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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用于刻蚀高k金属栅层叠的方法-CN202110613271.4在审
发明人：慎寿范;李海朾 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2015-09-10 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：一种用于刻蚀栅极的方法，包括：在衬底之上形成高k材料层；在高k材料层之上形成上位层；执行用于刻蚀上位层的第一刻蚀工艺，以形成上位层图案；在上位层图案的侧壁上形成间隔件；以及使用包括BCl3和氩的等离子体来执行第二刻蚀工艺，以刻蚀高k材料层。其中，氩的量与BCl3基本上相同，以提高相对于衬底的刻蚀选择比。其中，在比第一刻蚀工艺高的温度执行第二刻蚀工艺。
用于刻蚀金属层叠方法

[发明专利]用于刻蚀高k金属栅层叠的方法-CN201510573827.6有效
发明人：慎寿范;李海朾 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2015-09-10 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种用于刻蚀栅极的方法，包括：在衬底之上形成高k材料层；在高k材料层之上形成上位层；执行用于刻蚀上位层的第一刻蚀工艺，以形成上位层图案；在上位层图案的侧壁上形成间隔件；以及使用包括主刻蚀气体和添加气体的等离子体来执行第二刻蚀工艺，以刻蚀高k材料层，其中，添加气体的量与主刻蚀气体基本上相同，以提高相对于衬底的刻蚀选择比。
用于刻蚀金属层叠方法

[发明专利]具有掩埋位线的半导体器件及其制造方法-CN201210023208.6有效
发明人：李相道;李海朾;高京甫 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2012-02-02 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明实施例公开了具有掩埋位线的半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括有源本体，所述有源本体具有在横向上彼此面对的两个侧壁；结，所述结形成在所述两个侧壁中的一个侧壁中；电介质层，所述电介质层具有暴露出所述结的开放部分并且覆盖所述有源本体；结延伸部分，所述结延伸部分具有填充所述开放部分的掩埋区；以及位线，所述位线与所述结延伸部分耦接。
具有掩埋半导体器件及其制造方法

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN201110021421.9无效
发明人： 李海朾;金殷美;高京甫 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2011-01-19 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种制造半导体器件的方法，其包括以下步骤：形成多个图案；形成刻蚀目标层，以将所述多个图案间隙填充；在刻蚀目标层中形成杂质区域；以及使用杂质区域作为刻蚀停止阻挡层来对刻蚀目标层执行回蚀工艺。
制造半导体器件方法

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN201010250570.8有效
发明人： 李海朾;李江伏;李京效 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2010-08-11 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种制造半导体器件的方法，所述方法包括以下步骤：在晶片的裸片区和边缘球状物去除(EBR)区之上形成多个插塞；形成耦合到所述插塞的金属线；去除所述EBR区中的金属线；在所述晶片之上形成层间电介质层；以及通过使用等离子体刻蚀设备的干法刻蚀工艺来选择性地刻蚀所述层间电介质层，以形成使所述金属线暴露的多个接触孔。
制造半导体器件方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200910005180.1无效
发明人：赵瑢泰;李海朾;金殷美;李京效 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2009-02-06 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：在半导体器件及其制造方法中，在衬底上形成硬掩模层，蚀刻所述硬掩模层和衬底的一部分以形成在侧壁具有突出部分的沟槽，和形成掩埋于沟槽中的绝缘层以形成在侧壁具有突出部分的器件隔离区，其中所述器件隔离区减小有源区一部分的宽度。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]在半导体器件中形成存储节点接触塞的方法-CN200610090177.0有效
发明人：黄昌渊;金亨涣;崔益寿;李海朾 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2006-07-03 - 公布日： 2007-06-06 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：提供了一种在半导体器件中形成存储节点接触塞的方法。该方法包括：在具有传导塞的基板之上形成层间绝缘层；使用至少线型存储节点接触掩模作为蚀刻掩模来蚀刻层间绝缘层的一部分以形成具有倾斜侧壁的第一接触孔；蚀刻在第一接触孔下的层间绝缘层的另一部分以形成暴露传导塞的第二接触孔，第二接触孔具有基本上竖直的侧壁；并填充第一和第二存储节点接触孔以形成存储节点接触塞。
半导体器件形成存储节点接触方法

[发明专利]具有深开孔的半导体器件的制造方法-CN200510097533.7无效
发明人：赵瑢泰;李海朾;曹祥薰 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2005-12-30 - 公布日： 2007-01-10 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：提供一种制造具有深开孔的半导体器件的方法。所述方法包括：在衬底上形成绝缘层；选择性蚀刻绝缘层以形成第一开孔；扩大第一开孔的面积；在扩大的第一开孔的侧壁上形成抗弯隔离物；以及蚀刻残留在扩大的第一开孔下方的部分绝缘层以形成第二开孔。
具有深开孔半导体器件制造方法

[发明专利]用于制造半导体器件的方法-CN200610078924.9无效
发明人：赵瑢泰;李海朾 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2006-04-27 - 公布日： 2007-01-10 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：提供一种用于制造半导体器件的方法，具体地提供一种用于制造熔丝形成在其中的区域的方法，包括：在衬底上形成第一绝缘层；在第一绝缘层上形成多个熔丝；形成第二绝缘层以覆盖熔丝；在第二绝缘层上形成蚀刻停止层；在蚀刻停止层的预定部分上形成金属层；形成第三绝缘层以覆盖金属层；对第三绝缘层执行垫/修复工艺，直到暴露金属层和蚀刻停止层；以及选择性地去除蚀刻停止层的暴露部分和第二绝缘层。
用于制造半导体器件方法

[发明专利]用于制造具有金属线的半导体器件的方法-CN200510097536.0无效
发明人： 李海朾;曹祥薰;金锡基 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2005-12-30 - 公布日： 2006-11-01 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：提供了一种用于制造具有金属线的半导体器件的方法。该方法包括：在基板上形成层间绝缘层；在所述层间绝缘层中形成开口；在所述开口和所述层间绝缘层上形成阻挡金属层；在所述阻挡金属层上形成第一导电层，直到填充了所述开口；对所述第一导电层执行伴随过蚀刻的第一蚀刻工艺以形成填充到所述开口中的互连层；对在第一蚀刻工艺之后暴露的阻挡金属层的部分执行第二蚀刻工艺以使所述开口的顶部侧向部分的垂直轮廓倾斜；在具有倾斜轮廓的所述层间绝缘层、互连层和阻挡金属层上形成第二导电层；以及选择性地蚀刻所述第二导电层以形成金属线。
用于制造具有金属线半导体器件方法

[发明专利]一种在半导体器件中形成精细接触孔的方法-CN96113323.6无效
发明人：金尚郁;李海朾 -专利权人：现代电子产业株式会社
申请日： 1996-08-28 - 公布日： 2002-01-09 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种形成精细接触孔的方法，包括以下步骤在进行干腐蚀的时候，在接触孔的侧壁上形成隔离层，其能使到接触孔的通路加宽，所以接触区几乎不受腐蚀剂的损伤。然后按照本发明的干腐蚀工艺，能减少衬底的损伤，这是因为要露出的衬底是位于绝缘保护层４３的下面。衬底的损伤可以小于１００Ａ。$#!
一种半导体器件形成精细接触方法

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