专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种多功能文件柜-CN202320484287.4有效
  • 李可伟;李永亮 - 洛阳佰佑办公家具有限公司
  • 2023-03-14 - 2023-09-26 - A47B63/00
  • 本实用新型涉及工装放置柜技术领域,具体涉及多功能文件柜,包括柜体,所述柜体的一端设置有柜门,所述柜体的顶端设置有通风孔,所述柜体的内部分为存放区、暂存区、挤压区和保存区,所述存放区的侧壁开始有第一滑动槽,所述第一滑动槽的内部设置有存放框,所述挤压区位于所述存放区与所述暂存区的下侧,所述挤压区的端面开设有第四滑动槽,所述第四滑动槽的内部设置有挤压机构,所述挤压机构用于挤压材料,所述挤压机构包括丝杆,所述丝杆贯穿所述柜体一侧设置有转轴,所述丝杆外圆面设置挤压块,所述挤压块的两侧设置有卡块;本实用新型可以文件内部空间进行调整,方便存放文件,且文件放置在层板上的文件进行挤压,不易倾斜歪道的优点。
  • 一种多功能文件柜
  • [发明专利]输煤系统用移动检修及操作平台-CN202310561740.1在审
  • 李永亮;王政;刘杰 - 天津华冶工程设计有限公司;中国华冶科工集团有限公司
  • 2023-05-18 - 2023-09-22 - E04G1/24
  • 本发明提供一种输煤系统用移动检修及操作平台,包括平台支撑、设置在所述平台支撑上的检修操作平台以及设置在所述平台支撑的底部的移动机构;其中,所述平台支撑至少包括四根竖直设置的竖向支撑杆和连接在相邻的两个竖向支撑杆之间的横向支撑杆;所述检修操作平台包括平台格栅板和竖直设置在所述平台格栅板的四周的防跌栏杆;所述移动机构包括设置在所述竖向支撑杆的底部的万向轮。本发明可根据现场使用需求灵活设计具体高度及宽度,并通过移动机构随意移动,不仅能够代替多处固定检修操作平台,节省场地,节省投资,还可以实现高位设备的方便检修,不仅制作方便,节省工期、材料,还可适应于类似场景,循环使用。
  • 煤系移动检修操作平台
  • [发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202310832147.6在审
  • 李永亮;赵飞 - 中国科学院微电子研究所
  • 2023-07-06 - 2023-09-22 - H01L27/092
  • 本发明公开一种半导体器件及其制造方法,涉及半导体技术领域,以实现具有不同沟道材料的NMOS环栅晶体管和PMOS环栅晶体管的制造,利于提升CMOS器件的工作性能。半导体器件包括间隔分布的N型环栅晶体管和P型环栅晶体管。N型环栅晶体管包括的有源结构和P型环栅晶体管包括的有源结构均具有源区、漏区以及位于源区和漏区之间的至少一层纳米结构。P型环栅晶体管包括的至少一层纳米结构被P型环栅晶体管包括的栅堆叠结构覆盖的部分为沟道部,P型环栅晶体管包括的至少一层纳米结构被P型环栅晶体管包括的栅极侧墙覆盖的部分为连接部。沟道部内的锗含量分别大于连接部内的锗含量、以及N型环栅晶体管包括的至少一层纳米结构内的锗含量。
  • 一种半导体器件及其制造方法
  • [实用新型]一种灌注桩桩头快速破除装置-CN202320986612.7有效
  • 蒋海龙;都毅;李永亮;陈英强;胡辉云;杨涵 - 成都建工第七建筑工程有限公司
  • 2023-04-27 - 2023-09-19 - E02D9/00
  • 本实用新型公开了一种灌注桩桩头快速破除装置,灌注桩包括地面以下的灌注部分以及地面以上的超灌部分,快速破除装置包括套接在超灌部分中每根钢筋外周的套管以及用于连接套管的约束组件,套管的下部靠近超灌部分截断断面处设置有使套管易断裂的收口结构。本实用新型能够避免浇筑的混凝土与钢筋直接接触,从而在破桩时,便于超灌部分混凝土形成的桩头与钢筋的快速分离,而且在套管下部形成易断裂的收口结构,这样在破除桩头时,能够有效引导套管受外力后在收口处形成断裂,实现地面以上超灌部分桩头与地面以下灌注部分的有效分离,此外,通过套管上约束组件的设置,能够有效保持钢筋在灌注过程以及破除过程中的位置,避免钢筋发生位移或弯折变形。
  • 一种灌注桩桩快速破除装置
  • [发明专利]一种晶体管及其制造方法-CN202310423480.1在审
  • 李永亮;赵飞 - 中国科学院微电子研究所
  • 2023-04-19 - 2023-09-15 - H01L29/78
  • 本发明公开一种晶体管及其制造方法,涉及半导体技术领域,以在降低树型晶体管包括的源区和栅极之间、以及漏区与栅极之间的寄生电容的同时,提升自身的驱动性能。所述晶体管包括:半导体基底、有源结构、栅堆叠结构和隔离结构。有源结构中沟道区包括材料不同的第一纳米结构和第二纳米结构。第一纳米结构和第二纳米结构均分别与源区和漏区接触。每层第一纳米结构与半导体基底之间具有空隙。每层第二纳米结构位于相应空隙内。沿沟道区的宽度方向,每层第二纳米结构的至少一个侧壁相对于相应第一纳米结构的侧壁向内凹入,形成第一凹口。栅堆叠结构形成在沟道区的外周。隔离结构位于第一凹口内,且设置在栅堆叠结构与源区、以及栅堆叠结构与漏区之间。
  • 一种晶体管及其制造方法
  • [发明专利]一种晶体管及其制造方法-CN202310769088.2在审
  • 李永亮;赵飞 - 中国科学院微电子研究所
  • 2023-06-27 - 2023-09-12 - H01L29/78
  • 本发明公开了一种晶体管及其制造方法,涉及半导体技术领域,用于在抑制寄生沟道漏电的同时,提高沟道区包括的不同层纳米结构之间的导通均匀性,利于提升晶体管的电学性能。所述晶体管包括:半导体基底、有源结构、介电结构和栅堆叠结构。上述有源结构形成在半导体基底上。有源结构包括源区、漏区、以及位于源区和漏区之间的沟道区。沿半导体基底的厚度方向,沟道区包括至少两层纳米结构。在沟道区中,位于底层的纳米结构的宽度大于其余纳米结构的宽度。上述介电结构形成在半导体基底和有源结构之间。介电结构与位于底层的纳米结构接触。上述栅堆叠结构形成在位于底层的纳米结构未与介电结构接触的表面上、且环绕在其余纳米结构的外周。
  • 一种晶体管及其制造方法

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