专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果161个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]显示装置-CN200710153025.5有效
  • 李洪雨;许命九;李钟焕 - 三星电子株式会社
  • 2007-09-18 - 2008-03-26 - G02F1/133
  • 本发明公开了一种显示装置,该显示装置具有像素,该像素包括连接于主栅极线和数据线的主像素以及连接于子栅极线和数据线的子像素。在时间段1H期间,主栅极驱动器向主栅极线输出主栅极脉冲。在时间段1H的第一部分期间,子栅极驱动器接收主栅极脉冲并向子栅极线输出子栅极脉冲。在时间段1H的第一部分期间,数据驱动器向数据线施加子像素电压,并在时间段1H的第二部分期间,向数据线施加主像素电压。
  • 显示装置
  • [发明专利]栅极驱动器和具有所述栅极驱动器的显示装置-CN200710138230.4有效
  • 李洪雨;许命九;李钟焕;金汎俊;金圣万 - 三星电子株式会社
  • 2007-07-31 - 2008-02-13 - G02F1/1362
  • 本发明提供一种栅极驱动器,其包括具有连接在一起的多个级的移位寄存器,并且输出包括第一脉冲和第二脉冲的栅极信号至栅极线。一个级包括保持部分、预充电部分、上拉部分和下拉部分。所述保持部分响应于第一时钟信号而将输出端放电至关断电压。所述预充电部分响应于前一级的输出信号而将所述保持部分关断并且将所述第一时钟信号作为第一脉冲输出至所述输出端。所述上拉部分响应于所述前一级的输出信号而输出第二时钟信号至所述输出端作为第二脉冲。所述下拉部分响应于下一级的输出信号而将所述第一输出端放电至关断电压。
  • 栅极驱动器有所显示装置
  • [发明专利]生产单晶硅的方法-CN200610149906.5有效
  • 赵铉鼎;李洪雨;郑镇秀;金仙美 - 希特隆股份有限公司
  • 2003-12-23 - 2007-07-11 - C30B29/06
  • 本发明涉及一种使用Czochralski法生产单晶硅锭的方法,该方法可提供具有非常均匀的平面质量的硅片,因而提高半导体装置的产量。本发明建议一种用Czochralski法生产单晶硅锭的方法,其中,当熔硅对流被分为核单元和外单元时,单晶硅锭在核单元水平方向最大宽度是熔硅表面半径的30-60%的条件下生长。在一个实施例中,单晶硅锭在核单元垂直方向最大深度等于或大于熔硅最大深度的50%的情况下生长。
  • 生产单晶硅方法
  • [发明专利]单晶硅锭和硅片、及其生长装置和方法-CN200610099146.1无效
  • 洪宁皓;郭晚锡;崔日洙;赵铉鼎;李洪雨 - 希特隆股份有限公司
  • 2006-07-27 - 2007-02-07 - C30B15/00
  • 本发明涉及一种单晶硅锭和硅片,及其生长装置,以及生长方法。根据单晶硅锭的生长方法,由配置在使用柴式长晶法(柴式长晶法)从熔硅拉引单晶的单晶硅生长装置外侧的线圈部件,沿着生长室(Chamber)施加不对称磁场,并且无须电流控制等附加构成因素而控制上述不对称磁场的比率或强度,以使ZGP(Zero Gauss Plane)能够位于上述熔硅表面的上部。根据如上构成,有以下优点。在不仅制造中小口径还制造200mm以上的大口径单晶的柴式长晶法,通过不对称磁场的控制,对各种要求的氧浓度,在不出现增加热区(H/Z)的替换及参数的替换等损失的情况下,可以使氧浓度沿着结晶长度方向分布均匀。另外,还可以完全控制单晶生长时发生的“花瓣”现象,不受“花”现象发生时不可避免地发生的直径未达引起的最佳长度的下降和P/S下降等参数改变的影响。
  • 单晶硅硅片及其生长装置方法

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top