栅电极，第一介质氧化层、第二介质氧化层，亚微米超结位于第一导电类型埋层和第二导电类型埋层之间，在埋层注入后采用重离子注入并透过场氧化层形成；本发明基于重离子与轻离子的扩散系数不同，通过在漂移区内引入重离子注入的亚微米超结，能够在器件内部提供低阻通路，降低开态时的比导通电阻，且不受高温推结工艺的影响；此外通过优化热预算，能够形成扩散保护环，降低器件表面电场。
一种离子注入集成器件制造方法

[发明专利]具有无结终端技术功率半导体器件及制造方法和应用-CN202110964582.5有效
发明人：章文通;吴旸;唐宁;乔明;李肇基;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-08-19 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明提供一种具有无结终端技术功率半导体器件及制造方法和应用，第一介质氧化层和浮空场板多晶硅电极构成纵向浮空场板，分布在整个第二导电类型漂移区中，形成纵向浮空等势场板阵列；漏端引入浮空场板，改善此处的曲率效应，提高耐压。在终端则把第二导电类型漂移区的边界移动到漏端，利用漏端的浮空等势场板的作用把漂移区两端的电位钳位，没有产生电位差，从而避免了Psub和漂移区结的击穿。纵向浮空场板呈环形承担大部分耐压，并且把第二导电类型漏端重掺杂区的边界移动到和第二导电类型漂移区的边界一致，避免其产生N+N结，导致其提前击穿。
有无终端技术功率半导体器件制造方法应用

[发明专利]具有高可靠性的分离栅VDMOS器件及其制造方法-CN202010888687.2有效
发明人：王卓;祖健;朱旭晗;章文通;方冬;乔明;李肇基;张波 -专利权人：电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院
申请日： 2020-08-28 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提供一种具有高可靠性的分离栅VDMOS器件及其制造方法，包括第一导电类型衬底，第一导电类型漂移区，第一介质氧化层，分离栅多晶电极，第二介质氧化层，第三介质氧化层，控制栅多晶电极，第二导电类型阱区，重掺杂第一导电类型区，重掺杂第二导电类型区，源极金属接触，控制栅金属接触和分离栅金属接触。通过在过渡区增大槽宽，增加一次过渡区栅多晶刻蚀，形成控制栅多晶和栅氧化层包围分离栅金属接触的结构，避免了常规分离栅引出所需要的控制栅和分离栅之间的介质氧化层隔离，杜绝了厚氧隔离所带来的吸硼排磷问题和曲率效应带来的电场集中问题，以及存在厚氧隔离时过渡区耗尽不足问题，消除器件过渡区的提前击穿，保证器件耐压。
具有可靠性分离 vdmos 器件及其制造方法

[发明专利]一种可变选择比SOI刻蚀方法-CN202211199406.8在审
发明人：章文通;刘腾;田丰润;张科;唐宁;何乃龙;张森;李肇基;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明涉及一种可变选择比SOI刻蚀方法，通过如下步骤对绝缘体上硅材料进行刻蚀：(1)提供绝缘体上硅基片；(2)淀积可变选择比的复合硬掩模代替不可变选择比的传统硬掩模；(3)涂胶；(4)制版，用光刻版定义要刻蚀的区域；(5)刻蚀定义区域的光刻胶；(6)刻蚀复合硬掩模；(7)去胶；(8)使用第二刻蚀方法以第一选择比刻蚀顶层硅；(9)使用第三刻蚀方法以第二选择比刻蚀埋氧层，本发明区别于传统刻蚀技术，可避免在刻蚀埋氧层时对于深槽侧壁的损伤，以及在刻蚀0.5μm以上的埋氧时，无需使用过厚的硬掩模，降低了工艺的成本，缓解了掩模应力同时提高了工艺的稳定性。
一种可变选择 soi 刻蚀方法

[发明专利]具有多维耦合分压机制的匀场低阻器件及其制造方法-CN202210600368.6在审
发明人：张波;吴凌颖;刘雨婷;章文通;李肇基 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-08-10 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种具有多维耦合分压机制的匀场低阻器件及其制造方法，包括：第一导电类型半导体衬底、第一导电类型阱区、第一导电类型半导体接触区，第二导电类型漂移区、第二导电类型阱区、第二导电类型半导体接触区，第一介质氧化层、第二介质氧化层、第三介质氧化层、第四介质氧化层，浮空场板多晶硅电极、控制栅多晶硅电极，第一层金属条、第二层金属条；第一介质氧化层和浮空场板多晶硅电极构成纵向浮空场板，第一层金属条、第二层金属条和第四介质氧化层构成表面固定介质电容，本发明用表面介质固定电容耦合分压方式代替了体内半导体可变电容耦合分压方式，解决了器件耗尽不连续，分压不均匀的问题，使器件具有更高的击穿电压。
具有多维耦合机制匀场低阻器件及其制造方法

[发明专利]一种SOI横向器件及制造方法-CN202210600616.7在审
发明人：章文通;刘腾;田丰润;张科;唐宁;何乃龙;张森;李肇基;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-05-30 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种SOI横向器件结构及制造方法，包括衬底、埋氧层、漂移区、有源区，所述衬底、绝缘层和绝缘层上漂移区包括竖向导电结构，竖向导电结构在竖直方向上穿过绝缘层和绝缘层上硅的截面呈长条状；所述竖向导电结构还包括槽壁内低介电常数介质、多晶；所述有源区还包括源区、漏区。本发明在耦合电极与埋氧处的介质耐压随介电常数降低电场提升更大，在不影响比导的情况下，击穿电压更大。同时提供了一种深入埋层刻蚀的工艺方法，可将以往无法实现的器件通过本工艺手段从模型建立引入工程应用。
一种 soi 横向器件制造方法

[发明专利]一种SOI横向绝缘栅双极晶体管-CN202010888909.0有效
发明人：章文通;朱旭晗;祖健;乔明;李肇基;张波 -专利权人：电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院
申请日： 2020-08-28 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明提供一种SOI横向绝缘栅双极晶体管，第一介质氧化层和浮空场板多晶硅电极构成纵向浮空场板，分布在整个第二导电类型漂移区中，形成纵向浮空场板阵列；在集电极区域以相同工艺形成与集电极接触电极相连的纵向场板，并且平行插入第二导电类型阱区，形成阳极电阻结构。本发明在器件开态时，纵向浮空场板表面能够形成积累层，提高了器件的饱和电流。第二导电类型阱区引入的纵向场板，能够精确控制阳极电阻的大小，消除了snapback现象对器件输出特性的影响，提高器件的稳定性。
一种 soi 横向绝缘双极晶体管

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